“吴贤勇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]SIC MOSFET器件的制备方法-CN202111336567.2有效
发明人：季益静;吴贤勇;刘峰松 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种SIC MOSFET器件的制备方法，包括步骤：提供SIC基底，于SIC基底上形成若干间隔设置的第一导电类型的阱区、第一导电类型的第一有源区和第二导电类型的第二有源区；于位于阱区之间的基底表面或基底内形成栅氧化层、栅导电层，形成覆盖栅导电层的栅介质层；形成第一有源区金属层和第二有源区金属层；对第一有源区金属层和第二有源区金属层进行不同温度的退火以分别形成第一欧姆接触和第二欧姆接触。本发明在制备SIC MOSET器件的过程中，对N型区金属层和P型区金属层退火时采取不同的退火温度，使得N型和P型区各自可在不同的最优退火温度进行退火，从而使P型欧姆接触区和N型欧姆接触区均可得到最优的接触电阻率，有助于提高器件性能。
sic mosfet 器件制备方法

[发明专利]形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层-CN202310100295.9在审
发明人：张琪;祁玉发;许捷;吴贤勇;刘峰松;高玉岐 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种形成绝缘介质层的方法以及绝缘介质层。所述方法包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成一硼磷硅玻璃层；对所述硼磷硅玻璃层进行疏水处理；在所述硼磷硅玻璃层表面形成第二介质层，从而形成包括所述第一介质层、硼磷硅玻璃层、以及第二介质层的绝缘介质层。本申请在形成硼磷硅玻璃层后进行了疏水处理，解决形成第二介质层后析出硼、磷产生鼓泡的问题，改善后续钨栓形貌异常的缺陷。
形成绝缘介质方法以及

[实用新型]半导体器件-CN202222758930.6有效
发明人：龚罗炜;周尧尧;姜剑光;刘峰松;吴贤勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，应用于半导体器件技术领域，包括：第一连接孔(4)、第二连接孔(5)、第一金属层(6)和第二金属层(7)；第一连接孔(4)的上端与第一金属层(6)的下端连接，第一金属层(6)的上端与第二连接孔(5)的下端连接，第二连接孔(5)的下端与第二金属层(7)的下端连接；第一连接孔(4)的上端在第一金属层(6)的下端的投影区域，与第二连接孔(5)的下端在第一金属层(6)的上端的投影区域不完全重合。通过第一连接孔(4)与第二连接孔(5)在第一金属层(6)上的投影不重合，削减半导体器件中的应力，避免半导体器件的膜层中间出现裂纹，导致的半导体器件无法导通的问题，提高半导体器件的性能。
半导体器件

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211577808.7在审
发明人： 吴贤勇;季益静 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底之上；外延层内具有至少两个阱区，各阱区之间设有结型场效应晶体管区；栅极结构，栅极结构位于外延层之上，各阱区位于栅极结构的两侧；栅极结构内形成有第一通孔，第一通孔暴露出结型场效应晶体管区的表面，第一通孔将栅极结构分隔为第一栅极结构以及第二栅极结构；欧姆接触金属，分别位于栅极结构的两侧；肖特基接触金属，肖特基接触金属位于第一通孔内，与结型场效应晶体管区接触设置，肖特基接触金属的两侧分别与第一栅极结构以及第二栅极结构接触设置。本结构能够在降低反向导通电压的同时避免增加SiC MOSFET的正向导通电阻。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺-CN202211327309.2在审
发明人：许捷;祁玉发;时家淳;段亦锋;徐飞;高鹏程;刘峰松;吴贤勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺。其中的晶圆清洗花篮相向的两块载板上设置有彼此对称的装载区域，装载区域包括至少两个垂直于固定板的卡条，卡条之间设置有若干个供酸洗液通过的矩形孔，卡条的内壁设置有用于放置晶圆的卡槽，当晶圆清洗花篮的开口竖直向上放置时，靠近装载区域的水平中心线的卡槽深度小于远离水平中心线的卡槽深度，下方的矩形孔尺寸不小于上方的矩形孔尺寸，且矩形孔的上下边缘由卡槽边缘构成。通过对晶圆清洗花篮的形貌改进，能够减少晶圆边缘与卡槽的接触面积，保证晶圆背面各处的酸液流动速度相同，进而保证各处的蚀刻速度相同，避免边缘发黑，提升晶圆的美观程度，保证产品质量。
清洗花篮酸洗工艺背面

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202210823509.0在审
发明人： 吴贤勇;季益静;张文亚 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；衬底的表面形成有外延层；形成初始沟槽；初始沟槽位于外延层内；形成保护介质层；保护介质层位于初始沟槽的底部及外延层远离衬底的表面，并暴露出初始沟槽的顶部拐角及侧壁；对初始沟槽的顶部拐角及侧壁进行修复处理，以得到目标沟槽。本申请提供的半导体结构的制备方法，能够准确地定义出修复处理的工艺窗口，还可以防止在对初始沟槽进行修复处理的过程中，初始沟槽的底部及外延层远离衬底的表面出现凹坑；并且，顶部拐角也能够被修复处理，从而形成比较圆滑的形貌。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]晶圆的减薄方法-CN202210651965.1在审
发明人：祁玉发;许捷;姜剑光;时家淳;高鹏程;段亦峰;刘峰松;吴贤勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的减薄方法，晶圆具有相对设置的正面和背面，减薄方法包括：将耐酸性膜贴设于晶圆的正面；其中，耐酸性膜完全覆盖晶圆的正面；对晶圆的背面进行研磨减薄，直至晶圆的厚度达到目标厚度；利用刻蚀液对晶圆的背面进行平坦化处理。可避免在对背面进行平坦化处理的过程中刻蚀液渗透至晶圆的正面而腐蚀晶圆的正面，也能有效避免影响后续在晶圆的正面进行的蒸发、制作电极等加工工艺，也能避免因晶圆的正面被刻蚀液腐蚀而导致出现半导体器件失效的情况。
方法

[发明专利]碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法-CN202210179553.2在审
发明人：贺艺舒;季益静;吴贤勇 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅沟槽的刻蚀方法及碳化硅器件的制备方法，刻蚀方法包括：于碳化硅衬底上形成第一介质层；于第一介质层上形成第二介质层；于第二介质层上形成光刻胶图形；基于光刻胶图形刻蚀第二介质层，刻蚀停止在第一介质层表面，以形成窗口；去除光刻胶图形，通过窗口湿法刻蚀第一介质层，以去除窗口中的第一介质层，湿法刻蚀同时去除窗口侧壁的粗糙结构以降低窗口侧壁的粗糙度；以第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀碳化硅衬底以形成沟槽；去除第一介质层和第二介质层并对沟槽进行损伤修复处理。本发明可以有效降低碳化硅沟槽的表面粗糙度，提升碳化硅器件的沟槽栅氧层质量，大大地降低沟槽粗糙度对沟道载流子迁移率的影响。
碳化硅沟槽刻蚀方法器件制备

[发明专利]碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用-CN202111451571.3在审
发明人：季益静;吴贤勇;贺艺舒 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用，在碳化硅基底层的一侧形成第一掩膜层，进行第一次注入形成阱区，其中，碳化硅基底层为第一导电类型，阱区为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型的导电类型相反，第一掩膜层的厚度为0.1μm～10μm；向阱区进行第二次注入第一导电类型的材料，形成第一源区，其中，注入时与法线的角度为10°～70°。上述碳化硅半导体器件制备方法通过调整掩膜层厚度及注入角度的方法形成所需宽度短沟道，掩膜层的厚度以及注入角度的控制均可以通过设备的工艺参数精确控制，即所需沟道长度可以通过调节工艺参数实现可控，可以提高制备所需沟道碳化硅半导体器件的可控性以及稳定性。
碳化硅半导体器件制备方法及其应用

[发明专利]混合PiN结肖特基二极管及其P型欧姆接触的制备方法-CN202110976642.5在审
发明人：季益静;吴贤勇;刘峰松 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种混合PiN结肖特基二极管及其P型欧姆接触的制备方法，该制备方法包括：提供叠层结构，由下向上依次包括N+衬底层及N‑外延层，N‑外延层包括有源区，有源区形成有至少一个P+离子注入区；于叠层结构表面沉积防护掩膜层；采用光刻刻蚀工艺刻蚀防护掩膜层，形成至少一个刻蚀窗口，刻蚀窗口仅显露与其对应的P+离子注入区；于上述结构的表面沉积金属层并对该金属层进行欧姆接触退火；去除防护掩膜层及防护掩膜层上的金属层。通过形成图形化防护掩膜层，在欧姆接触退火过程中，其可有效防止金属层熔融侧向流动至P+离子注入区之外的区域，所以不需要额外制备大面积的P+离子注入区，从而不需要牺牲正向导通面积；且工艺简单便于控制。
混合 pin 结肖特基二极管及其欧姆接触制备方法

[发明专利]利用有机胶粘剂连接两片式硅微型话筒的方法-CN200410025634.9无效
发明人：夏钟福;吴贤勇;沈绍群;王丽;李军 -专利权人：同济大学;复旦大学;深圳市豪恩电声科技有限公司
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2005-03-16 - 主分类号： H04R31/00 文献下载
摘要：本发明为一种利用有机胶粘剂连接两片式硅微型话筒的方法，具体是选择低聚合度、低交联度和具有合适熔融温区的固态有机胶粘剂，采用真空热蒸发技术在话筒的背极片，振膜片的设计接触区域沉积胶粘剂，再通过两片套准工艺，在受控温度下热压胶粘实现两片连接。本发明方法可使粘结工艺与驻极体工艺兼容，并可避免胶粘剂在振膜片的振膜区或者背极片的气孔内沉积，因而不影响器件的灵敏度及频响特性。此外，还可实现含有大量话筒结构单元的硅片的整片胶结，具有产业化前景。
利用有机胶粘剂连接两片式硅微型话筒方法

1
共 11 条