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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910279365.5有效
发明人： 吴伯伦;蔡世宁;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：一种存储器装置及其制造方法，存储器装置包含第一电极、电阻转态层、盖层、保护层以及第二电极。电阻转态层设置于第一电极上方。盖层设置于电阻转态层上方，其中盖层的底表面小于电阻转态层的顶表面。保护层设置于电阻转态层上方且环绕盖层。第二电极的至少一部分设置于盖层上方且覆盖保护层。本发明可通过在存储器装置设置环绕盖层的保护层，以避免后续制造工艺损伤盖层，进而改善存储器装置的可靠度并增加制造工艺宽裕度。
存储器装置及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201910019427.9有效
发明人： 吴伯伦;白昌宗;林铭哲;林孟弘 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-01-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电阻式随机存取存储器(resistive random access memory，RRAM)，可改进RRAM的数据保持能力且能提高存储密度。RRAM包括下电极、上电极、第一可变电阻层以及第二可变电阻层。下电极设置于衬底上，且为单一电极或彼此电性相连的电极对。上电极设置于下电极上，且重叠于下电极。第一可变电阻层与第二可变电阻层设置于衬底上。至少一部分的第一可变电阻层设置于下电极与上电极之间，且至少一部分的第二可变电阻层设置于下电极与上电极之间并连接于第一可变电阻层。
电阻随机存取存储器

[发明专利]金钥产生装置及方法-CN201810243005.5有效
发明人：林孟弘;何家骅;吴伯伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：本发明提出了一种金钥产生装置及方法，该金钥产生装置包括一第一存取电路、一第一运算电路以及一第一验证电路。在一写入期间，第一存取电路写入一第一预设数据至一第一电阻式存储单元。在一随机化程序后，第一存取电路读取流经第一电阻式存储单元的一第一电流。第一运算电路对第一电流进行计算，用以产生一第一计算结果。第一验证电路根据第一计算结果，产生一第一密码。
产生装置方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器结构-CN201910261072.4有效
发明人： 吴伯伦;陈宜秀;沈鼎瀛;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种电阻式随机存取存储器结构，包含半导体衬底、晶体管、底电极、多个顶电极、以及电阻转换层。晶体管设置于半导体衬底之上。底电极设置于半导体衬底之上且与晶体管的漏极区电性连接。这些顶电极沿着底电极的侧壁设置。电阻转换层设置于这些顶电极与底电极之间。其中，电阻式随机存取存储器结构包含沿着底电极的侧壁设置的多个顶电极，以实现1TnR结构(其中n等于或大于4)，使得电阻式随机存取存储器结构的单位面积的储存容量得以提升。
电阻随机存取存储器结构

[发明专利]电阻式随机存取存储单元及其制造方法-CN202110522097.2在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储单元及其制造方法，所述电阻式随机存取存储单元包括第一电极、氧存储层、可变电阻层以及第二电极。第一电极位于介电层上，包括主体部，在第一方向延伸；以及多个延伸部，与主体部的侧壁连接，在第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直。氧存储层覆盖第一电极。可变电阻层，位于第一电极层与氧存储层之间。第二电极，位于氧存储层的顶面上方以及氧存储层的上侧壁周围。
电阻随机存取存储单元及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110332090.4在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包含：基板、第一电极、空位供应层、侧壁阻障层、氧储存层、阻值转换层以及第二电极；第一电极设置于基板上；空位供应层设置于第一电极上；侧壁阻障层设置于第一电极上；氧储存层设置于第一电极上，且侧壁阻障层设置于氧储存层与空位供应层之间；阻值转换层设置于空位供应层上；第二电极设置于阻值转换层上。使得半导体结构中同时具有氧离子导通路径与空位导通路径，来获得更优良的电性特征。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202110286452.0在审
发明人：许博砚;吴伯伦;蔡世宁;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：第一电极层与第二电极层，彼此相对设置；可变电阻层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；氧交换层，位于所述可变电阻层与所述第二电极层之间；空缺提供层，位于环绕于所述氧交换层的中间侧壁周围；以及空缺驱动电极层，位于所述空缺提供层上，环绕于所述氧交换层的上侧壁周围。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式存储器-CN202011563684.8在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器，包括基底、第一电极、第二电极、可变电阻层与氧储存层。第一电极位于基底上。第二电极位于第一电极与基底之间。可变电阻层位于第一电极与第二电极之间。氧储存层位于第一电极与可变电阻层之间。氧储存层包括第一部分、第二部分与第三部分。第二部分连接于第一部分的一侧。第三部分连接于第一部分的另一侧。第一部分的厚度大于第二部分的厚度与第三部分的厚度。氧储存层的第一部分朝向第一电极突出。上述电阻式存储器可有效地提升存储器元件的电性效能。
电阻存储器

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202011528044.3在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵;张维哲;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构包含基底、电性通道层、第一电极、电阻转态层、第二电极和导电结构。电性通道层设置于基底上。第一电极设置于基底上并延伸至电性通道层中。电阻转态层设置于第一电极与电性通道层之间。第二电极设置于电性通道层上。导电结构连接电性通道层和第二电极。本申请可以增加导电丝数量，进而改善数据保存，而不需要增加电阻转态层的厚度。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010733242.7在审
发明人：许博砚;吴伯伦;蔡世宁 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括第一电极层与第二电极层，彼此相对设置；可变电阻层，位于所述第一电极层与所述第二电极层之间；氧交换层，位于所述可变电阻层与所述第二电极层之间；导体层，侧向环绕于所述氧交换层的侧壁周围；第一阻挡层，位于所述导体层与所述氧交换层之间以及所述氧交换层与所述可变电阻层之间；以及第二阻挡层，位于所述导体层与所述第二电极层之间以及所述第二电极层与所述氧交换层之间。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010618203.2在审
发明人： 吴伯伦;许博砚 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括：介电层、下电极、数据储存层、隔离结构、第一储氧层、第二储氧层以及上电极。下电极突出于介电层的顶面。数据储存层共形地覆盖下电极与介电层。隔离结构配置在下电极上。第一储氧层配置在隔离结构的第一侧处的数据储存层上。第二储氧层配置在隔离结构的第二侧处的数据储存层上。隔离结构分隔第一储氧层与第二储氧层。上电极配置在第一储氧层与第二储氧层上且被第一储氧层与第二储氧层共享。另提供一种电阻式随机存取存储器的制造方法。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010626425.9在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包含基底、第一介电层、底电极、电阻转换层、氧原子交换层、阻挡层以及顶电极。前述第一介电层设置于基底上。前述底电极设置于第一介电层上。前述电阻转换层设置于底电极上。前述氧原子交换层设置于电阻转换层上，其中氧原子交换层与电阻转换层的接触面积小于电阻转换层的顶面面积。前述阻挡层设置于氧原子交换层上。前述顶电极设置于阻挡层上。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010630340.8在审
发明人：许博砚;蔡世宁;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。电阻式随机存取存储器包括堆叠结构以及位线结构。堆叠结构设置于衬底上。堆叠结构包括下部电极、上部电极以及可变电阻层。下部电极设置于衬底上。上部电极设置于下部电极上。可变电阻层设置于下部电极与上部电极之间。位线结构覆盖堆叠结构的顶面且覆盖至堆叠结构的侧壁的一部份。位线结构与堆叠结构电性连接。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010009731.8在审
发明人：林孟弘;吴伯伦;许博砚;童盈辅;陈汉修 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。此电阻式随机存取存储器包括形成于基板上的层间介电层、第一底部接触结构及第二底部接触结构。第一存储器单元位于第一底部接触结构上。第一存储器单元包括第一底电极层，且第一底电极层包括第一导电区域。第一导电区域垂直投影于第一底部接触结构的图样为第一投影图样。第二存储器单元位于第二底部接触结构上。第二存储器单元包括第二底电极层，且第二底电极层包括第二导电区域。第二导电区域垂直投影于第二底部接触结构的图样为第二投影图样。第二投影图样不同于第一投影图样。本发明可在不增加制造工艺的复杂度、生产成本及生产时间的前提下，大幅增加读出电流的乱度。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]存储器装置与其操作方法-CN201911322465.8在审
发明人：刘家铭;林铭哲;吴伯伦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器装置与其操作方法，存储器装置包括存储单元阵列、第一参考单元、第二参考单元与控制单元。存储单元阵列具有多个存储单元。第一参考单元提供第一参考电流。第二参考单元提供第二参考电流，其中第一参考电流的电流值小于第二参考电流的电流值。控制单元耦接存储单元、第一参考单元与第二参考单元，于数据写入操作时，控制单元提供第一电流至一存储单元，并读取存储单元回应于第一电流产生的第二电流，且依据存储单元的数据写入状态，选择比对第二电流与第一参考电流，或是比对第二电流与第二参考电流，以确定数据写入状态的数据写入是否成功，有效地增加确认存储器的可靠度及精准度。
存储器装置与其操作方法

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