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[实用新型]一种石英舟及镀膜炉管-CN202320947795.1有效
发明人：郎芳;王子谦;王红芳;马红娜;张磊;潘明翠;翟金叶;赵学玲;王平;孟庆超;张文辉;赵亮;李献朋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英舟及镀膜炉管，属于太阳能电池技术领域，包括舟托、多个石英挡板、多个石英隔板组、介质入口和介质出口；多个石英挡板均固定安装于舟托的上端，石英隔板组包括多个间隔平行布置的石英隔板，石英隔板与对应的石英挡板的侧面固定连接，且相邻的两个石英隔板之间形成安装槽；石英挡板和石英隔板内均设有中空腔，介质入口和介质出口分别与各石英挡板中的中空腔相连通，低温介质自介质入口进入到各石英挡板和各石英隔板内的中空腔内，并在硅片周围形成低温环境。本实用新型提供的石英舟，低温介质借助介质入口进入到石英隔板和石英挡板上的中空腔，并对硅片进行降温，避免硅片出现绕镀现象。
一种石英镀膜炉管

[发明专利]N型电池硼硅玻璃清洗方法-CN202310841571.7在审
发明人：马红娜;史金超;赵学玲;王子谦;郎芳;王红芳;王平;翟金叶;潘明翠;孟庆超;宾鹏帅 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型电池硼硅玻璃清洗方法及，属于太阳能电池技术领域，所述方法包括：将鹏扩散后的硅片正面朝下放置于载板上；将载板及硅片放入等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟离子的气体，将硅片背面及边缘的硼硅玻璃刻蚀干净；将经等离子刻蚀机刻蚀后的硅片及载板放入槽式酸洗设备，对硅片背面及边缘进行抛光处理。本发明采用等离子去除的方法，将硼扩散后的硅片正面朝下平放到载板上，然后将载板置于等离子刻蚀机内，等离子刻蚀机激发含氟的气体产生氟粒子，氟离子即可将硅片背面机边缘的硼硅玻璃刻蚀干净，该方式既能有效去除硅片背面及边缘绕扩的硼硅玻璃，又能避免硼扩后的正面受到破坏，能够保证电池的EL测试性能及外观质量。
电池玻璃清洗方法

[发明专利]一种具有长期缓释作用的双层壁材微囊的制备方法-CN202310762304.0在审
发明人：李强;王翔;赵学玲;龚显峰 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： A01N25/28 文献下载
摘要：一种具有长期缓释作用的双层壁材微囊的制备方法，本发明涉及农药及药物制剂技术领域，涉及一种具有长期缓释作用的双层壁材微囊的制备方法。本发明为了解决目前囊材包覆效果差，无法达到药物微囊长期的持续释放的技术问题。方法：制备囊芯混悬液；制备内层壁材溶液；制备单层微囊溶液；制备双层微囊溶液；过滤，干燥后过筛。本发明通过对药物晶体粒子的包覆，可以达到控制药物释放的速度，最大持续释放时间可达到40天以上，该技术可以大大减少施药周期，减少使用者劳动成本。本发明用于制备具有长期缓释作用的双层壁材微囊。
一种具有长期作用双层壁材微囊制备方法

[发明专利]一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法-CN202310606741.3在审
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;郞芳;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;史金超;刘莹;尚琪;田思;李英叶;程立威;于全庆 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层，在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层；在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层；对上掺杂多晶硅层进行激光热处理，形成激光损伤层；将硅片放置于碱性药液中，对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒；对激光损伤层进行化学清洗；对硅片进行钝化减反膜沉积，在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，提升了电池钝化效果，降低受光面的金属接触复合，简化了制备工艺步骤。
一种复合双面钝化接触太阳能电池制备方法

[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法-CN202310479512.X在审
发明人：潘明翠;马红娜;赵学玲;翟金叶;李英叶;王红芳;郎芳;孟庆超;史金超;夏新中 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种TOPCon电池及其制备方法。将硅片双面抛光后，在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，然后依次进行磷扩散、去除正面绕镀、制背面掩膜、制绒、硼扩散、去除背面掩膜后，在硅片正面生长氧化铝层，再在硅片的正面和背面生长氮化硅层，印刷烧结，得TOPCon电池；硼扩散的温度为850‑950℃，时间为2400s‑4500s。本发明提供的TOPCon电池的制备方法，通过改变硼扩散工序的顺序，以及在硅片背面制掩膜后进行制绒和硼扩散的工艺，有效降低了清洗绕镀层的难度，降低了清洗绕镀层的时间和清洗化学品的消耗量，显著提高了TOPCon电池的生产效率，有效降低了生产成本，减少了清洗废液的产生。
一种 topcon 电池及其制备方法

[发明专利]一种SE-TOPCon电池方块电阻测试方法-CN202310284974.6在审
发明人：马红娜;史金超;王平;王子谦;赵学玲;郎芳;潘明翠;王红芳;翟金叶;孟庆超;张文辉;赵亮 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种SE‑TOPCon电池方块电阻测试方法，具体是将同一片硅片平均分成两部分，上部分用激光掺杂，可选择全打，也可选择图案化的部分打，下半部分不掺杂。退火后测试同一片硅片，上半部分全打而下半部分不打的方案，可以同时测试出重掺区和轻掺区；上部分图案化的部分打方案，可以用不同激光工艺进行掺杂，退火后可以同时测试轻掺区和不同激光掺杂退火后的重掺区方阻。本发明提成了一种简单的监控N型SE‑TOPCon电池选择性硼掺杂重掺杂区和轻掺区方块电阻的方法，同时能够简化调试激光掺杂工艺方块电阻的测试。
一种 se topcon 电池方块电阻测试方法

[发明专利]一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法-CN202310130113.2在审
发明人：马红娜;史金超;张文辉;王平;孟庆超;王子谦;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;赵亮 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法。所述方法包括如下步骤：S1、提供硅衬底，将所述硅衬底置于工艺腔室内；S2、向所述工艺腔室内通入第一氧化气体，通过PECVD在硅衬底表面制得隧穿氧化层；S3、向所述工艺腔室内通入硅烷，在所述隧穿氧化层上沉积非晶硅层，制得隧穿氧化钝化层；S4、向所述工艺腔室内依次通入第二氧化气体和含氟气体，降温，完成隧穿氧化钝化层的制备。本发明创造性地将石墨舟清洗步骤与镀膜工艺结合，通过严格控制气体流量，有效避免陶瓷管沉积多晶硅后石墨片正负极提前导通的情况发生，提高了石墨舟的使用稳定性，同时大大缩短了工艺流程时间。
一种氧化钝化制备方法 topcon 电池

[发明专利]一种SE电池的选择性制绒方法-CN202310103241.8在审
发明人：郎芳;王子谦;王红芳;潘明翠;马红娜;赵学玲;翟金叶;王平;张文辉;张磊;张伟;赵亮;李献朋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（保定）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种SE电池的选择性制绒方法。本发明提供的SE电池的选择性制绒方法，在制绒之前对硅片的重掺杂区进行激光刻蚀，改变重掺杂区的晶粒取向，从而使得硅片接触区和非接触区的晶粒取向不同，进而使得在相同的制绒条件下，接触区和非接触区制绒后表面存在差异，非接触区形成完整有序排列的金字塔形貌，金字塔绒面致密，有利于陷光，对提高电池短路电流有积极作用；接触区部分形成抛光面+制绒面的混绒结构，增大了与电池正面金属浆料的接触性，电池的填充因子得到了显著提高，进而有效提高了电池的转化效率，且整个工艺操作简单，制绒效率高，具有较高的推广应用价值。
一种 se 电池选择性方法

[发明专利]一种氧化硅制备方法-CN202211423328.5在审
发明人：马红娜;史金超;张文辉;王子谦;王平;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;赵亮;徐卓 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种氧化硅制备方法，包括对清洗后硅片按步骤S1～步骤S14进行隧穿氧化硅层的制备，然后进行掺杂多晶硅层制备；其中，步骤S1～步骤S14为：承载清洗后硅片载片舟进入工艺腔室；抽真空，并升温，温度200℃～300℃；氮气吹扫；抽真空；通入惰性气体，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫；抽真空；通入氧化气体，气体流量50sccm～200sccm，时长10s～100s；抽真空；氮气吹扫；通入氢气，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫。本发明提出的方法，优了化PECVD法制备氧化硅工艺，能够保证生长隧穿氧化硅层前硅片表面的洁净，能钝化氧化硅中的悬挂键，得到优质的隧穿氧化硅层。
一种氧化制备方法

[发明专利]晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法-CN202211413561.5在审
发明人：翟金叶;王红芳;潘明翠;郎芳;赵学玲;王平;王子谦;张文辉;徐卓;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源（中国）有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。
太阳能电池制备过程中防绕扩方法

[发明专利]一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法-CN202211090939.2在审
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郞芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤；N型硅片双面制绒、背光面抛光；背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层；在背光面设置多个预设区域，并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层，在预设区域上制备贯穿硅片的通孔；在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层；对硅片实行硼扩散工艺处理；对硅片化学清洗；在硅片双面沉积钝化减反层；在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线；烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，简化了生产工艺步骤，降低了生产成本。
一种遮光钝化接触 mwt 电池制备方法

[发明专利]一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池-CN202210744789.6有效
发明人：王子谦;孟庆超;翟金叶;张伟;郎芳;徐卓;王红芳;马红娜;赵学玲;潘明翠;王平;张文辉;吝占胜;张雷;吴萌萌;王钰蕾;张任远;张莉沫;李英叶;张丽娜;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。
一种太阳能电池制备方法

[实用新型]一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室-CN202222368955.5有效
发明人：马红娜;李锋;史金超;张文辉;王子谦;王平;赵学玲;翟金叶;郎芳;潘明翠;王红芳;徐卓 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，属于太阳能电池技术领域。本实用新型提供的一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，包括工作室以及吹扫清洁组件，工作室的内腔中设置有靶材、运输轨道以及载片舟，载片舟用于承载硅片，载片舟在运输轨道上进行传送，靶材位于运输轨道的正下方；吹扫清洁组件包括吹扫管路以及抽真空管路，吹扫管路设置在靶材的上方，吹扫管路通入高压气体，高压气体击碎掉落的硅片，抽真空管路设置在工作室内腔，抽真空管路将击碎的硅片碎片抽出。本实用新型提供的一种隧穿氧化钝化接触电池掺杂多晶硅层制备工艺腔室，可有效清除掉落在靶材上的硅片，避免影响后续生产。
一种氧化钝化接触电池掺杂多晶制备工艺

[发明专利]一种硅片单面刻蚀抛光的方法-CN202011065493.9有效
发明人：汤欢;郎芳;马红娜;郭宝军;赵学玲;张伟;李锋;史金超;闫英丽;李青娟;闫兰;王子谦;张雷;潘明翠;田思;唐磊;王新建;吴翠姑;刘莹;李英叶 -专利权人：英利能源（中国）有限公司;河北省凤凰谷零碳发展研究院
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明具体公开一种硅片单面刻蚀抛光的方法。所述方法包括：将硅片下表面浸泡在混酸溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2‑4μm，所述混酸溶液为体积比1:3‑5:1.5‑2的氢氟酸溶液、硝酸溶液和硫酸溶液的混合溶液；然后再浸泡到碱溶液和抛光添加剂的混合溶液中进行刻蚀抛光，刻蚀深度为2.5‑4μm；然后再经碱洗、水洗、酸洗、水洗、干燥。本发明提供的酸体系一次刻蚀抛光和碱体系二次刻蚀抛光相结合的工艺，不但可最大限度地保护硅片正面的硼硅玻璃层，还能提高硅片背面的平整度，减少硅片背面的表面缺陷密度，从而有利于提高LPCVD制备的隧穿氧化层和多晶硅层的均匀度和致密度，进而提高电池的转换效率，且工艺简单，可控性强。
一种硅片单面刻蚀抛光方法

[发明专利]MWT太阳能电池的制备方法-CN202210923601.4在审
发明人：翟金叶;王子谦;王红芳;郎芳;潘明翠;马红娜;赵学玲;王平;徐卓;李锋;史金超 -专利权人：英利能源发展有限公司;英利能源发展（天津）有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，属于光伏电池的制备技术领域，包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层；在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层；利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔；利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽；采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理；将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电，并随着时间延长和测试次数增加，漏电逐渐增大，最终电池衰减速度快，使用寿命短的问题。
mwt 太阳能电池制备方法

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