“砷化镓中”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果12397213个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法-CN202010528244.2有效
发明人：杜伟;王兵;方亮;魏婷婷 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H02S40/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太阳能的发电储能一体化器件及其制备方法，包括减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极、金属化层、正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极、金属保护层；减反膜、上电极、砷化镓外延层、背电极构成多结柔性砷化镓电池，正极金属电极、正极、正极‑电解质混合相、无机固态电解质、负极、负极金属电极构成固态锂离子电池，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池并联，在未接负载时，固态锂离子电池能够将多结柔性砷化镓电池所发电量储存起来，直至连上负载后，多结柔性砷化镓电池和固态锂离子电池能够一起供电，形成发电储能一体化，使得在保证柔性结构的同时，又大大提高了产品质量功率比。
基于太阳能发电一体化器件及其制备方法

[发明专利]利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法-CN200510054469.4无效
发明人：李凯;叶小玲;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-03-10 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一种利用砷化铟－铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以半绝缘砷化镓单晶片为衬底；步骤2：在该衬底上异质外延生长铟铝砷层；步骤3：在该铟铝砷上外延生长砷化铟叠层；步骤4：在该砷化铟叠层上外延生长砷化镓薄盖层；步骤5：退火，砷化铟叠层脱缚，完成砷化铟纳米环的生长。
利用砷化铟铟铝砷叠层点制备纳米生长方法

[发明专利]基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法-CN202011286959.8在审
发明人：陈思铭;唐明初;廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。
基于纳米空洞穿透密度硅基砷化镓层生长方法

[发明专利]一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法-CN201511032303.2在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作砷化镓基HEMT器件背孔的方法，1)制作完成砷化镓基HEMT器件有源区；2)然后采用光刻、刻蚀的方法在化合物半导体衬底片正面形成背孔，并采用电镀等方式制作背金工艺，完成器件制作；3)将砷化镓衬底与临时衬底片进行粘附；4)对化合物基半导体衬底片进行减薄、抛光、直到化合物基衬底厚度减薄到100微米；5)采用等离子体刻蚀的方式，刻蚀衬底背面，直到背孔区域露出背金；6)最后在砷化镓背面电镀背金，完成砷化镓基 HEMT器件。
一种制作砷化镓基 hemt 器件方法

[发明专利]一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法-CN202110844851.4在审
发明人：李国强;邓曦;刘兴江;王文樑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次包括背面电极、砷化镓层、石墨烯层、栅电极和具有表面阵列式微纳透镜结构的薄膜。本发明制备的石墨烯/砷化镓太阳电池具有更高光利用效率，增强电池表面光吸收，提高光电转化效率等优点，制备的具有微透镜结构的薄膜能够更好的将电池表面入射光收集起来，便于太阳电池进行光伏效应，有利于制备高转化效率的石墨烯/砷化镓太阳电池。
一种具有阵列式微透镜结构石墨砷化镓太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法-CN200610035583.7有效
发明人：莫郁薇 -专利权人：信息产业部电子第五研究所
申请日： 2006-05-23 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓单片微波集成电路的可靠性评估方法，它包括如下步骤：对砷化镓单片微波集成电路进行分析从而获得与芯片有关的失效率和与封装及外部环境有关的失效率；根据所述与芯片有关的失效率和与封装及外部环境有关的失效率之和评估砷化镓单片微波集成电路的可靠性程度本发明为砷化镓单片微波集成电路的失效率水平和可靠性评估提供了准则，为确定砷化镓单片微波集成电路可靠性指标，开展电子设备可靠性预计提供依据。
一种砷化镓单片微波集成电路可靠性评估方法

[实用新型]一种基于砷化镓技术的开关柜光纤测温装置-CN201720820015.1有效
发明人：吴为;浦强;张龙 -专利权人：江苏轶一电力科技有限公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种基于砷化镓技术的开关柜光纤测温装置，包括开关柜本体、光纤、光谱分析装置、主控单元、光源、光纤耦合器和砷化镓传感器，所述开关柜本体内设置有砷化镓传感器，所述开关柜本体与光纤耦合器相连接该实用新型的有益效果是通过砷化镓半导体晶体作为传感器，根据砷化镓的特性，有效的提高了检测的精确性。
一种基于砷化镓技术开关柜光纤测温装置

[发明专利]赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201210569879.2有效
发明人：章军云;高建峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种赝配高电子迁移率晶体管，包括InGaAs沟道、AlGaAs势垒层、低掺杂砷化镓层及高掺杂砷化镓层，低掺杂砷化镓层在InGaAs沟道及AlGaAs势垒层上；高掺杂砷化镓层在低掺杂砷化镓层上；高掺杂砷化镓层上设置源电极和漏电极；源电极和漏电极之间设置第一凹槽；在第一凹槽中设置第二凹槽；栅电极金属位于第二凹槽上；在栅金属表面设置第一介质层，在晶体管表面设置第二介质层，第一介质层与第二介质层之间形成空洞
赝配高电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法-CN200910064346.7无效
发明人：李百泉;韩振坤;李玉平 -专利权人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司
申请日： 2009-03-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶尾料的合成利用方法，本发明首先将砷化镓多晶尾料表面处理干净，即用水磨砂纸将砷化镓多晶尾料表面的杂质及氧化层打磨掉，再用盐酸与硝酸按3∶1配比液腐蚀3-5分钟，达到表面光亮为准，二是对原料的配比进行调整，使砷与镓的重量比为1∶1，并加入砷化镓总重量为0.5％的砷一齐装入石英管内进行合成，三是在合成生长过程中调整合成热场的升温速率为2∶1，并保持石英管内的气压不高于一个大气压。
一种砷化镓多晶合成利用方法

[发明专利]砷化镓衬底材料制备方法-CN201610579595.X有效
发明人：易德福;守建川 -专利权人：江西德义半导体科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种砷化镓衬底材料制备方法。所述制备方法包括如下步骤超高纯镓制备、超高纯砷制备、砷化镓多晶料的制备、砷化镓单晶棒制备、超薄砷化镓晶片制备、砷化镓衬底材料的制备，通过所述工艺制备的太阳能电池发电效率得到提升可达到38％，电池的稳定性更好
砷化镓衬底材料制备方法

[实用新型]定焦点菲涅尔太阳能聚光光伏及热水装置-CN201620082836.5有效
发明人：黄金;王海;蔡明臻;刘宇航;李晓朋;卢梓健;谢上子 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H02S40/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种定焦点菲涅尔太阳能聚光光伏发电及热水装置，包括菲涅尔透镜聚光器、砷化镓聚光太阳能电池组以及热水箱，所述热水箱由热水箱主体(17)和镶嵌在热水箱主体上的吸热窗(18)组成，所述热水箱主体(17)的侧面安装有进水管(22)、出水管(16)，菲涅尔透镜聚光器的固定焦点对准所述吸热窗(18)，砷化镓聚光太阳能电池组(19)安装在吸热窗(18)内。本实用新型通过菲涅尔透镜的固定焦点聚光，对吸热窗中的砷化镓聚光太阳能电池组进行聚光发电，同时利用吸热窗中的强化传热器对砷化镓聚光太阳能电池组进行散热，所散热量对热水箱中的水进行加热，既能保证砷化镓聚光太阳能电池组聚光发电所需工作温度
焦点菲涅尔太阳能聚光热水装置

[发明专利]一种砷化镓多晶的制作方法及装置-CN201910537542.5在审
发明人：向丽君;王金灵;朱凌强;周铁军;刘留;罗小龙 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓多晶的制作方法及装置，该方法采用水平梯度凝固法使装有砷的氮化硼舟与装有镓的氮化硼舟在密封的石英管内反应形成砷化镓多晶；然后切割去除所述石英管的管口的石英帽，取出砷化镓多晶，并且采用的切割步骤为在上述制作方法中，能够有效的避免切割工序中氮化硼舟因与砷化镓多晶料频繁碰撞而导致的两端破损的问题，使得氮化硼舟的使用寿命得到有效的提升，同时还能够有效的降低石英管的管口破损率。
石英管砷化镓氮化硼多晶切割石英帽管口锯片制作水平梯度凝固法平移靠近切割工序使用寿命所在平面多晶料破损率去除密封破损取出运转

[发明专利]一种砷化镓晶片背面不良的去除方法-CN202210766182.8在审
发明人：田玉莲;孙美玉;王国超;周铁军;曾贵州;王金灵 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种砷化镓晶片背面不良的去除方法，包括以下步骤：1)将背面不良的砷化镓晶片进行厚度分盘，每盘差异≤3μm，正面贴膜；2)对晶片的背面轻压研磨；3)采用含碱性金属清洗剂的水溶液浸泡，背面掉量8～10μm，水洗；4)采用氨水、双氧水和去离子水的混合溶液进行漂洗后，水洗，干燥，得到处理后砷化镓晶片。该方法能够有效去除各生加工工序中造成的砷化镓晶片背面不良问题，如背面表面脏污、背划伤、背面水纹、背面药印等背面不良，达到客户要求，满足外延生长的要求。且背面不良的去除率较高。
一种砷化镓晶片背面不良去除方法

[发明专利]一种半导体器件制备方法-CN202110332054.8有效
发明人：于良成;惠利省;李靖;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在铝镓砷基板上依次形成氧化层和图案化光刻胶层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层。采用氩气生成的等离子体分别对图案化光刻胶层的侧壁沿垂直铝镓砷基板的方向进行修正和对位于图案化光刻胶层的镂空区域的氧化层进行预轰击。然后在含有氩气的环境中，接着采用氯化硼去除经预轰击后的氧化层以露出位于图案化光刻胶层的镂空区域的铝镓砷基板，能够兼顾物理轰击和化学作用，使得图案化光刻胶层的侧壁更陡直，铝镓砷基板表面氧化物去除更彻底，提高后续对铝镓砷基板进行主刻蚀时的均匀性和刻蚀垂直度
一种半导体器件制备方法

[发明专利]等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法-CN201510341778.3在审
发明人：赵颖;刘娜;刘松喆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种等电位网络三结砷化镓太阳能电池阵结构及制造方法，其特征在于：每个三结砷化镓太阳能电池的效率大于28％；在每个三结砷化镓太阳能电池上粘贴有抗辐照玻璃盖片；在每个抗辐照玻璃盖片上蒸镀有MgFsub>2减反射膜，在MgF₂减反射膜上蒸镀有ITO透明导电膜；在ITO透明导电膜上蒸镀有一对ITO膜金属电极；每对ITO膜金属电极之间的电阻值不大于10kΩ；每个三结砷化镓太阳能电池组件由M个三结砷化镓太阳能电池组成，M个三结砷化镓太阳能电池的ITO膜金属电极之间通过ITO互连片依次串联；N个三结砷化镓太阳能电池组件之间通过ITO汇流条和导线相互并联之后，再通过铰链与卫星结构地连接。
电位网络三结砷化镓太阳能电池结构制造方法