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[实用新型]一种等离子体腔室及用于物理气相沉积的预清洗设备-CN201720712790.5有效
发明人：张彦召;陈鹏 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种等离子体腔室和用于物理气相沉积的预清洗设备。本实用新型公开的等离子体腔室包括腔体、等离子体发生器、以及设置于腔体内用于支撑被加工工件的基座；还包括等离子体调节装置，等离子体调节装置设置在基座上方；且当工艺时，等离子体调节装置的表面形成有鞘层，等离子体中的离子密度大的区域中的部分离子被鞘层中的电子中和为中性粒子，从而使到达被加工工件表面的等离子体中的离子密度趋于均匀。本实用新型公开的用于物理气相沉积的预清洗设备包括本实用新型的等离子体腔室。本实用新型的等离子体腔室及预清洗设备内的等离子体的密度分布均匀，对被加工工件的加工质量高。
一种等离子体腔用于物理沉积清洗设备

[发明专利]大深径比微纳织构刀具、其加工装置及其加工方法-CN202111391766.3在审
发明人：刘亚运;王传洋;刘同舜;张克栋 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明公开了一种大深径比微纳织构刀具、其加工装置及其加工方法，加工装置包括激光发射单元、等离子体诱导单元以及移动平台，等离子体诱导单元还包括用于向诱导出的等离子体施加磁场的磁场发生机构。加工方法通过激光诱导出的等离子体在刀具本体的待加工表面上加工出微纳织构槽，通过向被诱导出的等离子体施加磁场从而增大等离子体的运动速度和增大等离子体的能量密度，从而获得具有大深径比的微纳织构槽。本发明利用磁场分布对激光诱导出的等离子体进行运动加速，然后再利用加速后等离子体在刀具本体后刀面制备出大深径比的微纳织构。
大深径微纳织构刀具加工装置及其方法

[发明专利]具有分离格栅的等离子体加工设备中的空气泄露检测-CN202080003393.5有效
发明人：孟双;吕新亮;马绍铭;仲華 -专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开提供了用于检测空气泄露的等离子体加工设备和相关方法。在一个示例性实施方式中，所述等离子体加工设备可包括用于加工工件的加工室，通过分离格栅与所述加工室分开的等离子体室和用于使用工艺气体在所述等离子体室中感应出氧等离子体的感应耦合元件。所述等离子体加工设备可由在氧等离子体下游的工艺空间中的一氧化氮(NO)与氧自由基之间的反应检测余光发射强度，以测量由于存在空气泄露造成的氮浓度。
具有分离格栅等离子体加工设备中的空气泄露检测

[发明专利]一种大气等离子体射流加工对刀方法-CN201510771276.4在审
发明人：王波;王骏;苏星;吴言功;张鹏 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B23K10/00 文献下载
摘要：一种大气等离子体射流加工对刀方法，涉及精密光学加工领域。解决了大气等离子体射流的对刀问题。该方法包括：步骤一、组装大气等离子体射流加工对刀装置；步骤二、安装大气等离子体射流加工对刀装置；步骤三、等离子体射流发射装置发射等离子体射流，调节机床使等离子体射流发射装置与通孔发生相对运动，压强传感器记录等离子体射流产生压强数据，机床控制系统记录大气等离子体射流加工对刀装置的X轴向运动距离和Y轴向运动距离，并根据压强数据、X轴向运动距离和Y轴向运动距离获得X轴方向射流位置X0和Y轴方向射流位置Y0；步骤四、确定等离子体射流中心位置坐标
一种大气等离子体射流加工方法

[发明专利]等离子体处理方法-CN201811118529.8有效
发明人：横田聪裕;伴瀬贵德;高良穣二;森北信也;奥西直彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种在执行等离子体处理中使等离子体密度的分布均匀化的等离子体处理方法。一个实施方式的等离子体处理方法在腔室主体的内部空间中收纳有被加工物的状态下执行。等离子体处理方法包括：(i)对被加工物执行第一等离子体处理的步骤；和(ii)对被加工物执行第二等离子体处理的步骤。在执行第二等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率，大于在执行第一等离子体处理的步骤中设定的第二高频的电功率。在执行第二等离子体处理的步骤中，利用电磁铁形成如下磁场分布：在被加工物的边缘侧之上具有比被加工物的中心之上的水平成分大的水平成分。
等离子体处理方法

[发明专利]一种激光辅助等离子体加工方法-CN201510389387.9在审
发明人：王波;苏星;王骏;张鹏;李娜 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： B23K10/00 文献下载
摘要：一种激光辅助等离子体加工方法，本发明属于精密光学零件加工的技术领域。它的步骤一：将等离子体炬的等离子体炬加工区设置在牺牲工件的上端面上，使激光扫描区一直处在等离子体炬加工区的运动方向前侧；步骤二：将被加工件设置在牺牲工件的上端面上，保证激光扫描区的面积大于等离子体炬加工区，开始对被加工件加工，以保证等离子体炬加工区均为进行了激光修复处理；步骤三：加工完毕后，激光扫描区和等离子体炬加工区移动到牺牲工件上，防止烧伤机床。本发明在对光学镜片加工时，使用激光预处理，不会产生波纹度误差条件下部分修复微裂纹，进而使用大气等离子体加工，避免了等离子体加工损伤打开的效果，实现了高质量的光学加工。
一种激光辅助等离子体加工方法

[发明专利]一种微束等离子3D打印设备与方法-CN201510194623.1在审
发明人：杨永强;刘洋;林辉;王迪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种微束等离子3D打印设备与方法，该设备包括等离子加工装置、中央控制系统、成型室、工作平台、数控主轴、驱动装置、送粉装置。等离子加工装置包括等离子体电源、等离子体发生器、等离子弧压调高器、等离子枪、工作气路、冷却水路。等离子体发生器、等离子弧压调高器、等离子体枪、工作气路、冷却水路构成等离子体加工集成单元。加工时，数控主轴夹持等离子体加工集成单元，由驱动装置驱动在XYZ方向移动；工作平台上下移动，实现Z方向的进给。采用微束等离子体作为金属3D打印的熔化金属材料的热源，在保证与激光3D打印技术相近的成型精度的同时，可获得一种高效、低成本的工业级金属零件3D打印设备。
一种等离子打印设备方法

[实用新型]一种微束等离子3D打印设备-CN201520249548.X有效
发明人：杨永强;刘洋;林辉;王迪 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微束等离子3D打印设备，该设备包括等离子加工装置、中央控制系统、成型室、工作平台、数控主轴、驱动装置、送粉装置。等离子加工装置包括等离子体电源、等离子体发生器、等离子弧压调高器、等离子枪、工作气路、冷却水路。等离子体发生器、等离子弧压调高器、等离子体枪、工作气路、冷却水路构成等离子体加工集成单元。加工时，数控主轴夹持等离子体加工集成单元，由驱动装置驱动在XYZ方向移动；工作平台上下移动，实现Z方向的进给。采用微束等离子体作为金属3D打印的熔化金属材料的热源，在保证与激光3D打印技术相近的成型精度的同时，可获得一种高效、低成本的工业级金属零件3D打印设备。
一种等离子打印设备

[发明专利]一种微等离子体刻蚀加工装置及方法-CN201710326311.0有效
发明人：黄永安;董必扬;叶冬;吴昊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种微等离子体刻蚀加工装置，所述微等离子体刻蚀加工装置包括第一运动机构、第二运动机构及电喷印喷头，所述电喷印喷头连接于所述第一运动机构；所述微等离子体刻蚀加工装置还包括单针式等离子体喷头及扫描式等离子体喷头；所述单针式等离子体喷头及所述扫描式等离子体喷头之一可拆卸地连接于所述第二运动机构上，所述第二运动机构带动所述单针式等离子体喷头或者所述扫描式等离子体喷头进行移动，进而采用直写式或者掩膜式对石墨烯薄膜进行图形化加工本发明还涉及微等离子刻蚀加工方法。上述的微等离子体刻蚀加工装置可同时实现直写式及掩膜式，依工况选择直写式或者掩膜式，提高了效率及精度。
一种等离子体刻蚀加工装置方法

[发明专利]等离子体发生装置-CN200810009903.0无效
发明人：李相老;林盛实;金允焕;崔宇喆 -专利权人： SE等离子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体发生装置，该等离子体发生装置将下部电极的部分区域向下突出而形成等离子体排出口，并设置将下部电极下表面与外部隔开的外部壳体，从而对局部范围进行等离子体加工时能够防止被加工物的加工部位之外的部分受到损伤，而且在等离子体排出口与外部壳体之间形成副产物吸入口，从而可以有效去除进行等离子体加工时产生的副产物。根据本发明，由于下部电极所发生的热量被外部壳体阻断，因而可以防止被加工物表面受损；并且，通过使下部电极的一部分突出，可以防止等离子体在被加工物表面扩散；再有，由于在进行等离子体处理的一旁进行排气，可以及时去除进行等离子体处理时发生的副产物
等离子体发生装置

[发明专利]等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法-CN200810128905.1无效
发明人： M·W·柯赫尔鲍驰;J·E·道格赫缇 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C03C23/00 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体加工设备的部件和在等离子体加工设备中刻蚀半导体基材的方法。具体的，本发明提供了表面精加工等离子体加工设备部件的方法。所述的部件包括至少一个暴露到等离子体中的表面。所述的方法包括机械抛光、化学刻蚀和清洗暴露到等离子体中的表面，以便获得所希望的表面形态。部件的石英玻璃密封表面也可用所述的方法精加工。可将相同部件暴露到等离子体中的表面和密封表面精加工到彼此不同的表面形态。
等离子体加工设备部件刻蚀半导体基材方法

[发明专利]一种中、低频等离子体加工设备和电极板-CN201010197959.0有效
发明人：朱桂林 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种中、低频等离子体加工设备和电极板，涉及等离子体加工技术领域，为提高工艺过程中等离子体密度，并且适用于高温工艺环境而发明。本发明公开的中、低频等离子体加工设备，包括反应腔室、在反应腔室内部相对设置的上电极板和下电极板，所述上电极板为不锈钢板，所述上电极板与所述反应腔室内等离子体接触的表面设有涂层。本发明可用于等离子体加工技术中。
一种低频等离子体加工设备极板

[发明专利]集成电路加工设备的等离子体源总成-CN202011119104.6在审
发明人：梅志涛;冯翔;熊永力 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成电路加工设备的等离子体源总成，包含：等离子体出口组件，所述等离子体出口组件用于将等离子体进入反应腔体；所述等离子体出口组件包含出口板和至少二个出口，所述出口设置于所述出口板上。据此，等离子体从至少二个出口进入反应腔体，等离子体在反应腔体中的分布浓度更加均匀，从而能够进一步提升加工后轮廓尺寸的一致性。
集成电路加工设备等离子体总成

[发明专利]一种基于激光与等离子体的复合抛光方法-CN201811504867.5有效
发明人：刘锋;程佳瑞;箭旗琳;潘国顺;张臣 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光与等离子体的复合抛光方法，首先将待加工工件固定在抛光系统工作台上，然后通过激光抛光装置使激光光束汇聚至待加工工件表面形成激光束焦斑然后通过等离子体抛光装置产生常压等离子体束冲击待加工工件表面形成等离子体冲击区域；调节激光光束指向与等离子体冲击方向使激光束焦斑与等离子体冲击区域重叠，对待加工工件表面进行复合抛光；通过多轴移动平台，移动激光束焦斑‑等离子体冲击复合区域完成待加工工件整个表面的抛光。本发明利用等离子体在超快激光加工过程中对材料表面的改性和复合刻蚀作用，提高表面加工质量，解决超快激光表面加工质量不高的瓶颈问题，实现材料表面高质量、高效精细抛光。
等离子体冲击待加工工件等离子体复合抛光焦斑表面加工表面形成超快激光激光光束激光束激光常压等离子体等离子体抛光加工工件表面移动激光束多轴移动复合区域激光抛光精细抛光刻蚀作用抛光系统瓶颈问题区域重叠整个表面抛光改性指向复合汇聚

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201510555649.4无效
发明人：三田浩史;南云英一;斋藤诚 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：根据实施方式，成膜装置具备等离子体枪、检测部及控制部。等离子体枪能够喷出等离子体气体，而在照射等离子体气体的加工对象物上形成膜。检测部检测等离子体气体喷出方向上的等离子体气体中的温度或发光强度。控制部根据从检测部取得的温度或发光强度，以使温度处于第1温度以上且第2温度以下的范围的等离子体气体、或发光强度处于第1发光强度以上且第2发光强度以下的范围的等离子体气体照射到加工对象物的方式，控制加工对象物与等离子体枪的距离
装置以及方法