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- [发明专利]硅通孔深孔填充工艺-CN201310750385.9有效
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侯珏
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北京北方华创微电子装备有限公司
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2013-12-31
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2020-04-28
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H01L21/768
- 本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺，用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，工作步骤如下：步骤A1，向磁控溅射设备中通入工艺气体；步骤A2，用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积；步骤A3，用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积，重复步骤A2和A3，直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀，且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺，工艺设计简单合理，通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积，提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率，可以完美的支持后续的电镀工艺，提高产能。
- 硅通孔深孔填充工艺
- [发明专利]一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法-CN201510138166.4有效
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方孺牛;缪旻;金玉丰
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北京大学
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2015-03-26
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2017-10-10
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H01L23/52
- 本发明公开了一种包含硅通孔的半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括衬底，信号通孔和地通孔，其中衬底为P型背景掺杂；所述通孔是由多晶硅填充的通孔；所述信号通孔为N型掺杂；所述地通孔为P型掺杂。本方法为1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)在衬底第一表面上粘附一干膜层，图形化干膜层，使干膜层在一部分深孔上形成开口；3)向干膜层上有开口的深孔填充掺杂第一导电类型杂质的多晶硅，去掉干膜；4)向剩余深孔中填充掺杂第二导电类型杂质的多晶硅对于高速/高频系统，采用该结构将不需要对原先硅通孔布局布线和版图进行调整，即能获得信号完整性和电源完整性的提升。同时本发明具有工艺简单，成本低，效果好的优势。
- 一种包含硅通孔半导体结构及其制造方法
- [发明专利]一种形成穿透硅通孔的方法-CN201110123312.8无效
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宋崇申
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中国科学院微电子研究所
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2011-05-13
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2011-10-05
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H01L21/768
- 本发明公开了一种形成穿透硅通孔的方法，属于半导体制造、微电子封装和三维集成技术领域。所述方法包括在硅衬底正面刻蚀环形槽的步骤；对所述环形槽进行热氧化处理的步骤；在所述硅衬底正面制作电互连层的步骤；从所述硅衬底背面减薄所述硅衬底的步骤；刻蚀所述被氧化硅层封闭的环形槽内部的硅衬底，使其被全部移除，在所述环形槽内侧形成深孔的步骤；向所述深孔中填充导电材料，形成穿透硅通孔的步骤。使用本发明提供的方法能够获得同时使用高质量厚氧化硅层、金属作为侧壁隔离和导电填充材料的穿透硅通孔，提高穿透硅通孔的可靠性和电学性能。
- 一种形成穿透硅通孔方法
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