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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件-CN201911001601.3有效
发明人：祝靖;朱桂闯;何乃龙;张森;李少红;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。
横向扩散金属氧化物半导体器件

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN200810085680.6无效
发明人：远田利之;谷本弘吉;泉田贵土 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-01-25 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：形成有多个存储器串的基板；所述各存储器串具有第1柱状半导体、第1选择栅极晶体管、多个存储器单元和第2选择栅极晶体管；所述第1选择栅极晶体管和所述第2选择栅极晶体管中的至少一个的沟道区域由与源极区域和漏极区域相反导电型的半导体所形成
非易失性半导体存储装置

[实用新型]电压生成器电路-CN201721437377.9有效
发明人： P·纳拉莫苏 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：一对具有相反导电性的源极跟随器晶体管耦合到输出节点。源极跟随器晶体管中的第一个操作以提供用于对电容性负载进行充电的快速电流瞬变，电容性负载被可切换地连接到输出节点。
输出节点源极跟随器晶体管电压生成器电路电容性负载导电性电压水平反馈回路反馈控制快速电流输出电压地连接可切换耦合到瞬变充电

[其他]用于太阳能电池的旁路二极管-CN201190000632.8有效
发明人：林承笵;金太锡;戴维·D·史密斯;彼得·J·卡曾斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2011-10-03 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：第一导电区域设置在所述基板上方，所述第一导电区域为第一导电类型。第二导电区域设置在所述第一导电区域上，所述第二导电区域为与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
用于太阳能电池旁路二极管

[发明专利]光半导体装置-CN200980138836.5无效
发明人：西研一 -专利权人： QD激光公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明是如下的光半导体装置，其具备：下部包层(12)，其具有第1导电类型；活性层(14)，其设置在下部包层(12)上，并层叠了多个具有多个量子点(41)的量子点层(51～55)；以及上部包层(18)，其设置在该活性层(14)上，并具有作为与第1导电类型相反的导电类型的第2导电类型，多个量子点层(51～55)的量子点密度不同。
半导体装置

[发明专利]一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极晶体管-CN202010251270.5在审
发明人：戴茂州;高巍;廖运健 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有更快切换速度的分离绝缘栅双极型晶体管，包括：具有第一导电类型的衬底；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的缓冲层；具有与该第一导电类型相反电性的第二导电类型的漂移层，外延于该衬底上；具有第一导电类型的第一阱区设置于该漂移层上；多个沟槽形成于该第一阱区并垂直延伸至该漂移层中；屏蔽电极形成于每一个沟槽下半部，该屏蔽电极与该第一阱区以及该漂移层由屏蔽介电层作电气隔离；跨电极介电层形成于该屏蔽电极上
一种具有切换速度分离绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211336760.0在审
发明人：钱佳成;彭青海;蔡晓晴;刘冬华;钱文生;马栋;李志国 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底；位于衬底内的第一阱区，第一阱区的导电类型与衬底的导电类型相反；位于第一阱区内的源极区，源极区的导电类型与第一阱区的导电类型相反；第一掺杂层，第一掺杂层位于源极区与第一阱区之间、位于衬底与第一阱区之间、或者位于源极区与第一阱区之间以及衬底与第一阱区之间，第一掺杂层的导电类型与第一阱区的导电类型相同，且第一掺杂层的离子掺杂浓度大于第一阱区内的离子掺杂浓度；贯穿第一阱区的栅极结构
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202211336757.9在审
发明人：刘冬华 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区；在第二区内形成第一掺杂区，第一掺杂区的导电类型与衬底的导电类型相反；在第一区和第一掺杂区上形成第一材料层，第一材料层的导电类型与第一掺杂区的导电类型相反；在第二区上的第一材料层内形成第二掺杂区，第一掺杂区的导电类型与第二掺杂区的导电类型相同；对第一掺杂区和第二掺杂区进行扩散热处理，形成第一扩散区和第二扩散区，第一扩散区和第二扩散区构成深阱区，深阱区的深度大于或等于第一材料层的厚度
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种VDMOS器件及其制作方法-CN201110076188.4有效
发明人：朱超群;钟树理;任文珍;曾爱平;陈宇 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件及其制作方法，VDMOS器件包括：第一导电类型衬底，在其背面设置有漏极；第一导电类型漂移区，设置在第一导电类型衬底上；第二导电类型阱区，其在第一导电类型漂移区的表面区域选择性的形成，与第一导电类型漂移区的导电类型相反；第一导电类型源区，设置在第二导电类型阱区内；栅极，位于第一导电类型漂移区上并部分覆盖第二导电类型阱区和第一导电类型源区；肖特基接触，设置在第一导电类型漂移区上并位于栅极区域中形成的肖特基接触位于栅极区域内并在第一导电类型漂移区上，在不增加器件整体尺寸、不增大器件导通电阻的情况下，提高了VDMOS器件结构中包含的体二极管的恢复速度。
一种 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]具有埋层的LDMOS功率器件-CN200910246059.8有效
发明人：马强;陈强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有埋层的LDMOS功率器件，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型重掺杂衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与第一导电类型重掺杂衬底导电连接，所述第一导电类型外延层内设有与第一导电类型相反的第二导电类型隔离埋层，所述第二导电类型隔离埋层将第一导电类型外延层分隔成相互完全隔离的靠近第一导电类型重掺杂衬底的缓冲区第一导电类型外延层、和靠近源极区漏极区的活跃区第一导电类型外延层
具有 ldmos 功率器件

[实用新型]具有埋层的LDMOS功率器件-CN200920272270.2有效
发明人：马强;陈强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有埋层的LDMOS功率器件，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型重掺杂衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与第一导电类型重掺杂衬底导电连接，所述第一导电类型外延层内设有与第一导电类型相反的第二导电类型隔离埋层，所述第二导电类型隔离埋层将第一导电类型外延层分隔成相互完全隔离的靠近第一导电类型重掺杂衬底的缓冲区第一导电类型外延层、和靠近源极区漏极区的活跃区第一导电类型外延层
具有 ldmos 功率器件

[发明专利]太阳能电池及光伏组件-CN202210887189.5有效
发明人：余丁;李文琪;柴嘉磊;吴佳豪;赵世杰;张晓雯 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面，基底的背面具有第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；隧穿介质层，隧穿介质层位于基底背面；掺杂导电层，掺杂导电层位于隧穿介质层远离基底背面的表面，掺杂导电层具有掺杂元素，掺杂导电层内的掺杂元素类型与基底内的掺杂元素类型相反；背电极，背电极沿第一方向排布，背电极与掺杂导电层相接触。
太阳能电池组件

[发明专利]具有电极焊盘的发光二极管芯片-CN201180055825.8有效
发明人：金艺瑟;金京完;尹余镇;李珍雄;郑多娟;禹尚沅;李锦珠;吴尚炫 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：该LED芯片包括：半导体堆叠，包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层以及设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性层；第一电极焊盘，位于第二导电类型半导体层上，与第一导电类型半导体层相反；第一电极延伸体，从第一电极焊盘延伸并连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，电连接到第二导电类型半导体层；以及绝缘层，设置在第一电极焊盘与第二导电类型半导体层之间。该LED芯片包括在第二导电类型半导体层上的第一电极焊盘，从而增大了发光面积。
具有电极发光二极管芯片

[发明专利]混合三栅极和纳米线CMOS器件架构-CN201580082583.X有效
发明人： C·E·韦伯;R·米恩德鲁;S·M·塞亚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：例如，半导体结构包括第一导电类型的半导体器件，第一导电类型的半导体器件具有设置在衬底上方的多个竖直堆叠的纳米线。半导体结构还包括与第一导电类型相反的第二导电类型的半导体器件，第二半导体器件具有设置在衬底上方的半导体鳍状物。
混合栅极纳米 cmos 器件架构

[发明专利]光电子半导体元件-CN98803918.4无效
发明人： G·兰德韦尔;M·凯姆;G·罗伊舍尔;T·利茨;T·巴隆;F·菲舍尔;H·J·卢高尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-01-29 - 公布日： 2000-05-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：具有一光发射有源层序列的光电半导体元件,该层序列具有至少一个第一导电类型的难以掺杂的半导体层。在难以掺杂的半导体层和一个从属于此层的半导体本体的接触层之间设置一第一导电类型的第一高掺杂简并过渡层和一与第一导电类型相反的第二导电类型的第二高掺杂简并过渡层。
光电子半导体元件

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