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[发明专利]一种在硅上形成锗器件的方法-CN202210536945.X在审
发明人：李加;陈维;林子瑛 -专利权人：浙江兴芯半导体有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅上形成锗器件的方法，其包括对锗供体晶圆的正面进行氢离子注入以在锗供体晶圆中形成氢注入层以及锗转移层，使锗转移层面对硅目标晶圆的正面进行初次键合，剥离所述氢注入层以形成锗硅混合晶圆，对锗硅混合晶圆进行退火以完成锗转移层和硅目标晶圆的最终键合
一种形成器件方法

[实用新型]晶圆及半导体器件-CN201920996909.5有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本公开是关于一种晶圆及半导体器件，所述晶圆包括晶圆本体和止裂硅通孔，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；止裂硅通孔设于所述切割道的侧部，所述止裂硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。
硅通孔切割道止裂保护材料晶圆本体晶圆填充切割半导体器件有效利用率晶圆切割两侧设置晶粒区有效地减小微缩种晶

[发明专利]堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法-CN200910206678.4有效
发明人：陈明发;陈承先;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明是有关于一种堆叠集成电路半导体晶粒的形成方法，是在集成电路晶粒或晶圆上形成穿硅介层窗(through-silicon vias；TSVs)，其中穿硅介层窗形成在金属化制程前的整合制程中。可制造具有增加的高宽比的穿硅介层窗，而更深入地延伸在晶圆基板中。此方法大致上可降低在晶圆背面研磨制程中过度薄化晶圆基板的风险，其中此晶圆背面研磨制程一般是用来露出及产生穿硅介层窗的电性连接。藉由提供更深的穿硅介层窗与接合垫，个别晶圆与晶粒可直接结合在穿硅介层窗与另一个晶圆上的接合垫之间。
堆叠集成电路半导体晶粒形成方法

[实用新型]一种晶圆加工用激光隐切装置-CN202122434230.7有效
发明人：锁珍 -专利权人：苏州八术激光技术有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆加工用激光隐切装置，包括箱体，所述箱体顶部固定设有防护罩，所述防护罩内腔顶部固定设有液压杆，所述液压杆一侧通过调节组件固定连接有激光切割装置，所述液压杆底端固定设有缓冲组件，所述缓冲组件底部通过转轴连接有压板，通过设置旋转机构，旋转机构可以带动切割台旋转，进而可以带动切割台顶部放置的硅晶圆旋转，硅晶圆旋转的同时激光切割装置可以对硅晶圆四周进行切割，通过设置液压杆，液压杆可以控制压板升降，压板可以在不影响硅晶圆旋转的同时对需要切割的硅晶圆进行夹持固定，可以避免硅晶圆切割过程中晃动，切割工艺简单，加工效率高。
一种晶圆加工用激光装置

[发明专利]一种基于机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法-CN202110624638.2在审
发明人：黄建;江海波;鄢真真;雷仁方;钟玉杰;李睿智 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及光电探测器制备技术领域，特别涉及一种机械研磨辅助腐蚀的黑硅制作方法，制备方法包括对硅晶圆进行清洗；以含有金刚砂的减薄垫和含有SiO2磨料的研磨液辅助，采用机械研磨工艺对硅晶圆表面进行预处理，在硅晶圆表面产生粗糙表面与微损伤；对硅晶圆表面进行清洗；采用包括硝酸、氢氟酸、磷酸以及硫酸的混合液以湿法腐蚀的工艺在硅晶圆表面制备出黑硅微结构；对硅晶圆进行清洗，完成黑硅制备；本发明采用机械研磨形成微损伤与粗糙表面辅助湿法腐蚀制备黑硅，具有近红外吸收效果好，暗电流低，工艺简单，均匀性好，便于批量生产，成本低，与硅光电器件工艺兼容性好等优点。
一种基于机械研磨辅助腐蚀制作方法

[发明专利]SOI和体硅混合晶圆结构及其制备方法-CN201610092270.9在审
发明人：李冰 -专利权人：上海硅通半导体技术有限公司
申请日： 2016-02-03 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了SOI和体硅混合晶圆的结构和制备方法，以绝缘体上硅(SOI)晶圆为衬底，制备SOI结构与体硅结构共存的混合晶圆，以作为光路电路单片集成芯片的衬底。SOI结构和体硅结构并存的混合晶圆，其特征在于，混合晶圆由SOI结构部分和体硅部分混合组成；绝缘体上硅部分包括顶硅层、埋氧层和硅衬底，体硅部分为单晶硅结构；SOI区域为光路区域，体硅区域为电路区域。制备方法包括在起始SOI晶圆上依靠光刻和刻蚀产生制备体硅区域的窗口，通过常规外延的方法生长体硅区域，再通过平坦化工艺去除不需要的多晶硅使表面平整；制备方法其特征还在于在SOI区域和体硅区域间隔离的选择、
soi 混合结构及其制备方法

[发明专利]硅基液晶面板及其制备方法-CN202110349791.9在审
发明人：黄国龙;徐荣 -专利权人：深圳晶微峰光电科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基液晶面板的制备方法，包括：提供晶圆级制造的晶圆基板，该晶圆基板包括多个具有有源电路的管芯区域；在晶圆基板上形成框胶并以透明基板压合，实现液晶空间的封装；以较厚尺寸的硅基底在各管芯区域制造贯穿硅基底的过孔及第二表面的导电接口，使有源电路通过过孔和导电接口电连接至晶圆基板背面；切割晶圆基板与透明基板，得到多个硅基液晶面板。该技术方案的集成电路制造、液晶空间封装和电路封装都在晶圆级制程下进行，尤其是电路封装在晶圆级制程下进行，提高了生产效率和降低了生产成本。本发明还提供了该制备方法制备的硅基液晶面板，具有较厚的硅基底，硅基底背面设有导电接口，具有较小的面积尺寸和更好的光学平整度。
液晶面板及其制备方法

[发明专利]晶圆的制造方法-CN200480023198.X无效
发明人：小林武史 -专利权人：信越半导体股份有限公司
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种晶圆的制造方法，至少包含以下的步骤，BMD形成步骤，对硅晶锭状态的硅单结晶进行处理，在内部形成内部微小的缺陷(BMD；Bulk MicroDefect)；以及晶圆加工步骤，将形成有内部微小缺陷(BMD)的硅晶锭加工成晶圆。藉此，可以提供一种晶圆的制造方法，可以缩短在制造晶圆时为了赋予IG(本体内吸气；Intrinsic Gettering)能力的热处理、以及能够大量地生产高IG能力的晶圆。而且，亦可以具有对加工后的晶圆进行热处理的热处理步骤，或是在晶圆上形成磊晶层的磊晶成长步骤，藉此，可以提升具有优良吸气效果的退火晶圆或磊晶晶圆的生产力。
制造方法

[发明专利]一种多传感器组合结构及其加工方法、组合传感器-CN202210483866.7在审
发明人：焦斌斌;刘瑞文;云世昌;孔延梅;叶雨欣;杜向斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：该加工方法包括提供一个单晶硅晶圆，在单晶硅晶圆上形成深腔，在深腔所在的一侧表面形成第一绝缘层；提供一个SOI晶圆，在SOI晶圆的顶硅层形成四个压敏电阻条以用于形成压敏式压力传感器结构；使四个压敏电阻条和深腔对应，将SOI晶圆的顶硅层和单晶硅晶圆的第一绝缘层键合，深腔被封闭并处于预设压力值；将SOI晶圆的衬底层进行减薄，减薄后，在SOI晶圆衬底层的与压敏电阻条对应的区域进行深硅刻蚀和金属沉积图形化以形成与四个压敏电阻条电连接的第一引线接口；在SOI晶圆的第一区域获得梳齿结构和第一硅悬梁结构，第二区域获得第二硅悬梁结构。
一种传感器组合结构及其加工方法

[发明专利]一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法-CN201710703101.9有效
发明人：凤瑞 -专利权人：北方电子研究院安徽有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，在晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体，在敏感结构腔体内加工出电极结构；采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A上的硅电极层上；去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；将硅帽键合到晶圆片B上的敏感结构上；从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层，采用溅射的方式加工出金属焊盘，形成MEMS裸芯片；采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽；芯片倒置，将硅帽固定到陶瓷管壳腔体底面，再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接
晶圆片敏感结构硅电极陶瓷管壳倒置硅衬底键合加工二氧化硅隔离层封装结构焊盘区域金属焊盘硅帽去除装配电信号连接应力释放槽电极结构封装工艺盖板密封键合工艺金属引线刻蚀工艺腔体底面电极层裸芯片溅射可伐刻蚀锚点腔体深槽引脚制作封装合金背面体内芯片暴露

[发明专利]沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆-CN202211070341.7在审
发明人：左月;陆金 -专利权人：上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种沟槽式器件晶圆的制备方法及沟槽式器件晶圆，应用于半导体制造技术领域，包括：步骤1：在晶圆的背面形成晶背沟槽，晶背沟槽与晶圆的正面沟槽的结构相同；步骤2：在晶圆的正面沟槽和晶背沟槽中淀积多晶硅，使多晶硅在晶圆的正面和反面形成相反方向的应力；步骤3：通过背面磨片工艺去除背面沟槽。通过在晶圆背面刻蚀形成沟槽；向沟槽进行多晶硅填充并结晶，该结晶硅在硅片正面和反面形成相反方向的应力；通过减薄工艺去除背面图形，过程简单，成本较低，重复性好。
沟槽器件制备方法

[发明专利]一种3D NAND晶圆切割工艺-CN202310041476.9在审
发明人：张力;李子悦;何洪文 -专利权人：合肥沛顿存储科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种3D NAND晶圆切割工艺，涉及晶圆切割技术领域；包括如下步骤：取待加工的晶圆，晶圆背面为硅衬底，晶圆正面为电路层；晶圆正面设置有若干切割道用于晶粒分离；将玻璃载板1粘贴在晶圆正面的电路层上；对晶圆硅衬底进行减薄处理；在玻璃载板2上面事先承压一层粘接膜，将硅衬底压合到粘接膜上面；去除玻璃载板1；使用光刻工艺在晶圆表面涂光阻、曝光、显影。本发明针对工艺流程进行创新，使用湿法和干法蚀刻技术来实现超厚表面电路层的晶圆切割；由于有载板做支撑，理论上可以将晶圆厚度减薄到极限，例如硅衬底厚度降低到10um；比现有常规晶圆研磨减薄工艺最小30um极限厚度要更薄
一种 nand 切割工艺

[发明专利]玻璃晶圆激光标识的制作方法-CN201610253578.7在审
发明人：任霄峰;董磊;范兰兰;徐永青 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃晶圆激光标识的制作方法，涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备技术领域。所述方法包括如下步骤：将玻璃晶圆放置于硅材料的表面并紧密贴合在一起，使玻璃晶圆上待打标位置位于硅材料之上；使用激光束按照设定的参数透过玻璃晶圆照射在玻璃晶圆与硅材料的界面处，界面处的硅材料在激光束的作用下发生烧蚀及升华，升华后的硅材料在与硅材料贴合的玻璃晶圆上形成激光标识。所述方法以易于实现激光打标的硅材料为承载物，通过标识转移，实现玻璃晶圆激光标识的制备，具有工艺简单、速度快、成本低、品质高的特点。
玻璃激光标识制作方法

[发明专利]一种硅晶圆洗剂的制备设备-CN202211629477.7在审
发明人：郑明伟;王国辉 -专利权人：江苏芯诺半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅晶圆洗剂加工领域，具体公开了一种硅晶圆洗剂的制备设备，所述硅晶圆洗剂的制备设备包括硅晶圆洗剂制备设备主体和加热蛇形管，所述硅晶圆洗剂制备设备主体的外板设置有限位组件，所述限位圆形壳的两侧顶部开设有透气管所述限位圆形壳的顶部设置有防护组件，有益效果为：通过限位组件和防护组件，有利于操作人员能够较为便捷的拆装更换加热蛇形管较为省力，并且储存容器、伸缩杆、限位底块、硅胶头和限位块，有利于操作人员能够根据现场需求，较为便捷的对硅晶圆洗剂原料进行控量，同时伸缩外板、限位内板和宽板，有利于操作人员能够将需制备的物品和硅晶圆洗剂原料进行暂存。
一种硅晶圆洗剂制备设备

[发明专利]表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法-CN201110111020.2有效
发明人：张仓生;郭宗裕 -专利权人：昆山东日半导体有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面形成玻璃层的硅晶圆及其制造方法，其中，硅晶圆包括硅晶圆和玻璃层，其中玻璃层为钝化层，其特征在于，所述的硅晶圆表面用于晶粒切割的区域形成图案化的沟槽，所述的玻璃层设置在沟槽内，且所述的玻璃层的中间厚度比外侧厚度薄，而其制造方法包括下列步骤：提供硅晶圆；涂布玻璃溶液于沟槽内；进行第一干燥处理；涂布玻璃溶液于第一干燥层上；进行第二干燥处理；将第一干燥层和第二干燥层进行烧结处理。本发明使得硅晶圆沟槽内的玻璃层中间厚度较外侧厚度薄，并利用玻璃层厚度分布的差异，使得在切割硅晶圆的过程中，可降低玻璃层边缘破裂的可能性。
表面形成玻璃硅晶圆及其制造方法