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[发明专利]一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法-CN201110060470.3有效
发明人：李润伟;胡本林;诸葛飞;潘亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种电阻型随机存储器的存储单元及其制备方法，该存储单元包括绝缘衬底，绝缘衬底表面设置第一电极，第一电极表面设置中间层，中间层的表面设置第二电极，在第一电极和第二电极之间施加电脉冲时该存储单元具有电阻转变特性与现有技术相比，本发明采用聚西佛碱作为随机存储器存储单元的中间层，在直流电压连续扫描激励下表现出优异的高低阻态之间的转变和记忆特性，其高低电阻态间的差值可大于1012倍，在连续1010次高低阻态循环的过程中，高低阻态的电阻值表现出较好的稳定性，置位电压和复位电压表现出很好的稳定性，这些特性表明本发明在存储器件领域具有潜在的应用价值。
一种电阻随机存储器存储单元及其制备方法

[发明专利]一种基于EHD印刷电阻技术的强PUF电路设计方法-CN202010217434.2有效
发明人：曹元;韩昊博;袁博洋 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01C17/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于EHD印刷电阻技术的强PUF电路设计方法，具体步骤如下：步骤1：确定打印参数；步骤2：根据步骤1确定的打印参数利用EHD印刷技术在PET基板上打印两组并联电阻；步骤3：将每个电阻的左端接三态门的输出端即右端均接地，三态门的输入端均接高电平，三态门的控制端接控制器的输出端，将两组电阻的中间引出电压与三态门的输入高电平的一半进行比较，比较的结果用运放输出一位的二进制数，即为PUF电路输出。
一种基于 ehd 印刷电阻技术 puf 电路设计方法

[发明专利]一种智能化电子式真空引水控制器-CN201911234850.7有效
发明人：覃玉梅 -专利权人：浙江久本电器有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： F04D15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能化电子式真空引水控制器，所述控制器包括流量开关装置，用于根据泵站中真空管路中的流体流态自动控制泵站主机组的开启，所述流量开关装置包括检测单元和微处理单元，所述检测单元包括惠斯通电桥，所述惠斯通电桥包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻和加热元件，所述第一电阻和第二电阻为热敏电阻，所述加热元件对所述第二电阻进行加热，所述第一电阻和第三电阻串联后与串联的第二电阻和第四电阻并联，通过检测所述第一电阻和第二电阻之间的温度差检测所述真空管路中的流体流态
一种智能化电子真空引水控制器

[发明专利]一种实现存储单元多级存储的方法及装置-CN202110471674.X在审
发明人：崔紫荆;蔡道林;李阳;李程兴;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种实现存储单元多级存储的方法及装置，方法包括：根据存储单元的电阻随电脉冲变化率划分每个阻态对应的电阻区间；统计所述每个电阻区间对应的电脉冲范围，确定多级存储进行每个阻态操作时设置的电脉冲范围；根据所述电阻区间和所述电脉冲范围对所述存储单元进行脉冲操作，并在每次脉冲操作后通过读操作确认所述相变存储器的电阻值是否到达目标状态，用以控制脉冲操作的停止或继续。
一种实现存储单元多级方法装置

[发明专利]电阻式非易失性存储器装置及其制造方法-CN201410315518.4有效
发明人：吴伯伦;林孟弘;沈鼎瀛 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式非易失性存储器装置及其制造方法。上述电阻式非易失性存储器装置包括一第一电极；一第二电极，设置于上述第一电极上；一电阻转态层，设置于上述第一电极和上述第二电极之间，其中上述电阻转态层包括一第一区域，具有一第一氮原子浓度；一第二区域，相邻于上述第一区域本发明能够提升电阻式非易失性存储器装置的可靠度。
电阻非易失性存储器装置及其制造方法

[发明专利]可变电阻记忆体电路以及可变电阻记忆体电路的写入方法-CN201611026402.4有效
发明人：郭家辰;许世玄 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种可变电阻记忆体电路与可变电阻记忆体电路的写入方法。可变电阻记忆体电路包括可变电阻记忆体晶胞(包括可变电阻元件与晶体管)、电压信号产生电路、切换电路、侦测电路与控制器。切换电路耦接晶体管与可变电阻元件。侦测电路耦接电压源与切换电路。控制器耦接电压信号产生电路、切换电路与侦测电路。可变电阻记忆体晶胞在写入动作时，电压信号产生电路提供电压信号至晶体管，且侦测电路连续地侦测可变电阻元件是否发生电阻值转态。若发生电阻值转态，控制器停止写入动作。
可变电阻记忆体电路以及写入方法

[发明专利]一种在线测量浆态床内三相含率的装置及方法-CN201110050439.1无效
发明人：王玉华;杨宁;李静海 -专利权人：中国科学院过程工程研究所
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在线测量浆态床内三相含率的装置。所述装置包括电导探针检测单元(2)和电阻层析成像检测单元(1)；所述电导探针检测单元(2)包括设置在浆态床(9)内若干电导探针(4)，用于测定气相体积含率；所述电阻层析成像检测单元(1)包括设置在浆态床(9)内壁上的若干传感器电极(3)，用于测定气相体积含率和固相体积含率之和；所述的电导探针(4)和传感器电极(3)在浆态床(9)的圆周上等弧均匀设置，且纵向呈多层设置。本发明的装置可以很方便快捷的得到浆态床内气液固三相各自的体积含率，分析容易，精度较高，安全无辐射。
一种在线测量浆态床内三相装置方法

[发明专利]一种高速模数转换器的相位可调时钟输出电路-CN200910208205.8有效
发明人：华玲林 -专利权人：无锡安芯半导体有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：其包括时钟信号输入部分、时钟输出管脚，其特征在于：时钟信号输入部分包括延迟锁定环、选择器，时钟输出管脚连接有电阻可调的外接电阻RL，加载于该电路的电压U被上拉电阻RC与外接电阻RL组成分压电路，其加载于上拉电阻通向(N-1)个比较器，(N-1)个比较器分别连接编码电路，编码电路连接锁存器的输入端，锁存器的输出端连接选择器的输入端，延迟锁定环产生的N个不同相位的时钟信号连接选择器的输入端，选择器的输出端连接三态门，上电复位分别连接锁存器、三态门，三态门的另一端连接时钟输出管脚。
一种高速转换器相位可调时钟输出电路

[实用新型]一种光模块-CN202120717444.2有效
发明人：王凤来;李雪健;姜双弟 -专利权人：青岛海信宽带多媒体技术有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本申请提供的光模块包括电路板、金手指、MCU、逻辑芯片和第一电阻，当光模块发生中断时MCU获取到该光模块中断信号，生成第一使能信号，逻辑芯片接收到第一使能信号后，输出态为高阻态，此时不输出控制信号，逻辑芯片的输出端与第一电阻的输入端之间为断路，第一电阻未被接入至电路中，此时光模块生成第一电平，金手指将第一电平传递至上位机；当光模块未中断时MCU生成第二使能信号，逻辑芯片接收到第二使能信号后，输出态为透传状态，此时输出控制信号，逻辑芯片的输出端与第一电阻的输入端之间为通路，第一电阻被接入至电路中，此时光模块生成第二电平，金手指将第二电平传递至上位机，上位机根据接收的电平值判断光模块工作状态。
一种模块

[发明专利]一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法-CN201510602812.8有效
发明人：李小丽;贾娟;李洁;李燕春;许小红 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法，包括基片和沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层和顶电极构成，所述的基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片，所述的沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层为ZnO/ZnO‑Co本发明的有益效果在于本发明设计并制备了ZnO/ZnO‑Co复合阻变功能膜，并在以此为基础的Pt/ZnO/ZnO‑Co/Pt器件中同时发现了电致阻变效应和磁电阻效应两种重要性质。当在顶电极上加一定正电压时，器件由高阻态转变为低阻态，继而在顶电极上加一定负电压时，器件由低阻态变为高阻态。不论该器件处于高阻态还是低阻态，其在外加磁场下，均显示室温MR效应，因此，通过电场和磁场的共同调控可以实现四个电阻态，该器件可用于多态存储器。
一种电场磁场共同调控多阻态忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种IGBT器件结温的在线测量方法及系统-CN202310687583.9在审
发明人：李景灏;洪磊;王文广;李军;王坤 -专利权人：杭州飞仕得科技股份有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT器件结温的在线测量方法及系统，将IGBT器件的通态压降简化为P‑i‑N结压降、MOSFET沟道电阻压降与连接材料电阻压降之和，通过测量IGBT器件在不同集电极电流下的集电极‑发射极电压，对IGBT器件的通态斜率电阻进行在线估算，令IGBT器件的集电极‑发射极电压减去对应的集电极电流与通态斜率电阻的乘积，近似得到IGBT器件中“P‑i‑N结压降”，将其作为新的温敏电参数，由于P‑i‑N
一种 igbt 器件在线测量方法系统

[发明专利]一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法-CN201610885142.X在审
发明人：薛晓勇;林殷茵 -专利权人：复旦大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明涉及嵌入式控制领域，公开了一种非易失三态内容寻址存储器及其寻址方法，所述存储器包括搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元，所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻，所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连，所述第一存储电阻的第二端与所述匹配线相连，所述第二存储电阻的第一端与所述互补搜索线相连，所述第二存储电阻的第二端与所述匹配线相连。本发明提供的非易失三态内容寻址存储器及其实现寻址方法，具有存储密度大和可靠性强特点。
一种非易失三态内容寻址存储器及其方法

[发明专利]一种具有巨大电致电阻效应的铁氧化物材料-CN200810104935.9无效
发明人：孙阳;李长辉;成昭华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-04-25 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有巨大电致电阻效应的铁氧化物材料，该材料的化学式为(Lu_1-xR_x)Fe₂O₄，其中R为重稀土元素本发明在室温附近具有很大的电致电阻效应，在其上外加较小的电场就可以使材料的电阻从绝缘态转变为金属态。因此，本发明在高密度存储电子元件、可调电阻、电传感器等领域具有极大的应用价值。
一种具有巨大致电效应氧化物材料

[发明专利]三维纵向一次编程存储器-CN201710246992.X在审
发明人：张国飙 -专利权人：成都海存艾匹科技有限公司
申请日： 2017-04-16 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：它含有多个在衬底电路上并肩排列的竖直存储串，每个竖直存储串垂直与衬底且含有多个垂直堆叠的OTP存储元，每个存储元含有一反熔丝膜，在编程时该反熔丝膜从高电阻态不可逆转地转变为低电阻态。
三维纵向一次编程存储器

[发明专利]测量电阻值的方法及电路-CN201010221425.7有效
发明人：许国原;陈柏宏;黄建程;苏布拉马尼·肯基瑞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种测量电阻值的方法及电路，该电路包括：一第一子电路，用以接收一输入电压，并产生一第一电压与一第二电压，该第一电压产生流经一电阻性装置的一第一电流，而该第二电压产生该第二电流；一节点，电性耦接至该电阻性装置，并具有一第三电压，该第三电压产生一第三电流；以及一第二子电路，用以产生一第四电压，其具有一逻辑态，表示该电阻性装置的逻辑态。本发明可以有效率并精确地测量电熔丝电阻值。
测量阻值方法电路

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