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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]切割晶圆的方法及晶粒-CN201910264070.0有效
发明人：韦承宏;陈宏生;陈靖为;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种切割晶圆的方法及晶粒。所述方法包括以下步骤：提供晶圆，晶圆包括多个晶粒区以及位于多个晶粒区之间的切割区。切割区包括衬底以及位于衬底上方的介电层与测试结构，测试结构设置于介电层中。进行第一移除工艺，以移除测试结构及其周围的介电层，并暴露出衬底。第一移除工艺包括进行多次蚀刻循环，其中每一多次蚀刻循环包括：进行第一蚀刻工艺，以移除测试结构的一部分以及进行第二蚀刻工艺，以移除介电层的一部分。进行第二移除工艺，以移除位于切割区的衬底，并形成多个彼此分离的晶粒。
切割方法晶粒

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202011528044.3在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵;张维哲;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种存储器结构及其制造方法，所述存储器结构包含基底、电性通道层、第一电极、电阻转态层、第二电极和导电结构。电性通道层设置于基底上。第一电极设置于基底上并延伸至电性通道层中。电阻转态层设置于第一电极与电性通道层之间。第二电极设置于电性通道层上。导电结构连接电性通道层和第二电极。本申请可以增加导电丝数量，进而改善数据保存，而不需要增加电阻转态层的厚度。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]切割晶圆的方法-CN201811344565.6有效
发明人：陈靖为;韦承宏;张硕哲;陈宏生;周信宏 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种切割晶圆的方法，包括：提供晶圆，包括基底、形成于基底中及基底上的多个晶粒以及位于相邻晶粒之间的切割区内的切割道结构；移除切割道结构的位于测试元件周围的部分；将晶圆的前侧附着于第一胶带；自晶圆的背侧移除基底的交叠于切割区的部分；将晶圆的背侧附着于第二胶带；以及移除第一胶带以及附着于第一胶带上的切割道结构的剩余部分，而使多个晶粒分离地附着于第二胶带上。
切割方法

[发明专利]电极的制造方法及电阻式随机存取内存-CN201610121062.7有效
发明人：陈义中;彭徵安;张硕哲;温松颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电极的制造方法及电阻式随机存取内存。其中电极的制造方法包括下列步骤。在基材上形成导体层。使用射频物理气相沉积法在导体层上形成射频物理气相沉积过渡金属化合物层。在射频物理气相沉积过渡金属化合物层上形成牺牲层。进行平坦化制程，以移除牺牲层与部分射频物理气相沉积过渡金属化合物层。本发明可形成表面平坦、细致且具有足够厚度的射频物理气相沉积过渡金属化合物层，进而可提升组件的电性表现。
电极制造方法电阻随机存取内存

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201410522708.3有效
发明人： 张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括上电极、下电极以及介于上、下电极之间的转变金属氧化物层。上述电阻式随机存取存储器还包括位于上电极上方的金属盖层以及位于所述金属盖层与上电极之间的透明导电氧化物层。
电阻式随机存取存储器电极金属盖层下电极透明导电氧化物层金属氧化物层

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201410158243.8有效
发明人： 张硕哲;何家骅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该电阻式随机存取存储器包括第一电极层、第二电极层以及位于该第一电极层与该第二电极层之间的堆栈结构。该堆栈结构包括成分为HfOx的导电层与成分为HfOy的可变电阻层，其中x
电阻式随机存取存储器第二电极第一电极堆栈结构数据保持能力可变电阻层扩散导电层中导电层氧离子制造金属

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201410256914.4有效
发明人： 张硕哲;温松颖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，其中的电阻式随机存取存储器包括第一电极、第二电极以及介于第一与第二电极之间的转变金属氧化物层。上述电阻式随机存取存储器还包括介于第一电极与转变金属氧化物层之间的活性化金属层以及一层金属氮氧化层，这层金属氮氧化层是在含氧元素与氮元素的气体环境下形成于活性化金属层的表面。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201410159086.2在审
发明人：何家骅;张硕哲;廖修汉;许博砚;林孟弘;吴伯伦;沈鼎瀛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-04-18 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。该电阻式随机存取存储器包括第一电极层、第二电极层以及设置在该第一电极层和该第二电极层之间的可变电阻层，其中该第二电极层包括第一子层、第二子层和设置在该第一子层和该第二子层之间的导电性金属氮氧化物层。通过本发明可以改善电阻式随机存取存储器在高温状态下数据保持能力不佳的问题。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]存储器元件及其形成方法-CN201410147691.8在审
发明人：许博砚;廖修汉;张硕哲;何家骅 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储器元件及其形成方法，该存储器元件包括一第一电极；一第二电极；以及一电阻层，位于该第一电极与该第二电极之间，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的约0.2至约1之间。存储器元件的形成方法包括：于一第一电极上形成一电阻层，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的约0.2至约1之间；以及于该电阻层上形成一第二电极。通过本发明提供存储器元件及形成方法，可以有效提升电阻式非易失性存储器的良率和效能。
存储器元件及其形成方法

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201310083714.9在审
发明人：郭泽绵;张硕哲 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，具体地讲是关于一种半导体装置的制作方法，所述方法包括：在一半导体基板上形成一绝缘层；在绝缘层中形成至少一个开口，以露出半导体基板，其中半导体基板在位于开口底部的表面区域形成一原生氧化层；在开口的侧壁形成一导电间隙壁；形成导电间隙壁之后，实施一蚀刻步骤，以除去位于开口底部之原生氧化层并露出半导体基板；以及在开口内填充一导电材料，以形成一导电栓塞。本发明可以用以解决实际技术中除掉接触窗底部的原生氧化层时，接触窗尺寸（或孔径）变大的问题。
半导体装置制作方法

[发明专利]半导体装置、无缝填隙的方法与浅沟槽隔离结构的制法-CN201110036387.2有效
发明人：聂鑫誉;张硕哲;张惠岚;陈政顺 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种无缝填隙方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括具有缺口设置于其内的组件膜层，所述缺口具有大于4的深宽比；在所述缺口所露出的所述组件膜层上形成衬层；在所述缺口内的所述衬层上形成第一未掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述第一未掺杂氧化物层上形成掺杂氧化物层；在所述缺口内的所述掺杂氧化物层上形成第二未掺杂氧化物层，并填满所述缺口；以及对所述第二未掺杂氧化物层、所述掺杂氧化物层与所述第一未掺杂氧化物层施行回火程序，在所述缺口内形成无缝氧化物层，其中无缝氧化物层具有内部掺杂区。
半导体装置无缝填隙方法沟槽隔离结构制法

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