专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构的加工方法及半导体结构-CN202110122312.X有效
  • 白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-04-23 - H01L21/306
  • 本发明提供了一种半导体结构的加工方法及半导体结构,涉及半导体结构加工技术领域,加工方法包括如下步骤:形成包括部和铝部的叠层结构;在叠层结构的上表面形成掩模版;利用碱性溶液对部进行刻蚀,在部内形成贯穿部的上部凹槽;利用等离子刻蚀方式对铝部进行刻蚀,在铝部内形成与上部凹槽连通的中部凹槽;在中部凹槽的周向侧壁上形成第一级侧墙结构,第一级侧墙结构底部具有开口,以第一级侧墙结构为掩模利用等离子刻蚀方式对中部凹槽的底面进行刻蚀,从而形成下部凹槽;利用等离子体轰击部的上表面;采用原子层沉积的方式在部的上表面,以及总槽体的侧壁和底面上形成次级氮化硅层。
  • 半导体结构加工方法
  • [发明专利]半导体结构制备方法及半导体结构-CN202110122311.5有效
  • 白龙刚;于良成;张松涛;苏朋;杨国文 - 度亘激光技术(苏州)有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-04-27 - H01L21/306
  • 本发明提供了一种半导体结构制备方法及半导体结构,涉及半导体制备技术领域,半导体结构制备方法包括如下步骤:形成包括层和铝层的叠层结构;在叠层结构的上表面形成掩模版;利用碱性溶液对层进行刻蚀,形成贯穿层的第一沟槽;利用等离子刻蚀方式对铝层进行刻蚀,在铝层内形成第二沟槽;去除掩模版,采用等离子体刻蚀由层的上表面与第一沟槽内壁形成的第一拐角,以及由铝层的上表面和第二沟槽的内壁形成的第二拐角;使用氮等离子体处理第一沟槽的内壁和底部、第二沟槽的内壁和底部、层的上表面;采用原子层沉积的方式在过渡层上方形成第一氮化硅层;在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层。
  • 半导体结构制备方法
  • [发明专利]一种石墨烯/太阳电池-CN201611129475.6在审
  • 贾锐;桂羊羊;孙恒超;陶科;戴小宛;金智;刘新宇 - 中国科学院微电子研究所
  • 2016-12-09 - 2017-02-22 - H01L31/0216
  • 本发明提供了一种石墨烯/太阳电池,依次包括:背面电极;外延片;窗口层;石墨烯层;重掺杂帽子层;正面电极;所述重掺杂帽子层具有镂空区域,所述镂空区域对应正面电极的栅线以外的位置;还包括减反层,所述减反层填充于所述重掺杂帽子层的镂空区域,与石墨烯层接触。本发明以石墨烯层作为透明导电层,通过石墨烯转移工艺将单层或多层石墨烯转移至传统单结或多结太阳电池的窗口层与重掺杂帽子层之间,可以促进光生载流子的横向输运,减少光生载流的复合中心,减小串联电阻并提高填充因子
  • 一种石墨砷化镓太阳电池

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