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[发明专利]提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法-CN201110023200.5有效
发明人：刘明;连文泰;龙世兵;吕杭炳;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：公开了一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法包括施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的置位态；以及施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到该电阻表示电阻转变存储器的复位态根据本发明提供的提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法采用电流扫描的方式能极大地改善高阻状态的分布，从而提高电阻转变存储器参数分布的均一性。
提高非易失性电阻转变存储器均一方法

[实用新型]一种带自检功能的自动变光焊接滤光镜-CN201320431982.0有效
发明人：杨兆林 -专利权人：宁波吉欧斯达电子有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： A61F9/06 文献下载
摘要：一种带自检功能的自动变光焊接滤光镜，包括液晶片、自检按键S1、电阻、电容、二极管、模拟开关集成块U1、非门集成块U2、电压反相器U4、运放U6、三端稳压管U5、可调电阻W1和W2、外调电位器W3；所述电阻包括电阻R1、电阻R5、电阻R7、电阻R8、电阻R9；所述电容包括电容C1-C15，电容C17、电容C18、电容C20、电容C23、电容C25-C27；所述二极管包括二极管Q6-Q11、二极管Q8。本实用新型运用光电感应原理，当按下自检按钮后，液晶由亮态变为暗态，又自动由暗态转换为亮态，从而起到检测滤光镜是否变光，解决现有技术中传统焊帽没有自检功能而导致在进行焊接作业前无法确定产品是否能够正常工作
一种自检功能自动焊接滤光

[发明专利]一种电源调压电路和电源调压方法-CN201810670667.0在审
发明人：庄阳河 -专利权人：北京星网锐捷网络技术有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本申请提供了一种电源调压电路和电源调压方法，该电源调压电路可以包括：反馈调节电路；第一分压电阻，第二分压电阻，调节电阻，用于输出三种不同电平值的三态输出电路。反馈调节电路的输出端与负载电阻的第一端连接，以用于调节负载电阻第一端的电压，第一分压电阻的第一端与负载电阻的第一端电源的输出端连接，第一分压电阻的第二端接反馈调节电路的输入端；第二分压电阻的第一端接反馈调节电路的输入端，第二分压电阻的第二端接低电平输入端；调节电阻的第一端接第二分压电阻的第一端；三态输出电路的输出端接调节电阻的第二端。该电源调压电路利用电源内部其它控制电路闲置的输出电路作为三态输出电路，与现有技术相比降低了成本。
分压电阻电源第一端反馈调节电路调压电路三态输出电路负载电阻电阻输出端输入端调压低电平输入端输出端连接控制电路输出电路闲置输出申请

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202011528044.3在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵;张维哲;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构包含基底、电性通道层、第一电极、电阻转态层、第二电极和导电结构。电性通道层设置于基底上。第一电极设置于基底上并延伸至电性通道层中。电阻转态层设置于第一电极与电性通道层之间。第二电极设置于电性通道层上。导电结构连接电性通道层和第二电极。本申请可以增加导电丝数量，进而改善数据保存，而不需要增加电阻转态层的厚度。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法-CN201210122112.5有效
发明人：曾俊元;黄骏扬;吴明锜 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：上述非挥发性存储器包括一下导电层；一电阻转态复合层，设置于上述下导电层上，上述电阻转态复合层包括：具有一第一层数的第一氧化物原子层；具有一第二层数的第二氧化物原子层，设置于上述些第一氧化物原子层上；一上导电层，设置于上述电阻转态复合层上。
挥发性存储器及其制造方法

[实用新型]集成梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元-CN201420006480.8有效
发明人：张海鹏;李俊杰;孟晓;余育新;宁祥;陈紫菱 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：常规SOILDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本实用新型由于将集成纵向沟道SOILDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗
集成梳状栅纵向沟道 soi ldmos 单元

[发明专利]一种热反馈机制换能元芯片的设计方法-CN202210578166.6在审
发明人：冯春阳;李慧;骆建军;任炜;陈建华;褚恩义 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种热反馈机制换能元芯片的设计方法，至少包括以下步骤：步骤S1：制备衬底层；步骤S2：在衬底层上形成绝缘层；步骤S3：在绝缘层上设置换能元以及至少一个热敏电阻；步骤S4：换能元和热敏电阻之间形成并联电连接；步骤S5：单片集成为无极性的两端器件；其中，所述热敏电阻为热耦合式阻态开关，用于根据其感应温度呈现为高阻态或者低阻态，其高阻态阻值远大于所述换能元的阻值。采用本发明技术方案，通过单片集成的热敏电阻消除换能元芯片热累积，大大简化了火工品系统的复杂度，提高系统可靠性。
一种反馈机制换能元芯片设计方法

[发明专利]氧化性气体浓度检测方法及其装置-CN201711443954.X有效
发明人：陈一诚;苏平贵;许闳棋;卓蕙瑜;李彬州;巫建宏;简仁德 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：接着，停止对金属氧化物进行电致还原反应以及光致还原反应，并施加第一脉波宽度调变信号以读取金属氧化物的还原态电阻值。接着，施加第二脉波宽度调变信号以读取金属氧化物的氧化态电阻值。接着，根据氧化态电阻值与还原态电阻值的比值换算氧化性气体的浓度。
氧化性气浓度检测方法及其装置

[发明专利]电桥式随机存取存储器及其制造方法-CN201911098593.9在审
发明人：林志曜;许博砚;吴伯伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：此电桥式随机存取存储器包括底电极、金属间介电质、电阻转态组件以及顶电极。其中底电极位于基板上，金属间介电质位于底电极上。电阻转态组件位于底电极上和位于金属间介电质中，且具有倒T型的剖面。顶电极位于电阻转态组件以及金属间介电质上。本发明的电桥式随机存取存储器可以限制导电路径形成位置，还可以良好控制高电阻状态和低电阻状态之间的转换，并且降低电桥式随机存取存储器中不同的存储单元的操作变异性，进而提高最终产品的良率及可靠度。
电桥随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法-CN201710628986.0有效
发明人：廖绍憬;王炳琨;林铭哲;魏敏芝;何家骅;吴健民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种内存储存装置以及电阻式内存组件的形成方法，包括：开始形成程序以对电阻式内存组件施加形成电压，使电阻式内存组件从高阻态转变为低阻态，并且测量电阻式内存组件的第一电流；对电阻式内存组件进行加热步骤，并且测量电阻式内存组件的第二电流；以及比较第一电流以及第二电流，并且依据第一电流以及第二电流的比较结果来决定对电阻式内存组件施加第一电压信号或第二电压信号，或者结束形成程序。另外，一种包括电阻式内存组件的内存储存装置也被提出。
内存储存装置以及电阻组件形成方法

[实用新型]高热态机械强度电阻片-CN201020224867.2有效
发明人：李六弟 -专利权人：上海久能机电制造有限公司
申请日： 2010-06-11 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01C3/00 文献下载
摘要：一种高热态机械强度电阻片，包含横向起伏的波状曲折，其特征在于：该波状曲折至少有二个；该两固定孔的孔距L＝(0.45～0.55)片宽B。解决提高电阻片的热态机械强度的技术问题。
高热机械强度电阻

[实用新型]电池均衡设备及系统-CN201821640224.9有效
发明人：李俊;卢磊;姜辛;贾卫平;熊付强;李阳;宋木森 -专利权人：上海元城汽车技术有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：该电池均衡设备包括：主动均衡电路、被动均衡电路和控制器；主动均衡电路包括：电源和三态开关；电源和三态开关电性连接，控制器和三态开关电性连接；三态开关用于与电池单体电性连接；被动均衡电路包括：电阻和单向开关；电阻的第二端和单向开关的第一端电性连接；电阻的第一端、单向开关的第二端分别与电池单体的两端电性连接；控制器通过控制单向开关、三态开关来控制电池单体放电或者控制电源向电池单体充电。
电性连接三态开关单向开关电池单体电池均衡控制器电阻主动均衡电路设备及系统均衡电路第一端电源均衡电池技术领域本实用新型控制电源主动均衡放电充电电池

[实用新型]热插拔保护电路及板卡-CN202120106062.6有效
发明人：李金明 -专利权人：普联国际有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及热插拔技术领域，公开了一种热插拔保护电路及板卡，所述热插拔电路包括三态缓冲器芯片、单向供电模块以及第一电阻；其中，所述单向供电模块的输入端接入供电电压，所述单向供电模块的输出端与所述三态缓冲器芯片的电源引脚连接；所述第一电阻的一端与所述三态缓冲器芯片的电源引脚连接，所述第一电阻的另一端与所述三态缓冲器芯片的使能引脚连接；所述三态缓冲器芯片的使能引脚还接入使能信号。
热插拔保护电路板卡

[发明专利]一种开关式数控衰减器-CN201910565560.4在审
发明人：伍晶;郭嘉炜;罗文玲;裘华英 -专利权人：伍晶
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H03H17/00 文献下载
摘要：所述开关式数控衰减器由多个衰减单元级联而成；衰减单元包括参考态幅度控制电阻R_S、微带线、第一开关M1、隔离电阻R₀、第二开关M2和衰减态幅度控制电阻R_P；其中两个参考态幅度控制电阻R_S通过微带线串联，形成第一支路；两个隔离电阻R₀串联，形成第二支路；第一支路、第一支路、第一开关M1并联；第二开关M2的漏极与连接两个隔离电阻R₀的接线端连接。
数控衰减器支路开关式幅度控制隔离电阻微带线电阻第一开关参考态串联衰减单元级联插入损耗电容电感衰减单元接线端并联减小漏极衰减校正

[实用新型]具有负载冷态短路保护功能的场效应管电子开关电路-CN202021241078.X有效
发明人：陈维忠;许中荣 -专利权人：南京长亚轨道交通科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有负载冷态短路保护功能的场效应管电子开关电路，包括驱动芯片U1、过流值设定电位器W1、分压电阻R1、输入电阻R3、场效应管Q1及其栅极电阻R2、栅极放电二极管D1、放电电阻R4和保护稳压管Z1、电流取样电阻R6、取样滤波电阻R5和取样滤波电容C2、输出保护压敏电阻RV1、输出续流二极管D3、输出滤波电容C3、输出电压隔离二极管D2、限流电阻R7、限流电阻R8、防反二极管D4以及输出电压取样光耦U2；本实用新型采用电压取样法过流保护，该电路通过采集负载电压，实现过流、热态短路、冷态短路的保护；具有电路简单成本低、保护范围广、动作可靠等优点。
具有负载短路保护功能场效应电子开关电路