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[发明专利]对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置-CN201910132739.0在审
发明人：高木聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的方法和装置。提供一种能够在单晶硅或单晶锗或单晶硅锗上大致完全地对非晶质的硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的技术。具备如下工序：第1工序，在该第1工序中，准备具有单晶硅或单晶锗或单晶硅锗作为被处理面的被处理体；第2工序，在该第2工序中，使卤元素吸附于被处理体的被处理面；第3工序，在该第3工序中，向被处理体供给用于对硅膜或锗膜或硅锗膜进行成膜的原料气体，在被处理体的被处理面上对非晶质硅膜或非晶质锗膜或非晶质硅锗膜进行成膜。
锗膜成膜被处理体硅锗膜硅膜单晶硅方法和装置单晶硅锗单晶锗非晶质非晶质硅膜被处理面非晶质硅原料气体卤元素吸附

[发明专利]半导体衬底和包括其的半导体器件-CN201610037286.X有效
发明人：梁炆承;崔恩惠;金善政;李承勋;李炫姃 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小，并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
半导体衬底包括半导体器件

[发明专利]嵌入在MOS器件中的锗阻挡件-CN201410376999.X有效
发明人：郭紫微;李昆穆;宋学昌;李启弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一硅锗区位于开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区的上方，其中，第二硅锗区的第二锗百分比大于第一锗百分比。第三硅锗区位于第二硅锗区的上方，其中，第三硅锗区的第三锗百分比小于第二锗百分比。本发明还提供了一种形成集成电路结构的方法。
嵌入 mos 器件中的阻挡

[发明专利]改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法-CN201010027233.2有效
发明人：刘继全;季伟 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面形貌的方法，在形成有STI区域和有源区的硅片上进行锗硅或锗硅碳外延生长，外延生长过程中通入一定量的卤化氢气体，降低锗硅或锗硅碳在STI区域的生长速率，使锗硅或锗硅碳单晶与多晶交界面向
改善锗硅碳单晶多晶界面形貌方法

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置-CN201510443534.6有效
发明人：邓浩;肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-24 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上交替形成多个硅层和锗层；执行固相外延再生长退火工艺以使所述硅层和锗层转变为硅锗层；形成被隔离结构分隔的多个硅锗鳍片本发明提出的半导体器件的制作方法，硅锗层中的锗浓度可根据需要通过控制硅层和锗层的厚度来实现，即，可以容易获得各种锗浓度的硅锗层，非常好控制硅锗鳍中的锗掺杂浓度。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]用作磷光材料的主体材料-CN201210543903.5有效
发明人：曾礼昌;A·B·黛特金;G·考塔斯;夏传军;D·Z·李 -专利权人：通用显示公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C07F7/10 文献下载
摘要：记载了新的芳基硅和芳基锗主体材料。这些化合物当用作OLED的发射层中的主体时改进OLED器件性能。
用作磷光材料主体

[发明专利]一种半导体结构的制备方法-CN202211043321.0在审
发明人：韩冲;李士普;彭宇飞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成锗硅层；利用三甲基铝溶液对所述锗硅层进行至少一次钝化工艺；对所述锗硅层进行退火工艺。本发明采用三甲基铝溶液对具有锗硅层进行三甲基铝钝化处理，使所述锗硅层表面形成含有大量Al‑O键的钝化层，并在所述钝化层与所述锗硅层的交界处形成锗凝聚，最后通过退火工艺使凝聚的锗离子均匀地扩散至所述锗硅层中，提高所述锗硅层中的锗离子浓度，并借助退火工艺中提供的能量形成形态良好的锗硅晶体结构，进而为提供界面陷阱密度较低且载流子迁移率较大的所述锗硅层，以提升半导体器件的性能。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]调节MOS器件中的锗百分比-CN201310594148.8在审
发明人：郭紫微;李昆穆;宋学昌;李啟弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及调节MOS器件中的锗百分比的技术。本发明的集成电路结构包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件，以及延伸到半导体衬底内的开口，其中开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区域设置在开口中，其中，第一硅锗区域具有第一锗百分比。第二硅锗区域覆盖第一硅锗区域，其中，第二硅锗区域具有大于第一锗百分比的第二锗百分比。金属硅化物区域位于第二硅锗区域上方并与第二硅锗区域接触。
调节 mos 器件中的百分比

[发明专利]一种碳量子点增强的光电探测器及其制备方法-CN201611109564.4在审
发明人：庄爱芹 -专利权人：庄爱芹
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器及其制备方法，该硅化锗/锡化锗光电探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、锡化锗层、硅化锗层及碳量子点层，所述的光电探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在硅化锗层上。其制备方法如下先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积锡化锗层；然后将硅化锗沉积至锡化锗层上；在硅化锗层上制备碳量子点层；最后在硅化锗层及导电镀膜层上分别制作电极，获得光电探测器。本发明的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器利用碳量子点引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的硅化锗/锡化锗光电探测器。
一种量子增强光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111454488.1在审
发明人：孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;杜勇;苗渊浩;苏佳乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括基底，基底上方形成有组分渐变的硅锗虚拟衬底层，硅锗虚拟衬底层上方形成有第一硅锗限制层，第一硅锗限制层上形成有硅量子阱层，硅量子阱层上形成有第二硅锗限制层，第二硅锗限制层上形成有帽层。通过在形成组分渐变的硅锗虚拟衬底层的过程中，调节组分渐变的硅锗过度程度和生长温度，能够调控应变大小，实现通过硅锗虚拟衬底层的优化，有效减少穿透位错的向上延伸，形成可限制载流子的结构；再在硅锗虚拟衬底层上方依次形成第一硅锗限制层、硅量子阱层和第二硅锗限制层，使最终形成的半导体结构为包含高迁移率二维电子气的异质结结构，能够在硅量子阱层中制备出更多数量的量子位元。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种锗纳米线叠层结构的制作方法-CN201310741585.8有效
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的硅组分被选择性氧化为二氧化硅，同时使锗硅层中的锗组分析出到锗层中；利用氢氟酸进行选择性刻蚀，将二氧化硅溶解，获得锗纳米线叠层结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。
一种纳米线叠层结构制作方法

[发明专利]一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法-CN202211411194.5在审
发明人：骆瑞琦;马蔚;刘楠;刘冠东;王乔 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压控制的宽光谱锗硅探测器及其控制方法，所述锗硅探测器包括自下而上依次设有的半导体衬底、P型重掺杂硅层、I型非掺杂本征硅层、N型重掺杂硅层、非掺杂本征锗层、P型重掺杂锗层，所述P型重掺杂硅层上设有与P型重掺杂硅层相连的金属接触电极一，所述P型重掺杂锗层上设有与P型重掺杂锗层相连的金属接触电极二，所述锗硅探测器在器件有源区形成PINIP型整体掺杂结构。将宽光谱光源垂直入射锗硅探测器根据入射波长光源不同被锗材料或硅材料吸收光子，通过控制锗硅探测器外部施加电压选择硅‑PIN光电探测器结构或者锗‑PIN光电探测器结构来实现电压控制的宽光谱探测，拓宽锗硅探测器应用领域
一种电压控制光谱探测器及其方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202210396022.9在审
发明人：李俊;刘轶群 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成硅锗层与硅层交替层叠的层叠结构，其中每层硅锗层中锗的浓度从硅锗层的底部到顶部先降低再升高；侧向刻蚀去除边缘的部分硅锗层以在剩余硅锗层两侧形成空洞；在空洞内填充绝缘材料形成侧墙；形成源/漏极在层叠结构的两侧；去除硅锗层。在刻蚀形成空洞时，由于硅锗层中底部与顶部的锗的浓度高，刻蚀量较大，在硅锗层中间位置处锗的浓度低，刻蚀量较小，在形貌上实现硅锗层整体向内刻蚀，减小空洞的尖角圆化现象，后续形成侧墙时能够避免裂缝的产生，从而在最后去除硅锗层时不会对源
半导体器件及其制作方法

[发明专利]硅锗外延层的形成方法-CN201010566044.2有效
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种硅锗外延层的形成方法，包括：提供形成有栅极的硅衬底；在位于所述栅极两侧衬底内形成开口；对所述开口进行第一退火工艺；在所述开口内形成硅锗外延层；至少分两步形成所述硅锗外延层，且至少有一步形成硅锗外延层后进行退火工艺本发明首先形成在衬底内的开口进行退火，并在所述开口内形成硅锗外延层，至少分两步形成所述硅锗外延层，且至少有一步形成硅锗外延层后进行退火工艺，可以去除在生长硅锗外延层环境引入的杂质或水分，以改善后续的硅锗外延层生长环境以解决硅锗外延层内的空隙，避免因空隙释放应力，使得所述硅锗外延层不能提供PMOS晶体管所需要的压应力。
外延形成方法

[发明专利]具有减少的面的外延区的MOS器件-CN201410281768.0有效
发明人：宋学昌;郭紫微;李昆穆;李资良;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一硅锗区设置在开口中，其中，第一硅锗区具有第一锗百分比。第二硅锗区位于第一硅锗区上方。第二硅锗区包括位于开口中的一部分。第二硅锗区具有大于第一锗百分比的第二锗百分比。基本上不含锗的硅帽位于第二硅锗区上方。本发明也提供了具有减少的面的外延区的MOS器件。
具有减少外延 mos 器件