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[实用新型]半导体装置-CN202320349941.0有效
发明人：戴呈祐;王琳松;萧茹雄;郑宗期;杨松鑫;吴宗璟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：揭示在鳍状物高度不增加或晶片面积不增大的情况下电容增大的半导体装置。形成多个槽跨越(多个)鳍状物的宽度以使与栅极端的重叠表面积增大，特别地，槽的长度小于或等于鳍状物宽度。亦描述形成此种有凹槽的鳍状物及半导体电容器装置的方法。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、生成半导体装置布局的方法与非暂态计算机可读媒体-CN201711268385.X有效
发明人：陈郁仁;李文熙;王琳松;黄一珊;洪展羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：主动区域，其排列在与第一方向平行的第一栅格中；及栅电极，其间隔排列在第二栅格中且覆盖对应的一主动区域，第二栅格与第二方向平行，第二方向与第一方向正交。第一缝隙散布在相邻的主动区域之间。于对应栅电极横跨对应主动区域及栅电极未功能地连接至对应主动区域的天桥交叉点，栅电极大体上未延伸超过对应主动区域且因此大体上未延伸至对应缝隙中。生成半导体装置布局的方法与生成半导体装置布局的非暂态计算机可读媒体亦在此揭露。
半导体装置生成布局方法非暂态计算机可读媒体

[发明专利]半导体结构及产生半导体装置的布局图的方法-CN201810468626.3有效
发明人：陈郁仁;王琳松;黄一珊;洪展羽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体结构，包括：第一和第二主动区域，第一和第二主动区域设置于沿着一第一方向取向的一第一栅格中；以及多个栅极电极，栅极电极间隔布置于一第二栅格中，并位于对应的第一和第二主动区域上，第二栅格沿着一第二方向取向，第二方向实质上垂直于第一方向；其中：第一和第二主动区域相对于第二方向被一间隙所分开；各栅极电极包括一第一段和一栅极延伸；各栅极延伸相对于第二方向延伸超过对应的主动区域，并以高度HEXT进入间隙，其中HEXT≤(≈150nm)；以及各栅极延伸相对于由第一和第二方向所界定的一平面为实质上矩形。在一实施例中，高度HEXT为HEXT≤(≈100nm)。
半导体结构产生装置布局方法

[发明专利]半导体元件结构及其制造方法-CN201710978729.X有效
发明人：洪展羽;王琳松;陈郁仁;黄一珊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供具有缩小的栅极端宽度的栅极结构的半导体元件结构及其制造方法。在一例子中，半导体元件结构包含数个栅极结构形成在数个鳍状结构上。栅极结构实质上垂直鳍状结构。栅极结构包含具有第一栅极端宽度的第一栅极结构以及具有第二栅极端宽度的第二栅极结构。其中，第二栅极端宽度小于第一栅极端宽度。
半导体元件结构及其制造方法

[发明专利]半导体电路结构和半导体结构-CN202110336169.4在审
发明人：萧茹雄;卢颕新;苏庆煌;苏斌嘉;王琳松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供根据一些实施例的半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一电路区域和第二电路区域；有源区域，从半导体衬底延伸并且由隔离部件围绕；第一晶体管，包括形成在有源区域上并且设置在第一电路区域中的第一栅极堆叠件，第一栅极堆叠件具有小于参考节距的第一栅极节距；以及第二晶体管，包括形成在有源区域上并且设置在第二电路区域中的第二栅极堆叠件，第二栅极堆叠件具有大于参考节距的第二节距。第二晶体管是高频晶体管，并且第一晶体管是逻辑晶体管。本发明的实施例还涉及半导体电路结构。
半导体电路结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011351772.1在审
发明人：萧茹雄;苏庆煌;苏斌嘉;卢颕新;王琳松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括：形成位于半导体区上方的伪栅极堆叠件；去除伪栅极堆叠件，以在栅极间隔件之间形成沟槽；形成延伸至沟槽中的替换栅极电介质；形成位于替换栅极电介质上的替换栅极电极。形成替换栅极电极包括沉积含金属层。沉积含金属层包括沉积具有第一平均粒度的下层；沉积位于下层上方的上层。下层和上层通过相同材料形成，并且上层具有大于第一平均粒度的第二平均粒径粒度。形成位于替换栅极电极的相对侧上的源极和漏极区。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种φ36～40mm HRB500E螺纹钢筋的生产方法-CN201810805084.4有效
发明人： 王琳松;张新建;常进;陈黔湘;周奇荣;高长益;刘欣;练昌;李正嵩;张东升;陈海英;叶雅妮;丁云江 -专利权人：首钢水城钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种φ36～40mm HRB500E螺纹钢筋的生产方法，其包括：将铁水，废钢以及渣料加入转炉冶炼后，挡渣出钢，并将钢水脱氧合金化；在LF精炼炉中精炼后连铸，所得钢坯轧制后，得到φ36～40mm HRB500E螺纹钢筋；其中，所述成品钢水的成分为：以重量百分比计，C：0.22～0.25％,Si：0.60～0.70％，Mn+Cr：1.50～1.60％，P：≤0.045％，S：≤0.045％，V：0.11～0.13％，余量为铁及不可避免的杂质。本发明方法中，通过对生产流程步骤、温度等条件参数，以及钢筋中N、V等元素含量等因素的调整和控制，能够得到具有高力学性能和高稳定性的成品钢筋。
一种 36 40 mm hrb500e 螺纹钢筋生产方法

[发明专利]半导体器件的结构及其制造方法-CN201410325343.5有效
发明人：萧茹雄;王琳松;黄智睦;赵志刚;蒋振劼 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括衬底，以及形成在衬底中的源极区和漏极区。该半导体器件还包括形成在源极区和漏极区之间的衬底的凹槽中的杂质扩散停止层，其中，杂质扩散停止层覆盖凹槽的底部和侧壁。该半导体器件还包括形成在杂质扩散停止层上方和凹槽中的沟道层，以及形成在沟道层上方的栅极堆叠件。杂质扩散停止层基本防止了衬底和源极区与漏极区中的杂质扩散到沟道层中。本发明还涉及半导体器件的结构及其制造方法。
半导体器件结构及其制造方法

[发明专利]具有V形区域的半导体器件-CN201310099962.2有效
发明人：陈昭雄;王琳松;林其谚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本文提供了一种具有V形区域的半导体器件或晶体管以及用于形成半导体器件的方法。半导体器件包括一个或多个v形凹槽，其中生长诸如硅锗的应变单晶半导体材料以形成半导体器件的源极和漏极中的至少一个。一个或多个v形凹槽原位被蚀刻进衬底。当半导体器件的第一部分(例如，第一晶体管)和半导体器件的第二部分(例如，第二晶体管)之间的多晶硅间距小于约60nm时，半导体器件包括高度‑长度比至少超过1.6的源极和漏极中的至少一个。
具有区域半导体器件

[发明专利]在掩模制备期间修改掺杂区域设计布局以调节器件性能的方法和系统-CN201210175273.0有效
发明人：林渼璇;王琳松;林志勋;赵志刚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明提供了用于在掩模制备期间修改掺杂区域设计布局以调节器件性能的方法和系统。示例性方法包括：接收被设计为限定集成电路的集成电路设计布局，其中，集成电路设计布局包括掺杂部件布局；标识用于器件性能修改的集成电路的区域；以及在掩模制备工艺期间修改掺杂部件布局中对应于集成电路的标识区域的部分，从而提供修改的掺杂部件布局。
制备期间修改掺杂区域设计布局调节器件性能方法系统

[发明专利]金属-氧化物-金属电容器结构-CN201210196065.9有效
发明人：黄俊杰;王琳松;林其谚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-06-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明公开一种金属-氧化物-金属电容器，其包括第一电极、第二电极、多个第一指状物和多个第二指状物。每个第一指状物和与其相应的第二指状物互相平行并且通过低k电介质材料分隔开。采用保护环包围金属-氧化物-金属电容器以防止潮湿渗透进低k电介质材料。本发明还提供了一种金属-氧化物-金属电容器结构。
金属氧化物电容器结构

[发明专利]源极和漏极凹槽的氮钝化-CN201210040862.8有效
发明人：柯家洋;黄靖谦;邱盈翰;王琳松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路器件和用于制造该集成电路器件的方法。在一种实施例中，该方法包括：提供衬底；在衬底上方形成栅极结构；去除部分衬底以在衬底中形成第一凹槽和第二凹槽，以使栅极结构介于第一凹槽和第二凹槽之间；在衬底中形成氮钝化层，以使第一凹槽和第二凹槽被所述衬底的氮钝化表面限定；以及在第一凹槽和第二凹槽的氮钝化表面的上方形成掺杂的源极和漏极部件，该掺杂的源极和漏极部件填充第一凹槽和第二凹槽。本发明还提供了一种源极和漏极凹槽的氮钝化。
凹槽钝化

[发明专利]具有自加热结构的半导体器件、其制造方法和测试方法-CN201110422533.5有效
发明人：柯家洋;邱盈翰;王琳松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了具有自加热结构的半导体器件、其制造方法以及测试方法。在一个实施例中，半导体器件包括工件；有源电结构，被设置在该工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为与该有源电结构相邻。
具有加热结构半导体器件制造方法测试

[发明专利]带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极-CN201110343934.1有效
发明人：黄靖谦;邱盈翰;王琳松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种多晶硅栅极结构包括衬底、设置在衬底上方的二氧化硅层、设置在二氧化硅层上方的氮掺杂的高-k介电层以及设置在氮掺杂的高-k介电层上方的多晶硅栅极。本发明还公开了一种带有氮掺杂的高-K电介质和二氧化硅的多晶硅栅极。
带有掺杂电介质二氧化硅多晶栅极

[发明专利]一种弱化水冷强化风冷的高碳盘条的控制冷却方法-CN201110282134.3有效
发明人：周德;王立峰;张槐祥;王琳松;周德光;杨茂麟;孔祥涛;李正嵩;孙诚;魏福龙;程四华;丁宁;张慧峰 -专利权人：首钢总公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： B21B37/74 文献下载
摘要：一种弱化水冷强化风冷的高碳盘条的控制冷却方法，属于轧钢技术领域。工艺包括加热→粗轧→中轧→预水冷→终轧→穿水冷却→吐丝→风冷→集卷→打捆包装；控制的技术参数为：吐丝温度由860±20℃提高到了900±20℃，盘条在穿水过程中的冷速由43±5℃/s降低到了23±5℃/s；将风冷线上盘条的冷速由7.5±5℃/s提高到了17.4±5℃/s；盘条从精轧出口到相变最低点的时间由38±5s降低到了28±5s，有利于抑制Fe3C的析出及晶粒的回复长大；盘条下线第二天的面缩由16.5％提高到了25.6％，面缩到30％的时间由20天下缩短到了4天，大规格高碳盘条用户在使用前基本上不用时效。优点在于，提高了盘条下线时的面缩，缩短了时效时间。
一种弱化水冷强化风冷高碳盘条控制冷却方法

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