|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 3900133个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]形成自对准金属硅化物的方法-CN02146882.6无效
-
张财福;朱世麟;叶清本
-
旺宏电子股份有限公司
-
2002-10-18
-
2004-04-21
-
H01L21/3205
- 本发明公开了一种在半导体装置上形成自对准金属硅化物的方法，包含下列步骤：提供一基底；在基底上形成第一介电层；在第一介电层上沉积一复晶硅层以形成至少一复晶硅栅极结构；在复晶硅栅极结构与基底上沉积一顺应性介电层；沉积第二介电层于该顺应性介电层上；去除一部分第二介电层以露出栅极结构的顶部表面；沉积一金属层于露出的栅极结构表面以及第二介电层上；将该基底进行退火以在栅极结构上形成金属硅化物层；以及去除至少一部份该金属层通过在基底上沉积适当厚度的第二介电层，然后再进行沉积金属层，由于其它的主动区均预先被第二介电层覆盖，因此所沉积的金属层不会与任何扩散区接触，因此避免了自对准金属硅化物的桥接问题。
- 形成对准金属硅方法
- [发明专利]制作半导体器件的方法-CN201010251352.6无效
-
张力群
-
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
-
2010-08-10
-
2012-03-14
-
H01L21/336
- 本发明提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底的表面形成多晶硅层；在多晶硅层的表面形成掩膜层；图案化掩膜层和多晶硅层，以形成多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极表面的阻挡层，并在多晶硅栅极的两侧制作侧墙；在多晶硅栅极的两侧掺杂形成源极和漏极；在衬底的表面和阻挡层的表面形成自对准多晶硅化物层；在自对准多晶硅化物层的表面和侧墙的表面形成层间介电层；用化学机械研磨方法去除层间介电层至多晶硅栅极；去除多晶硅栅极形成容纳金属栅极的沟槽根据本发明的方法，使得不同多晶硅栅极的刻蚀速度基本相同，这样保证了刻蚀效果，从而确保了后续形成的金属栅极的质量。
- 制作半导体器件方法
- [发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法-CN01110053.2无效
-
倪慎如
-
立生半导体股份有限公司
-
2001-03-26
-
2002-10-30
-
H01L21/336
- 一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法,此方法是在磊晶层上形成栅极介电层、多晶硅栅极层与顶盖层之后,在磊晶层中形成井区与源极区,其后将氮气阳离子植入于磊晶层的表面,使磊晶层的氧化速率减缓,接着,再进行热氧化制造工艺,以使多晶硅栅极层的侧壁氧化而形成氧化间隙壁。最后,在基底上形成介电层,并进行自动对准接触窗开口制造工艺,以在介电层中形成裸露出源极的接触窗开口,然后,再于接触窗开口与介电层的表面上形成金属层,以电性连接源极区。
- 功率金属氧化物半导体场效应晶体管制造方法
|
