“等离子体加工”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7022576个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种变温大气压等离子体产生装置-CN202210834196.9在审
发明人：石富坤;庄杰;朱凯 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种变温大气压等离子体产生装置，属于等离子体领域，包括等离子体用气源、等离子体产生部以及气体温度调节部，气体温度调节部包括涡流管，涡流管与等离子体用气源以及等离子体产生部连接，等离子体用气源向涡流管供气，涡流管调节气体温度使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，本申请的变温大气压等离子体产生装置通过气流的气压使涡流管调节气体温度，使等离子体产生部产生确定温度的等离子体，无需外部能量源进行加热或制冷，使变温大气压等离子体产生装置整体结构简单，并且能耗小，使变温大气压等离子体产生装置能够产生不同温度的等离子体，适用不同场合，增强变温大气压等离子体产生装置的适用性。
一种大气压等离子体产生装置

[发明专利]等离子体控制装置和等离子体处理系统-CN202211629767.1在审
发明人：陈厦东;高时永;金南均;李庆旼;林成龙;金成烈;沈承辅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
等离子体控制装置处理系统

[发明专利]等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法-CN200980138949.5有效
发明人：冲野晃俊;宫原秀一 -专利权人：冲野晃俊;宫原秀一
申请日： 2009-09-03 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法，其中，可形成室温以下，特别是零度以下的等离子体，并且在低温至高温的较宽的温度范围内，能够更正确地控制等离子体温度。该装置包括使等离子体用气体变为等离子体的等离子体产生部(40)；等离子体用气体温度控制部(30)，其控制供给等离子体产生部(40)的等离子体用气体的温度，控制等离子体用气体的温度，控制在等离子体产生部(40)中产生的等离子体的温度。
等离子体温度控制装置方法

[发明专利]微波驱动的等离子体离子源-CN202180027304.5在审
发明人： M·坦纳 -专利权人：托夫沃克股份公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将待电离样品电离成样品离子的微波驱动的等离子体离子源(1)，该微波驱动的等离子体离子源(1)包括用于将样品从微波驱动的等离子体离子源(1)的外部送入微波驱动的等离子体离子源(1)的内部(3)的样品入口(6)；用于生成微波以从等离子体气体(100)生成等离子体(101)的微波发生器(10)；提供等离子体炬的定向方向(29)的等离子体炬(20)具有内部(21)，用于容纳(2)由等离子体气体(100)生成等离子体(101)的过程以及通过将样品暴露于等离子体(101)而将样品电离成样品离子的过程，其中等离子体炬(20)包括炬出口(22)，其用于将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬的定向方向其用于将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬定向方向(29)从微波驱动的等离子体离子源(1)的内部(3)排放至微波驱动的等离子体离子源(1)的外部，屏蔽出口(5)具有屏蔽孔径。由此，屏蔽出口(5)与炬出口(22)流体耦合，以将等离子体(101)和样品离子基本上沿着等离子体炬的定向方向(29)从等离子体炬(20)的内部(21)排放至微波驱动的等离子体离子源(1)的外部，其中屏蔽孔径的尺寸小于炬孔径的尺寸的
微波驱动等离子体离子源

[发明专利]一种针对铝基碳化硅的CCP、激光辅助铣削装置-CN202310472582.2在审
发明人：王波;陈志高;谷东运;李铎;陈明君 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B23P25/00 文献下载
摘要：用于解决铝基碳化硅等硬脆零件的加工效率和质量问题，从而大大缩短加工周期，降低加工成本，以满足航天航空、电子、军事等领域的对该类零件需求。CCP等离子体发生装置和激光输出装置均安装在铣削主轴上，并确保等离子体反应环境与激光光斑位于待加工区域，在铣刀加工前将工件表面进行改性，射频电源与CCP等离子体发生装置进行连接，混合等离子体气源与CCP等离子体发生装置连接，激光源将激光传输到激光输出装置中。本发明采用CCP、激光辅助加工，改变被加工材料的表面性能，提高铣削效率与铣削质量，减少刀具损失，克服传统单一铣削方式中存在的加工周期长，表面质量差等缺点。
一种针对碳化硅 ccp 激光辅助铣削装置

[发明专利]一种用于增减材制造的一体化喷印装置-CN201710252260.1有效
发明人：黄永安;董必扬;叶冬;吴学洲 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： B29C64/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成等离子体射流技术的喷印装置，该装置包括喷头、高压电源、收集基板和进液筒。本发明利用高压电源产生喷印工艺电场需求和作为等离子体射流的激励源，并借助气体放电产生等离子体射流，可在同一装置上实现电流体喷印加工(增材加工)与等离子体刻蚀加工(减材加工)的联合应用，包括在加工过程中用等离子体对电喷印材料进行实时表面改性、电喷印沉积材料的烧结固化、同步进行增减材加工以实现复杂图案及多层结构的快速成型。本发明应用能带来加工效率、材料性能的提升，在MEMS加工制造及电流体喷印领域都具有广阔应用前景。
一种用于增减制造一体化装置

[发明专利]等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有等离子体处理装置用石英部件的等离子体处理装置-CN02818626.5有效
发明人：杉山智一;三枝秀仁;冈山信幸;饭室俊一;今福光祐;长山将之;三桥康至;中山博之;黄亚辉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-09-12 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
等离子体处理装置石英部件加工方法装有

[发明专利]清洗远程等离子体产生管的方法及处理衬底的设备和方法-CN200510074008.3无效
发明人：朴栽永;李丞镇;金荣敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种清洗远程等离子体产生管的方法和用于使用远程等离子体产生管处理衬底的设备和方法，包括将清洗气体提供到用于产生远程等离子体的远程等离子体产生管中，远程等离子体产生管被连接到用于使用远程等离子体处理衬底的处理室，由清洗气体形成清洗等离子体，以及使用清洗等离子体除去在远程等离子体产生管内形成的颗粒。
清洗远程等离子体产生方法处理衬底设备

[发明专利]一种具有隐身功能的增强型电小天线-CN202110625957.5有效
发明人：聂秋月;陈培奇;张仲麟;李维硕;艾昕;闫昌时;魏国强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本发明的一种具有隐身功能的增强型电小天线涉及一种可实现对探测波隐身和己方通讯信号增强的天线，目的是为了克服现有离子体隐身和增强装置中两套等离子体源同时工作时，由于相互之间可能存在干扰，等离子体参数的精准调控难度较大的问题，包括：外层等离子体罩是由外层等离子体所形成的球壳状等离子体罩，且外层等离子体罩中外层等离子体的密度和碰撞频率均匀分布；内层等离子体罩是由内层等离子体所形成的球壳状等离子体罩，且内层等离子体罩中内层等离子体的密度和碰撞频率均匀分布；内层等离子体罩设置在外层等离子体罩内部；电小偶极子天线为球形，该电小偶极子天线同心设置于内层等离子体罩内部，且电小偶极子天线与内层等离子体罩无间隙。
一种具有隐身功能增强型电小天线

[发明专利]原子态等离子体形成装置及其应用-CN201910189788.8在审
发明人：刘新宇;尤楠楠;王盛凯;白云 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子态等离子体形成装置及其应用。该装置包括：微波等离子体反应单元，用于通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球；气压控制单元，与微波等离子体反应单元连通，用于向微波等离子体反应单元中输送待激发气体；原子态控制单元，分别与微波等离子体反应单元以及气压控制单元连通，用于对等离子体火球产生气体扰动以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。该装置借助气体扰动，使等离子体维持在初期的原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控；并且，该装置若不启动气体扰动，在等离子体起辉后，反应腔内将维持分子态等离子的激发，从而实现分子态等离子和原子态等离子的调控激发
原子态等离子体微波等离子体反应单元分子态气体扰动等离子等离子体形成装置等离子体火球气压控制单元激发激发气体连通调控等离子体激发等离子体起辉微波能量耦合反应腔应用

[发明专利]一种优化等离子分布的半导体刻蚀用装置-CN202211120129.7有效
发明人：苏宜鹏;冼健威;李南杰 -专利权人：东莞市晟鼎精密仪器有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体微加工技术领域，公开了一种优化等离子分布的半导体刻蚀用装置，包括工艺腔体，所述工艺腔体上安装有离子扩散器，所述离子扩散器上安装有离子激励腔体，所述离子激励腔体上安装有阻抗匹配器，所述阻抗匹配器上安装有隔离器，所述隔离器上安装有微波发生器，所述工艺腔体上安装有射频匹配器，微波通过波导传输进入离子激励腔体内，在工艺气体配合下形成等离子体，等离子体通过离子扩散器进入到工艺腔体内，同时启动射频匹配器，射频偏压离子源产生等离子体，从而提高了工艺处理效率，可以有效降低了等离子体的诱导损伤射频偏压可提供等离子体的方向性，为等离子运动提供具有方向的动能，优化等离子体在工艺腔体内的分布。
一种优化等离子分布半导体刻蚀装置

[发明专利]高性能感应等离子体焰炬-CN201280015875.8有效
发明人： M.I.鲍洛斯;N.迪格纳德;A.奥格;J.朱雷维茨;S.特兰德 -专利权人：泰克纳等离子系统公司
申请日： 2012-02-02 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：一种感应等离子体焰炬，包括管状焰炬体；等离子体限制管，布置在管状焰炬体中，与管状焰炬体同轴；气体分配器头，布置在等离子体限制管的一端，并构造成将至少一种气体物质供应进等离子体限制管中；感应耦合构件，用于对气体物质施加能量，以在等离子体限制管中产生并维持等离子体；电容屏蔽层，包括被施加到等离子体限制管的外表面上或管状焰炬体的内表面上的传导材料薄膜。可在等离子体的外表面或管状焰炬体的内表面中机加工轴向沟槽，轴向沟槽插入轴向条之间。
性能感应等离子体

[发明专利]清洗和调理等离子体反应腔体的方法-CN00817448.2有效
发明人： B·C·理查德林;D·奥特卡 -专利权人：兰姆研究公司
申请日： 2000-12-08 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种清洗和调理等离子体反应腔体内表面的方法，在该腔体中加工例如硅晶片的基片。该方法包括例如通过湿洗或就地等离子体清洗的清洗腔体，将调理气体通入到腔体中，将调理气体激发成等离子体，在内表面上沉积一层聚合物层和加工基片。进行调理步骤可在腔体内没有例如晶片的基片，而且在加工晶片产品之前不用使调理晶片通过腔体而进行加工步骤。在用于蚀刻铝的等离子体反应腔体的情况下，调理气体能够包括含氟气体，含碳气体和含氯气体。
清洗调理等离子体反应方法

[发明专利]无窗电离装置-CN201280032020.6在审
发明人： J.E.库利;S.科萨里 -专利权人：安捷伦科技有限公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：种电离装置包括：配置成生成等离子体的等离子体源。等离子体包括光、等离子体离子和等离子体电子。等离子体源包括孔径，所述孔径布置成使得光的至少一部分穿过孔径并且入射在气体样本上。电离装置还包括电离区域；以及等离子体偏转装置，所述等离子体偏转装置包括配置成建立电场的多个电极，其中电场基本上防止等离子体离子进入电离区域。
电离装置

[发明专利]基于等离子体的扩展可控裂纹的激光切割装置及方法-CN201911404219.7在审
发明人：张臣;刘胜;王力恒;程佳瑞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：公开了一种基于等离子体的扩展可控裂纹的激光切割装置及方法，所述装置包括：多轴移动平台(9)；成像系统，用于获取多轴移动平台(9)上加工工件(14)表面图像；隐形切割装置，用于产生激光光束(15)，激光光束(15)汇聚至待加工工件(14)内部使隐形切割激光焦斑(13)处工件材料气化电离，形成等离子体，等离子体扩张并冲击材料形成裂纹；和一个或多个辅助激光装置，用于产生辅助激光光束(16)，辅助激光光束(16)焦斑汇聚至加工工件(14)内部等离子体与裂纹区域，加速等离子体膨胀，进一步冲击已形成的裂纹，使裂纹扩展。
基于等离子体扩展可控裂纹激光切割装置方法