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[发明专利]电磁场控制等离子体的激光掩膜刻蚀方法以及系统-CN201911148004.3有效
发明人：刘锋;箭旗琳;程佳瑞;赵达哲;王耀宇;张臣 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供电磁场控制等离子体的激光掩膜刻蚀方法以及系统，激光掩膜刻蚀方法包括：步骤1.在工件与激光器的激光聚焦物镜之间放置掩膜版，该掩膜版不与工件接触、也不与激光聚焦物镜接触；并且，掩膜版上形成有与待加工微纳结构相对应的透光区域；步骤2.在掩膜版与工件之间施加垂直于工件表面的纵向电场，在激光与工件的作用区域施加平行于工件表面的横向磁场；步骤3.采用激光器发射激光快速扫描掩膜版，激光穿过透光区域辐照到工件表面，并依照透光区域的形状和尺寸对工件进行刻蚀加工形成微纳结构。本发明借助掩模透光区域对工件进行高精度刻蚀，同时通过施加电场与磁场，还能降低等离子体对加工精度的负面影响，进一步提高刻蚀精度。
电磁场控制等离子体激光刻蚀方法以及系统

[发明专利]集成电路互连线激光抛光工艺-CN201911156172.7在审
发明人：刘锋;程佳瑞;王耀宇;箭旗琳;刘胜;张臣 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路互连线激光抛光工艺，S1、用长脉冲激光辐照集成电路互连线表面使其熔化流平，冷却凝固后形成平坦化表面；S2、对于S1得到的平坦化表面，用大功率超快激光进行粗抛光；S3、对于S2得到的粗抛光表面，用小功率超快激光与等离子体复合进行精抛光。该抛光工艺抛光效率高、加工灵活、环境友好、缺陷低、表面质量高、应用范围广。
集成电路互连激光抛光工艺

[发明专利]一种基于激光与等离子体的复合抛光方法-CN201811504867.5有效
发明人：刘锋;程佳瑞;箭旗琳;潘国顺;张臣 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光与等离子体的复合抛光方法，首先将待加工工件固定在抛光系统工作台上，然后通过激光抛光装置使激光光束汇聚至待加工工件表面形成激光束焦斑然后通过等离子体抛光装置产生常压等离子体束冲击待加工工件表面形成等离子体冲击区域；调节激光光束指向与等离子体冲击方向使激光束焦斑与等离子体冲击区域重叠，对待加工工件表面进行复合抛光；通过多轴移动平台，移动激光束焦斑‑等离子体冲击复合区域完成待加工工件整个表面的抛光。本发明利用等离子体在超快激光加工过程中对材料表面的改性和复合刻蚀作用，提高表面加工质量，解决超快激光表面加工质量不高的瓶颈问题，实现材料表面高质量、高效精细抛光。
等离子体冲击待加工工件等离子体复合抛光焦斑表面加工表面形成超快激光激光光束激光束激光常压等离子体等离子体抛光加工工件表面移动激光束多轴移动复合区域激光抛光精细抛光刻蚀作用抛光系统瓶颈问题区域重叠整个表面抛光改性指向复合汇聚