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[发明专利]一种砷化镓衬底的化学抛光方法-CN201610939449.3在审
发明人：李倩倩;乔世香;孔芳芳;张秀萍;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓衬底的化学抛光方法，首先将减薄后的砷化镓衬底清洗干净并用氮气吹干，其次配置强碱和过氧化氢的混合水溶液作为抛光液，将待抛光的砷化镓衬底置于抛光液中，根据抛光液中强碱和过氧化氢的浓度，通过控制抛光时间来控制抛光厚度本发明操作简单，易实现，安全可靠，无刺激性气味，抛光速率高，只需借助强碱、过氧化氢、去离子水即可实现对减薄后的砷化镓衬底进行表面抛光以去除残留的难以刷洗的砷化镓颗粒，防止影响后续电极蒸镀效果，提高界面结合性能
一种砷化镓衬底化学抛光方法

[实用新型]一种砷化镓多晶的合成装置-CN202121935399.4有效
发明人：罗小龙;周铁军;易明辉;曾国治 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种砷化镓多晶的合成装置，涉及多晶合成技术领域。本实用新型提供的砷化镓多晶的合成装置包括炉体、若干个加热炉丝和第一坩埚，所述加热炉丝设置于所述炉体的内壁与所述第一坩埚之间，各个所述加热炉丝平行排列，所述第一坩埚的内径为6英寸。采用本实用新型的砷化镓多晶的合成装置可以一次生产6英寸砷化镓多晶料，操作简单，生产的6英寸砷化镓多晶料可直接应用于制备6英寸砷化镓单晶料。
一种砷化镓多晶合成装置

[发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构-CN202110122312.X有效
发明人：白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构，涉及半导体结构加工技术领域，加工方法包括如下步骤：形成包括砷化镓部和铝镓砷部的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓部进行刻蚀，在砷化镓部内形成贯穿砷化镓部的上部凹槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷部进行刻蚀，在铝镓砷部内形成与上部凹槽连通的中部凹槽；在中部凹槽的周向侧壁上形成第一级侧墙结构，第一级侧墙结构底部具有开口，以第一级侧墙结构为掩模利用等离子刻蚀方式对中部凹槽的底面进行刻蚀，从而形成下部凹槽；利用等离子体轰击砷化镓部的上表面；采用原子层沉积的方式在砷化镓部的上表面，以及总槽体的侧壁和底面上形成次级氮化硅层。
半导体结构加工方法

[发明专利]一种砷化镓研磨废料的分选富集方法-CN202310330385.7在审
发明人：田庆华;段良洪;许志鹏;郭学益;李栋;岳喜龙;樊红杰;沈思雨;吴彤;赵阿波;肖世健 -专利权人：中南大学;江苏宁达环保股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：一种砷化镓研磨废料的分选富集方法，包括以下步骤：（1）干燥；（2）自磨；（3）分级筛选；（4）重力分选。本发明利用砷化镓研磨废料中杂质研磨剂的特性和密度的差异，采用自磨、分级筛选和重力分选联合的方法，将低品位砷化镓研磨废料中砷化镓与杂质成分Al2O3和ZrSiO4等分离，实现砷化镓富集5倍以上，得到的二次镓精矿镓含量大于10%，整个流程镓回收率大于95%，从而通过简单的工艺流程实现砷化镓研磨废料中有价金属的高效回收利用，避免了废料中因镓含量低，回收难度大而作为危废处理填埋的后果，从而取得明显的经济效益。
一种砷化镓研磨废料分选富集方法

[发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202110122311.5有效
发明人：白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域，半导体结构制备方法包括如下步骤：形成包括砷化镓层和铝镓砷层的叠层结构；在叠层结构的上表面形成掩模版；利用碱性溶液对砷化镓层进行刻蚀，形成贯穿砷化镓层的第一沟槽；利用等离子刻蚀方式对铝镓砷层进行刻蚀，在铝镓砷层内形成第二沟槽；去除掩模版，采用等离子体刻蚀由砷化镓层的上表面与第一沟槽内壁形成的第一拐角，以及由铝镓砷层的上表面和第二沟槽的内壁形成的第二拐角；使用氮等离子体处理第一沟槽的内壁和底部、第二沟槽的内壁和底部、砷化镓层的上表面；采用原子层沉积的方式在过渡层上方形成第一氮化硅层；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层。
半导体结构制备方法

[发明专利]高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法-CN201310176608.5有效
发明人：周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长了锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，进行第一次退火；步骤3：在锗层上依次生长低温砷化镓成核层和高温砷化镓层，形成样品；步骤4：将样品进行抛光，清洗；步骤5：将样品放入MOCVD反应室，进行第二次退火；步骤6：在样品表面生长砷化镓盖层，完成材料的制备。本发明可以解决硅衬底向III-V族材料过渡问题，为硅基砷化镓光电子和微电子器件奠定衬底基础。
质量表面粗糙硅基砷化镓材料制备方法

[发明专利]一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法-CN200710178771.X有效
发明人：吴茹菲;张海英;尹军舰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备p型砷化镓欧姆接触的方法，该方法采用Pt/Ti/Au的金属材料组合作为p型砷化镓的欧姆接触金属，在375℃下将金属材料组合Pt/Ti/Au合金1分钟，形成p型砷化镓的欧姆接触。利用本发明，能够有效降低p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻，将p型砷化镓欧姆接触的比接触电阻降低至5.9×10^-6Ω·cm²。
一种制备型砷化镓欧姆接触方法

[实用新型]一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构-CN201821358223.5有效
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技（北京）有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅基砷化镓太阳能电池外延结构，包括硅衬底以及依次设于所述硅衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、反射层、PN结层、光吸收层、窗口层和接触层。与现有技术相比，在保证硅基砷化镓太阳能电池与砷化镓基或者锗基砷化镓太阳能电池具有相当光电转换效率的前提下，本实用新型可以显著降低生产砷化镓太阳能电池的成本。
砷化镓太阳能电池硅基本实用新型外延结构硅衬底光电转换效率低温缓冲层高温缓冲层光吸收层降低生产砷化镓基窗口层反射层接触层锗基保证

[发明专利]砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法-CN200510084357.3无效
发明人：李凯;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-07-19 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：异质外延生长砷化铟应变自组装纳米点；步骤3：外延砷化镓薄层，使其部分覆盖上述砷化铟纳米点；步骤4：第一次退火；步骤5：衬底温度降温至400℃以下；步骤6：衬底温度升温到500－530℃；步骤7：第二次退火，在砷化镓衬底上形成纳米尺寸坑。
砷化镓衬底制备纳米尺寸方法

[发明专利]基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法-CN201811343464.7在审
发明人：余丙军;吴磊;范志涛;彭勇;汪红波;钱林茂 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光化学辅助选择性刻蚀的砷化镓表面纳米加工方法，包括以下步骤：S1、采用机械刻划或压痕设备在洁净的砷化镓表面进行划痕或压痕加工；S2、采用混合刻蚀剂对砷化镓表面进行紫外光化学辅助刻蚀，刻蚀完成后对砷化镓表面进行清洗，获得高质量的砷化镓表面纳米结构。该加工方法能够实现砷化镓表面任意二维结构的加工，无需模板，操作简单，成本低；进一步的，本方法的加工过程在常温常压下进行，不产生污染气体，并且加工后的刻蚀剂易处理；此外，本方法能够快速在砷化镓表面加工出高质量的图案和光学结构
砷化镓加工刻蚀光化学选择性刻蚀表面纳米刻蚀剂表面纳米结构紫外光化学表面加工常温常压二维结构光学结构机械刻划污染气体压痕加工压痕设备划痕清洗洁净图案

[发明专利]一种石墨烯/砷化镓太阳电池-CN201611129475.6在审
发明人：贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯/砷化镓太阳电池，依次包括：背面电极；砷化镓外延片；窗口层；石墨烯层；重掺杂砷化镓帽子层；正面电极；所述重掺杂砷化镓帽子层具有镂空区域，所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置；还包括减反层，所述减反层填充于所述重掺杂砷化镓帽子层的镂空区域，与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层，通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结砷化镓太阳电池的窗口层与重掺杂砷化镓帽子层之间，可以促进光生载流子的横向输运，减少光生载流的复合中心，减小串联电阻并提高填充因子
一种石墨砷化镓太阳电池

[发明专利]一种砷化镓晶圆的光刻工艺-CN201711215505.X在审
发明人：宋健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶圆的光刻工艺，于待蚀刻砷化镓晶圆表面先沉积一层氮化硅层，再于氮化硅层上形成正光阻层，对正光阻层曝光、显影形成蚀刻窗口之后，对蚀刻窗口之内的氮化硅进行干法蚀刻至裸露砷化镓表面，然后对蚀刻窗口之内的砷化镓进行湿法蚀刻本发明在砷化镓晶圆表面先镀上一层氮化硅后再涂布正光阻，氮化硅与砷化镓和正光阻均具有较好的结合力，以氮化硅作为粘结层提高了光阻和砷化镓表面之间的粘附力，从而避免了因粘附力不够出现的侧蚀不良等问题，提高了产品的良率
砷化镓氮化硅蚀刻氮化硅层干法蚀刻光刻工艺晶圆表面正光阻光阻晶圆粘附湿法蚀刻正光阻层光阻层结合力粘结层侧蚀对正良率显影沉积去除剥离裸露曝光

[发明专利]一种砷化镓p-n结型核电池及其制备方法-CN202111025914.X在审
发明人：张光辉;刘玉敏;何志平;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓p‑n结型核电池及其制备方法。这种核电池由镍‑63源、砷化镓p‑n结器件和电池防护外壳组成。利用MOCVD外延生长技术获得由p型砷化镓发射层‑n型砷化镓基区层‑n型铝砷化镓背散层‑n型砷化镓衬底层构成的p‑n结，再利用磁控溅射技术在p‑n结上生成相应的欧姆接触电极层形成砷化镓p‑n器件。
一种砷化镓核电及其制备方法

[发明专利]一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法-CN201410827634.4有效
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法，该石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次有背面电极、砷化镓层、石墨烯层、绝缘介质层和栅极，该太阳电池还设有正面电极，所述正面电极设置在石墨烯层上。其制备方法如下：先在砷化镓片一面制作背面电极；清洗后将石墨烯转移至砷化镓片另一面上；在石墨烯上制作正面电极；再在石墨烯上制作绝缘介质层；最后在绝缘介质层上制作栅极，获得太阳电池。本发明的电场调控的石墨烯/砷化镓太阳电池可以通过外加电场调控石墨烯的掺杂状态，进而可以进一步提高石墨烯/砷化镓太阳电池的光电转化效率。
一种电场调控石墨砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底及其制备方法-CN03121823.7无效
发明人：周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底及其制备方法。本发明提供一种砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底，包括砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延生长厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，上面覆盖厚度为5～500nm的砷化镓层。本发明采用AlAs侧向氧化的方法制备砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底。本发明提供的砷化镓基半导体一氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能。
一种砷化镓基半导体氧化物绝缘衬底及其制备方法

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