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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体开关器件-CN98813915.4无效
发明人：大野俊之;岩崎贵之;八尾勉 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-03-19 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本半导体开关器件包括具有第一导电类型的六角形对称碳化硅单晶和具有与第一导电类型相反的第二导电类型并位于碳化硅单晶内的半导体区域。在第一导电类型的碳化硅单晶和第二导电类型的半导体区域之间形成pn结。
碳化硅半导体开关器件

[发明专利]电力半导体元件、包括其电力半导体芯片及其制造方法-CN202211671720.1在审
发明人：姜旻岐;禹赫;朴泰泳;李珠焕;赵善衡;尹成晥;金太阳 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的电力半导体元件可包括：每一个配置成从半导体基板的第一面朝向与所述第一面相对的第二面凹陷(recess)的栅极电极；配置成与所述栅极电极配置的沟槽及各所述第一面相接，且包含第一导电型的掺杂物的发射区域；配置成与所述第二面相接，包含作为所述第一导电型的相反导电型的第二导电型的掺杂物的集电区域；包围所述沟槽的底面且沿所述沟槽的延伸方向朝向所述第二面延伸，包含所述第二导电型的掺杂物的浮置区域；以及在所述沟槽内配置于所述栅极电极之间的沟槽发射区域
电力半导体元件包括芯片及其制造方法

[发明专利]衬底触发式静电放电保护的半导体器件及其方法-CN99105292.7有效
发明人：杰里米·C·史密斯 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1999-04-30 - 公布日： 1999-11-10 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：半导体器件有具有第一导电类型的衬底。衬底有一个也具有第一导电类型的顶部衬底区。第一掺杂区,第二掺杂区和第三掺杂区位于顶部衬底区上,其中第一和第二掺杂区具有与第一导电类型相反的第二导电类型,而第三掺杂区具有第一导电类型,并且其中第三掺杂区位于第一和第二掺杂区之间。掺杂势阱区也在顶部衬底区,具有第二导电类型,具有第三掺杂区和至少第三掺杂区的一部分位于其中。这里也提供了形成这种器件的方法。
衬底触发静电放电保护半导体器件及其方法

[发明专利]电容器件、半导体装置和电子设备-CN201210578932.5无效
发明人：场色正昭 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该电容器件包括：第一电容元件，包括具有第一导电类型的第一阱区、第一栅极电极以及每个都由具有与第一阱区的导电类型相反的第二导电类型的杂质层形成的第一半导体层；以及第二电容元件，并联地电连接到第一电容元件，第二电容元件包括具有第一导电类型的第二阱区、第二栅极电极以及每个都由具有与第二阱区的导电类型相同的第一导电类型的杂质层形成的第二半导体层。
电容器件半导体装置电子设备

[发明专利]准垂直功率MOSFET及其形成方法-CN201210084622.8有效
发明人：陈吉智;田昆玄;柳瑞兴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：MOSFET包括半导体衬底，具有：顶面；第一导电类型的体区，位于所述半导体衬底中；以及双扩散区DDD区，具有低于体区的底面的顶面。DDD区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。
垂直功率 mosfet 及其形成方法

[发明专利]LDMOS功率器件-CN200910246051.1无效
发明人：马强;陈强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。
ldmos 功率器件

[实用新型]LDMOS功率器件-CN200920272263.2有效
发明人：马强;陈强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。
ldmos 功率器件

[发明专利]LDMOS功率器件-CN201080052919.5有效
发明人：马强;陈强 -专利权人：苏州远创达科技有限公司;远创达科技(香港)有限公司;远创达科技(开曼)有限公司
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS功率器件，包括衬底、衬底上的第一导电类型外延层、以及形成于第一导电类型外延层上的源极区和漏极区，所述源极区与衬底导电连接，所述衬底为与第一导电类型相反的第二导电类型衬底。
ldmos 功率器件

[发明专利]沟槽型MOSFET的制作方法、沟槽型MOSFET及半导体器件-CN201410370501.9在审
发明人：黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：其中，该制作方法包括以下步骤：在半导体基体中形成沟槽；对沟槽进行离子注入以在沟槽底部的半导体基体中形成离子注入区，且注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反；在沟槽中形成栅极结构。在该制作方法中，由于注入离子的导电类型与半导体基体的导电类型相反，因此该注入离子能够降低沟槽底部位置的电场强度，并能够将高电场强度区从沟槽底部位置转移到离子注入区中远离沟槽底部的位置，从而减少了栅极与半导体之间由于高电场强度导致的漏电流
沟槽 mosfet 制作方法半导体器件

[发明专利]带有超级结结构设计的半导体器件-CN201610098672.X有效
发明人：马荣耀;可瑞思 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用在功率半导体场效应晶体管器件中的带有超级结结构设计的半导体器件，在半导体器件的一个有源区的外延层中形成的第二导电类型的多个第一立柱，在半导体器件的一个终端区的外延层中形成的第二导电类型的多个第二立柱，位于有源区和终端区之间的过渡区，由多个第一立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现有源区的电荷平衡，多个第二立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现终端区的电荷平衡
带有超级结构设计半导体器件

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201210151051.5有效
发明人：秦胤实;朴铉定;崔荣浩;朴昶绪 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池，形成为具有：第一导电类型的硅半导体基板；发射极层，所述发射极层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的第一表面上；背表面场层，所述背表面场层具有所述第一导电类型，并且形成在所述硅半导体基板的与所述第一表面相反的第二表面上；并且其中，所述发射极层至少包括第一浅掺杂区域，所述背表面场层至少包括第二浅掺杂区域，并且其中，所述发射极层的第一浅掺杂区域的厚度不同于所述背表面场层的第二浅掺杂区域的厚度
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200910159262.1无效
发明人：保积宏纪;佐佐木有司;柳川周作 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体区域，其处于第一电极侧；以及第二半导体区域，其具有第一导电类型的第一柱形区域和第二导电类型的第二柱形区域，第一柱形区域和第二柱形区域沿着布置在第一半导体区域的位于与第一电极相反一侧的第二电极一侧的表面该半导体器件还包括第二导电类型的横型RESURF区域，其处于端子部分中的第二半导体区域的与第一半导体区域相反一侧的表面部分。
半导体器件制造方法

[实用新型]带有超级结结构设计的半导体器件-CN201620135830.X有效
发明人：马荣耀;可瑞思 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2016-02-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用在功率半导体场效应晶体管器件中的带有超级结结构设计的半导体器件，在半导体器件的一个有源区的外延层中形成的第二导电类型的多个第一立柱，在半导体器件的一个终端区的外延层中形成的第二导电类型的多个第二立柱，位于有源区和终端区之间的过渡区，由多个第一立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现有源区的电荷平衡，多个第二立柱和多个第三立柱相互交替配置从而籍由它们相反的导电类型实现终端区的电荷平衡
带有超级结构设计半导体器件

[发明专利]电子设备、半导体器件及其制备方法-CN202011591511.7在审
发明人：金华俊;李春旭;林峰 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种电子设备、半导体器件及其制备方法，包括：衬底，具有第一导电类型；第一埋层，具有第二导电类型，形成于衬底中，第二导电类型与第一导电类型相反；第二埋层，具有第二导电类型，形成于第一埋层的上表面，第二埋层的掺杂浓度低于第一埋层的掺杂浓度；第二导电类型阱区，形成于第二埋层上，底部与第二埋层接触；器件层，形成于第二埋层和第二导电类型阱区围成的区域中，器件层包括第一导电类型阱区，第一导电类型阱区形成于第二埋层靠近所述第二导电类型阱区的上表面第二导电类型阱区与第二埋层形成的平面结的击穿电压与第二埋层的掺杂浓度有关，在增加第一埋层的掺杂浓度来降低衬底电流的时候，不会降低该平面结的击穿电压。
电子设备半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种紧凑的低电容型肖特基二极管-CN202310372164.6在审
发明人：杜飞波;高东兴 -专利权人：深圳市晶扬电子有限公司
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明包括第一导电类型阱区、设置在所述第一导电类型阱区内、相互隔离的第一导电类型重掺杂区及第二导电类型保护环，所述第二导电类型保护环为第二导电类型轻掺杂区，所述第一导电类型重掺杂区、第一导电类型阱区、第二导电类型轻掺杂区上表面均设有肖特基势垒金属，所述第一导电类型阱区与其直接相接触的表面肖特基势垒金属构成一主肖特基结，所述第二导电类型轻掺杂区与其表面的肖特基势垒金属构成一肖特基结，所述肖特基结与主肖特基结电流整流方向相反。
一种紧凑电容型肖特基二极管

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