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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法及太阳能电池-CN201580072597.3有效
发明人：大塚宽之 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2015-11-26 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：利用切克劳斯基法，提拉掺镓直拉单晶硅；以及，将前述直拉单晶硅作为原料棒，以1.6气压以上对该原料棒进行浮区处理，由此制造区熔单晶硅由此，可提供一种太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法，该太阳能电池用区熔单晶硅的制造方法能减少不可避免地进入直拉晶体中的氧，防止生成会对太阳能电池特性造成影响的硼‑氧对，并能抑制浮区处理中的镓掺杂剂的蒸发量
太阳能电池用区熔单晶硅制造方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法-CN201110306525.4无效
发明人：李立伟;王彦君;王岩;张雪囡;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及用直拉区熔法制备6英寸P型太阳能硅单晶的方法，首先用直拉法工艺完成清理直拉炉膛、装料、抽真空、充氩气、加热化料、引晶、拉细颈、放肩、收肩、等径、收尾、提起降温、出炉过程；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，符合区熔用料标准后，再用区熔的方法继续拉制气掺单晶，运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合硅单晶CFZ生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度，拉晶工艺参数范围，使工艺方法满足生产6英寸P型太阳能硅单晶的要求
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法-CN201210032561.0无效
发明人：王彦君;张雪囡;王岩;徐强;高树良;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅单晶的制备工艺，特别涉及一种用直拉区熔法制备6英寸N型太阳能硅单晶的方法。其特征在于，首先用直拉法进行硅多晶料的拉制；然后进行锭形加工、清洗腐蚀，再用区熔气掺的方法继续拉制掺杂的硅单晶，本发明的有益效果是：运用气相掺杂区熔硅单晶方法结合直拉硅单晶生产方法，通过控制抽空充气，掺杂气体浓度
用直拉区熔法制英寸太阳能硅单晶方法

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体，掺杂气体通入量逐渐降低或升高；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

[发明专利]一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法-CN201210059756.4无效
发明人：张雪囡;菅瑞娟;徐强;李建宏;王彦君;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法，在硅多晶棒的生产时，采用双石英坩埚法、降压直拉法获得轴向电阻率一致的硅多晶，之后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀直拉区熔气掺法

[发明专利]直拉或区熔单晶用料生产过程中产品质量的控制方法-CN202111549828.9在审
发明人：刘翠;于生海;罗永青;李豪杰;何泳 -专利权人：新疆大全新能源股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明为直拉或区熔单晶用料生产过程中产品质量的控制方法。直拉或区熔单晶用料生产过程中产品质量的控制方法，所述的控制方法包括：还原炉底盘清理、钟罩清洗、拆卸硅棒、硅棒洁净防护过程、硅料破碎和硅料筛分。本发明所述的直拉或区熔单晶用料生产过程中产品质量的控制方法，通过对还原炉底盘清理、钟罩清洗、拆卸硅棒、硅棒洁净防护过程、硅料破碎和硅料筛分的控制，可以实现磁性物质的控制标准。
区熔单晶用料生产过程产品质量控制方法

[发明专利]太阳能电池的硅原料-CN200480039417.3有效
发明人： E·埃内巴克;K·弗里斯塔德;R·特伦斯塔;C·扎赫迪;C·德特洛夫 -专利权人：埃尔凯姆有限公司
申请日： 2004-01-12 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅原料，所述硅原料用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带，其含有分布在该材料中的0.2－10ppma硼和0.1－10ppma磷。本发明进一步涉及用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带，其含有分布在锭中的0.2－10ppma硼和0.1－10ppma磷，所述硅锭在位于所述锭高度或者片或带的厚度的最后，本发明涉及用于制备硅原料的方法，所述硅原料用于制备生产PV太阳能电池用硅晶片的定向凝固直拉法区熔单晶硅或多晶硅锭、薄硅片或带。
太阳能电池原料

[发明专利]生产硅单晶的直拉区熔法-CN00105518.6有效
发明人：沈浩平;李翔;汪雨田;昝兴利 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2000-03-30 - 公布日： 2002-12-04 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下(1)将料装入直拉炉抽真空充氩气，(2)加热化料熔接籽晶，(3)拉细颈，(4)放肩收肩，(5)等径生长，(6)收尾，(7)降温出炉，(8)对多晶棒定形加工清洗腐蚀，(9)装入区熔炉抽真空充氩气，(10)预热化料熔接籽晶，(11)引晶拉细颈，(12)放肩等径生长，(13)拉断尾部，(14)降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量，生产的硅单晶氧含量为1016atm/cm3，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
生产硅单晶直拉区熔法

[发明专利]硅红外滤光片的热处理工艺-CN91107462.7无效
发明人：谭淞生;朱建生;李月珍 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1991-08-06 - 公布日： 1994-10-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在400-1000℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至850℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在9μm处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平，用热处理后的廉价直拉硅单晶片制造的红外滤光片，可满足红外仪器设备所需红外滤光片的要求，大大降低了滤光片的成本。
红外滤光热处理工艺

[发明专利]一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法-CN201010552635.4有效
发明人：王鹏飞;林曦;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。
一种用于制造大功率器件半导体衬底方法

[发明专利]一种PET片材生产用连续熔体直拉成型系统-CN202210790140.8在审
发明人：张奇;徐有军;曹陈龙;陈浩 -专利权人：南京栩杨高新材料有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B29C48/07 文献下载
摘要：一种PET片材生产用连续熔体直拉成型系统，包括以下步骤：（1）熔融聚合法制备PET：反应釜中，加入PTA和MEG进行酯化反应，然后加入催化剂，缩聚反应得到PET；（2）将步骤（2）得到的PET在熔融状态下，通过熔体泵、熔体过滤器后，送入双螺杆挤出机，在挤出机中将缩聚反应得到的PET进行低分子物的脱挥，得到聚合度为80‑150的PET；通过熔体分配阀分配至连续熔体直拉成型装置得到PET片材；本公司熔体直拉工艺，聚合后，直接一步到位，熔体直拉成片材，减少了传统工艺中7个高能耗的步骤，节能预计达到65%，成本可降低1000‑1200元/吨。
一种 pet 生产连续熔体直拉成型系统

[发明专利]一种单晶硅的制作方法-CN201610108941.6在审
发明人：尚锐刚 -专利权人：北京天能运通晶体技术有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶硅的制作方法，包括：选取区熔单晶硅的头尾料和剩余原料，并粉碎成块状料；将所述块状料进行酸腐蚀、清洗和烘干；利用直拉法将所述块状料拉制成多晶棒；将所述多晶棒进行加工和清洗；利用区熔法将所述多晶棒拉制成区熔单晶硅本申请提供的上述单晶硅的制作方法，能够充分的利用头尾料和剩余原料生产出合格的区熔单晶产品，从而能够降低生产成本。
一种单晶硅制作方法

[实用新型]一种直拉单晶水冷屏用辅助结构-CN202321297468.2有效
发明人：李磊;杨志;樊国庆 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种直拉单晶水冷屏用辅助结构，包括熔硅时配置于水冷屏内侧的罩体，所述罩体与所述水冷屏之间构置有缝隙。本申请一种直拉单晶水冷屏用辅助结构，主要用于熔硅时改善气流的流向，以使气流更多地作用在水冷屏内壁上，气流沿水冷屏内壁可带走更多的硅粉，从而可降低硅粉粘附在水冷屏内壁上的几率；同时还可降低熔硅液面表面发生跳硅的现象，避免熔硅随气泡飞溅到水冷屏内壁。
一种直拉单晶水冷辅助结构

[发明专利]一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法-CN201210059754.5无效
发明人：张雪囡;高树良;王彦君;李建宏;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备区熔硅单晶的铸造区熔气掺法，首先采用铸造法制备多晶硅，之后对多晶硅进行切方、滚磨、开槽和开圆锥机加工，以加工后的多晶硅棒作为区熔硅单晶原料，采用区熔气掺法进行拉晶，且在开始拉晶时通入定量的掺杂气后便停止通入掺杂气；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的掺杂剂平均浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于多晶料棒的掺杂剂浓度较为均匀，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性；相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，径向电阻率均匀性得到了有效提高。
一种制备区熔硅单晶铸造区熔气掺法

[发明专利]二极管及其制备方法-CN202010958636.2在审
发明人：尹江龙;章剑锋;向军利 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种二极管及其制备方法，制备方法包括：提供第一导电类型的衬底，衬底包括块晶圆或由以下任意一种方法制成的晶圆：中子嬗变掺杂法、直拉法、区熔法、直拉区熔法和磁控拉晶法，衬底包括相对的第一表面和第二表面；在衬底的第一表面上形成第一导电类型阱区；在衬底的第二表面上形成第二导电类型阱区；在第一导电类型阱区和第二导电类型阱区上分别形成第一电极层和第二电极层；其中，第一导电类型和第二导电类型中，其中一个为N型
二极管及其制备方法

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