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[发明专利]一种硼磷硅玻璃膜回流方法-CN200610116167.X有效
发明人：常建光;周永昌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-18 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C03C17/02 文献下载
摘要：一种硼磷硅玻璃膜(BPSG)回流方法，包括如下步骤：将沉积了硼磷硅玻璃膜的晶片装入炉管；通过干回流(Dry Reflow)软化硼磷硅玻璃膜；通过湿回流(Wet Reflow)填充硼磷硅玻璃膜中的空隙。本发明先采用干回流再采用湿回流工艺有效克服仅采用其中一种方法回流所产生的空洞或是非正常薄膜，并且可以有效缩短回流制程的时间，在较低的温度下实现硼磷硅玻璃膜回流。
一种硼磷硅玻璃回流方法

[发明专利]硼磷硅玻璃介电层及其制备方法、沉积设备及半导体器件-CN202211734989.X在审
发明人：李贤 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C23C16/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种硼磷硅玻璃介电层制备方法、沉积设备、硼磷硅玻璃介电层、半导体器件及电子设备，采用沉积设备利用化学气相沉积方式在晶圆表面形成硼磷硅玻璃薄膜，并且直接在形成硼磷硅玻璃膜的设备中直接进行高温加热干燥，显著提高介质层性能，在形成硼磷硅玻璃薄膜后无需额外的高温加热设备，避免引入热预算，有效节约设备成本，并且可以避免转运过程带来的污染风险等。向沉积设备中通入第一气体和第二气体保持第一设定时间，向沉积设备中通入干燥气流通过沉积设备的出气口带出硼磷硅玻璃薄膜表面的水分，并向沉积设备中通入四乙氧基硅烷和氧气，在硼磷硅玻璃薄膜表面进行USG的沉积。
硼磷硅玻璃介电层及其制备方法沉积设备半导体器件

[发明专利]沟槽型MOS晶体管制造方法-CN201310271012.3有效
发明人：吴亚贞;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：采用了两次形成硼磷硅玻璃的步骤，其中第一次形成硼磷硅玻璃封住了外围区保护环，之后去除有源区通孔中的硼磷硅玻璃，从而使得源漏极离子注入通孔变大，有利于提高注入质量，然后再次形成硼磷硅玻璃，完成了侧墙的形成
沟槽 mos 晶体管制造方法

[发明专利]形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层-CN202310100295.9在审
发明人：张琪;祁玉发;许捷;吴贤勇;刘峰松;高玉岐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成一硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行疏水处理；在所述硼磷硅玻璃层表面形成第二介质层，从而形成包括所述第一介质层、硼磷硅玻璃层、以及第二介质层的绝缘介质层。本申请在形成硼磷硅玻璃层后进行了疏水处理，解决形成第二介质层后析出硼、磷产生鼓泡的问题，改善后续钨栓形貌异常的缺陷。
形成绝缘介质方法以及

[发明专利]一种微系统薄膜平坦化方法-CN202210411851.X在审
发明人：周国安;罗大杰 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微系统薄膜平坦化方法，其中微系统薄膜平坦化方法包括：在图形化薄膜上沉积硼磷硅玻璃层；然后，对硼磷硅玻璃层进行快速热退火和退火处理；最后，抛光退火处理后的硼磷硅玻璃层，至硼磷硅玻璃层达到预设厚度通过退火处理可有效的使硼磷硅玻璃回流，降低阶梯差；同时，使掺杂的硼(B)和磷(P)可以在不同的界面得到修复，形成均匀的浓度；在进行抛光处理时，由于牺牲层的稳定性更高，阶梯差更小，就可提高抛光速度降低抛光量
一种系统薄膜平坦方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510831622.3有效
发明人：董碧云;李志国;黄冲;王铁渠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有多个分立的栅极结构、位于栅极结构顶部表面的保护层和位于栅极结构和保护层侧壁的侧墙；在半导体衬底上形成覆盖侧墙和保护层的掺杂硼磷硅玻璃层，掺杂硼磷硅玻璃层的整个表面高于保护层的顶部表面；测量掺杂硼磷硅玻璃层的厚度为第一厚度；设定目标厚度，目标厚度大于第一厚度；根据目标厚度和第一厚度的差值计算得到第二厚度；根据第二厚度的数值在掺杂硼磷硅玻璃层的表面形成非掺杂硅玻璃层；形成贯穿非掺杂硅玻璃层和掺杂硼磷硅玻璃层厚度且位于相邻的栅极结构之间的自对准接触孔
半导体器件形成方法

[发明专利]层间介电层平坦化制造方法-CN98116851.5有效
发明人：罗吉进;李弘名 -专利权人：世大积体电路股份有限公司
申请日： 1998-08-04 - 公布日： 1999-12-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层
层间介电层平坦制造方法

[发明专利]沟槽型MOS晶体管的制造方法-CN201410098577.0无效
发明人：吴亚贞;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在本发明提供的沟槽型MOS晶体管的制造方法中，在形成有源区通孔和外围区保护环之后进行两次硼磷硅玻璃填充，在第一次形成硼磷硅玻璃之后通过湿法刻蚀工艺将有源区通孔内的硼磷硅玻璃完全去除，同时保留外围区保护环内的部分硼磷硅玻璃
沟槽 mos 晶体管制造方法

[发明专利]纵向高压深槽半导体管的制备方法-CN200910185330.1无效
发明人：易扬波;李海松;王钦;刘侠;陶平 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种纵向高压硼扩散深槽半导体管的制备方法，该器件的漂移区是P型半导体区和N型半导体区交替排列的形式，漂移区中的P型半导体是通过深槽刻蚀工艺后，向深槽内填充硼磷硅玻璃，然后经过将表面的硼磷硅玻璃刻蚀除去，接着经过退火工艺使硼磷硅玻璃中的硼杂质和磷杂质扩散到深槽侧壁及底部的硅中，由于硼磷硅玻璃中的硼杂质含量远远高于磷杂质含量，因此，使得深槽侧壁及底部的这部分半导体区域变为P型掺杂半导体区。
纵向高压半导体制备方法

[发明专利]一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法-CN201810187224.6在审
发明人：陈邦明;王本艳;景蔚亮;黄添益 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，其属于晶体管领域的技术，包括：硼磷硅玻璃层，所述硼磷硅玻璃层设置于所述外延层上方；所述阱区内依次设有漏极、栅极、源极和衬底极；所述栅极包括：第一导片，所述第一导片设置于所述硼磷硅玻璃层上表面；第一导柱，所述第一导柱穿设于所述硼磷硅玻璃层中；多晶硅体，所述多晶硅体横截面为V字形，所述多晶硅体的尖端嵌设于所述外延层中；所述第一导柱两端分别与所述第一导片和所述多晶硅体相连
硼磷硅玻璃层多晶硅体第一导柱导片场效应晶体管氧化物半导体外延层导电沟道漏电流上表面晶体管衬底穿设功耗加长漏极嵌设源极生产成本制造

[发明专利]局部硅氧化隔离结构的制备方法-CN200710093953.7有效
发明人：王乐;周晓君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种局部硅氧化隔离结构的制备方法，其在现有标准的LOCOS工艺流程后，在硅表面接着热生长另一层氧化硅和硼磷硅玻璃，并对硼磷硅玻璃进行热回流处理，而后湿法刻蚀上述硼磷硅玻璃和氧化硅层，形成一平坦的硅表面
局部氧化隔离结构制备方法

[发明专利]硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件及电子装置-CN201410325956.9在审
发明人：李立春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及一种硼磷硅玻璃介电层的制备方法、半导体器件以及电子装置。所述方法包括预沉积步骤和主沉积步骤，其中，所述预沉积步骤中磷源的流量小于所述主沉积步骤中磷源的流量，以降低制备得到的硼磷硅玻璃介电层中磷的含量。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种新的硼磷硅玻璃介电层沉积方法，所述方法包括预沉积和主沉积两个步骤，其中在所述预沉积步骤中通过降低所述TEB和TEPO气体的流量，以及同时控制该预沉积步骤的沉积时间，来避免在所述预沉积步骤中磷的浓度过大的问题，同时还可以使硼和磷的浓度更加均一，从而消除所述硼磷硅玻璃介电层在后续形成接触孔的步骤中孔洞的出现以及桥连现象的发生。
硼磷硅玻璃介电层制备方法半导体器件电子装置

[发明专利]一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构及其制造方法-CN201210162931.2在审
发明人：汪洋;康军;王立斌;马占锋 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能保护硼磷硅玻璃层的半导体结构及其制造方法，在硅衬底上形成介电层、形成并刻蚀金属层以后，在半导体结构的划片区域上开设一个保护槽，使其位于半导体结构的芯片区域与划片槽之间，并且与所述芯片区域及划片槽分别有一定的间隔距离；所述保护槽还将从所述芯片区域延伸到划片区域的所述硼磷硅玻璃层和第一氧化物层都切断并延伸到所述硅衬底的顶面，由于将介电层中的硼磷硅玻璃层分为了两个部分，能够有效消减划片时的应力。并且，由于在保护槽内覆盖钝化层以后进一步形成了阻隔，因此能够保护芯片区域的硼磷硅玻璃层不被后段工艺中使用的HF等化学物质侵蚀，提高半导体结构的可靠性。
一种保护硼磷硅玻璃半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种热电堆传感器的制造方法-CN202110841789.3在审
发明人：薛维佳;王辉;卢友林 -专利权人：无锡莱斯能特科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造热电堆传感器的工艺方法，包括在基底的正面利用刻蚀法形成用于制作空腔的槽，并在槽的底部形成孔，槽的深度决定了密封空腔深度，利用硼磷硅玻璃填充槽，并且在硼磷硅玻璃表面形成一层特殊薄膜层，然后在平坦化后的表面制作支撑层，通过高温退火工艺让特殊膜层与支撑层之间形成空隙并分离，同时高温退火使硼磷硅玻璃具有流动性，用于填充槽底部的孔，使得硼磷硅玻璃整体向下流动，从而在支撑层下方形成具有一定深度的密封空腔体
一种热电传感器制造方法

[发明专利]一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管-CN201610331067.2有效
发明人：李理;马万里;赵圣哲;姜春亮 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其中快恢复二极管的制造方法包括：提供一衬底，在衬底的表面上形成N型区域层，在N型区域层上形成P型区域层，在P型区域层上形成铂结构，在衬底的底面形成用于吸收铂的硼磷硅玻璃，对P型区域层上形成的铂结构进行加热处理，去除P型区域层上残留的铂以及衬底的底面形成的硼磷硅玻璃，在去除残留的铂后的P型区域层上形成第一电极，并在去除硼磷硅玻璃后的衬底的底面形成第二电极。本发明快恢复二极管的制造方法，在扩铂的同时使用硼磷硅玻璃对铂进行吸收，能在保证N型区域内铂浓度不变的情况下，减少衬底区的铂浓度，进而减少器件反向恢复时间，降低器件正向压降。
一种恢复二极管制造方法

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