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[发明专利]具有带有不同的铬含量的NiCoCrAlY双保护层的层系统和合金-CN201310281935.7无效
发明人：维尔纳·施塔姆 -专利权人：西门子公司
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：通过应用双层的NiCoCrAlY层能够减少在热生长氧化层中的裂纹的形成，所述热生长氧化层由于NiCoCrAlY层的保护作用而形成。
具有带有不同含量 nicocraly 保护层系统合金

[发明专利]一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法-CN202110141979.4在审
发明人：齐红基;赛青林 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法，生长装置包括：(1)本体，本体包括热场结构，热场结构用于保温形成热场，热场结构由至少一层保温层层叠而成，保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔；(2)密封层，所述密封层设置在所述本体外围。本发明的热场结构采用了多块分层、且多块子母扣拼接的方式，有效的释放高温下热应力，避免了不受控开裂；本发明还采用透明且耐高温材质的密封层对整体结构进行密封，确保了氧化镓晶体生长所需的密封低气体对流环境，从而有效抑制氧化镓晶体生长过程中的挥发，实现连续稳定制备高质量氧化镓晶体。
一种导模法生长氧化晶体装置方法

[发明专利]一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法-CN200610112701.X有效
发明人：毕津顺;海潮和 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括：A.在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注入，对得到的器件进行电学隔离；B.在电学隔离后的器件表面热生长一层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；C.在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光刻版，以光刻胶为掩膜，对热生长及淀积的二氧化硅进行刻蚀；D.去胶，然后低温热生长一层高质量栅氧化层，化学气相淀积一层多晶硅，对淀积的多晶硅进行离子注入；E.退火，利用栅版光刻版对多晶硅进行刻蚀并去胶。
一种制备扩展电容绝缘体上硅体接触器件方法

[发明专利]一种钢基阻氢渗透复合涂层及其制备方法-CN201110408450.0无效
发明人：李帅;刘晓鹏;何迪;于庆河;王树茂;蒋利军 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：所述阻氢渗透涂层由钢表面的热生长氧化物涂层，以及热生长氧化物涂层上的致密氧化铝涂层构成。所述热生长氧化物涂层通过钢基体700-1000℃受控氧化处理获得。所述氧化铝阻氢渗透涂层是提供于所述钢基体所提供的热生长氧化物涂层之上。所述氧化铝涂层的高温结合力、热循环性能由热生长氧化物中间过渡层来改进。本发明制得的氧化铝涂层结构致密、结合力强，具有优异的阻氢渗透性能和热循环使用性能。
一种钢基阻氢渗透复合涂层及其制备方法

[发明专利]IGBT终端场氧工艺方法-CN201610470546.2在审
发明人：黄璇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT终端场氧工艺方法，终端场氧采用热氧化和化学气相淀积两步骤形成，化学气相淀积所形成的氧化层作为场氧的补充及损耗层，化学气相淀积所形成的氧化层在IGBT的场限环推进过程中进一步致密，能作为热氧化层使用。热氧化生长的氧化层作为场氧基本材质，CVD生长的氧化层作为场氧补充及损耗层。CVD生长的氧化层在后续高温推进过程中其膜质有明显改善，基本近似于热氧；较薄的热氧层可以通过更低温度的热过程来制备，基本不影响器件后续制备的热预算；改善工艺可以降低器件缺陷数量，提高器件良率及可靠性，可以制备更厚的场氧层
igbt 终端工艺方法

[发明专利]涉及氧化层动态生长的涂层失效分析方法、装置及设备-CN202210751273.4在审
发明人：宋佳楠;卢知来;黄佳;李少林;陈思雨;夏建芳 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及界面应力应变模拟领域，特别公开了一种涉及氧化层动态生长的涂层失效分析方法，通过接收模拟自变量，所述模拟自变量包括积分点坐标、温度及热暴露时间；根据所述模拟自变量，通过预设的氧化层厚度‑温度‑热暴露时间函数，确定目标氧化层厚度；将所述目标氧化层厚度输入受试热障涂层的有限元模型中，使所述有限元模型中的氧化层根据所述目标氧化层厚度沿界面法线方向生长，并结合预设的边界条件输出对应的膨胀应力应变场数据；根据所述模拟自变量及所述边界条件确定热不匹配应力应变场数据；根据所述膨胀应力应变场数据及所述热不匹配应力应变场数据确定涂层损伤失效状态。本发明实现界面非均匀氧化生长动态模拟，从而提升了准确度。
涉及氧化动态生长涂层失效分析方法装置设备

[实用新型]一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置-CN202120297025.8有效
发明人：齐红基;赛青林 -专利权人：杭州富加镓业科技有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置，包括：(1)本体，本体包括热场结构，热场结构用于保温形成热场，所述热场结构由至少一层保温层层叠而成，所述保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔；(2)密封层，所述密封层设置在所述本体外围。本实用新型的热场结构采用了多块分层、且多块子母扣拼接的方式，有效的释放高温下热应力，避免了不受控开裂；本实用新型还采用透明且耐高温材质的密封层对整体结构进行密封，确保了氧化镓晶体生长所需的密封低气体对流环境，从而有效抑制氧化镓晶体生长过程中的挥发，实现连续稳定制备高质量氧化镓晶体。
一种导模法生长氧化晶体装置

[发明专利]一种氧化锌抗紫外疏液磁性薄膜及其制备方法和应用-CN202310397143.X在审
发明人：江琦;华江龙 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌抗紫外疏液磁性薄膜及其制备方法和应用，通过水热法在非金属基材表面生长一层高比表面积的铝铁双金属氢氧化物过渡层，随后在过渡层表面水热生长氧化锌薄膜层，最后进行低表面能改性。由于铁氧化物的引入，该薄膜表面具有铁磁性，在吸波材料领域具有潜在用途。因铝铁双金属氢氧化物过渡层与氧化锌薄膜均比较薄，材料整体仍具有较高的透明度。这种通过铝铁过渡层水热生长氧化锌的方法工艺简单、生产设备要求低、原料成本低廉、环境友好，可应用于大多数非金属基材且对基材本身性能影响较小。
一种氧化锌紫外磁性薄膜及其制备方法应用

[发明专利]绝缘体上硅的深槽隔离结构的填充方法-CN200910036001.0无效
发明人：易扬波;李海松;王钦;杨东林 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-10-15 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种绝缘体上硅深槽隔离结构的介质填充方法，包括位于在半导体衬底上面设置的埋氧层，在埋氧层上设有N型顶层硅，在N型顶层硅表面刻蚀出深槽的形貌，深槽的填充步骤如下：在刻蚀顶层硅后通过干氧法生长第一层氧化层；在由干氧法生长第一层氧化层的侧壁上淀积第一层多晶硅；在纯多晶硅的表面进行湿氧法热生长第二层氧化层；最后在由湿氧法热生长第二层氧化层的侧壁上淀积第二层多晶硅。本发明的填充方法通过在由干氧法生长的第一层氧化层侧壁上淀积第一层纯多晶硅，一方面填充了深槽底部的横向过刻蚀的凹陷区，另一方面提高了深槽底部隔离氧化层的生长速率，从而保证了隔离氧化层厚度的均匀性，提高绝缘体上硅深槽隔离能力
绝缘体隔离结构填充方法

[发明专利]沟槽型双层栅MOS多晶硅间热氧介质层的制造方法-CN201410489887.5有效
发明人：陈晨;陈正嵘;陈菊英 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型双层栅MOS多晶硅间热氧介质层的制造方法，包括在沟槽内生长由第一氧化膜、氮化膜和第二氧化膜组成的第一介质层；生长第一层多晶硅；对第一层多晶硅进行反刻蚀；进行光刻；对第一层多晶硅进行第二次刻蚀；热氧形成多晶硅间的热氧介质层；刻蚀去除第一介质层中的氮化膜和第二氧化膜，保留第一氧化膜；栅氧前处理；生长第二层多晶硅；对第二层多晶硅进行反刻蚀。本发明能使多晶硅间热氧介质层厚度扩展到3000埃以上，能提高器件抗击穿电压，节约制造成本。
沟槽双层 mos 多晶硅间热氧介质制造方法

[发明专利]用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法-CN202011266177.8在审
发明人：姬程鹏 -专利权人：无锡宏芯传感科技有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L35/28 文献下载
摘要：本发明涉及用于温度和气体检测的红外热电堆传感器的制备方法，包括以下步骤：硅片处理；挖槽；生长介质层，先热生长氧化硅层，再生长多晶硅层；离子注入；等离子对多晶硅刻蚀出第一层硅条；生成氧化硅隔离层；等离子对氧化硅刻蚀出第二层硅条；生长氧化硅层；刻蚀出引线孔；金属连接，溅射铝，光刻铝条，接着腐蚀成形，形成多晶硅与铝的热偶对结构；合金化；在惰性气体条件下蒸发一层镍层；光刻刻蚀开口；刻蚀腔体，干法刻蚀释放结构，根据刻蚀开口刻蚀硅衬底，形成悬浮吸收层，释放热电堆结构。
用于温度气体检测红外热电传感器制备方法

[实用新型]不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构-CN202020707212.4有效
发明人：苏亚兵;赵志方;何鑫鑫;徐亚静 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种不受栅氧化层厚度影响的分裂栅MOSFET结构，将栅间隔离介质的热氧化生长和栅氧化层的热生长分开进行，使得栅间隔离介质厚度不受栅氧厚度的影响，同时避免了常规热生长方法生产栅间隔离介质缺陷导致栅源漏电及栅源电容大等诸多问题栅极氧化厚度不影响栅间隔离介质的厚度和质量，可根据器件参数要求自由选择栅氧化层厚度，解决了栅源漏电问题并且降低了栅源电容，增强了器件的开关速度，极大的提升了MOSFET高频开关电源领域的适用性。
不受氧化厚度影响分裂 mosfet 结构

[实用新型]一种用于MEMS热电堆的红外探测器-CN201822145473.7有效
发明人：张宾 -专利权人：广州奥松电子有限公司;张宾
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G01J5/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MEMS热电堆的红外探测器，包括单晶硅、上氧化硅层、下氧化硅层、上氮化硅层、下氮化硅层、热电堆层和红外吸收层；上氧化硅层生长在单晶硅层的上表面，上氮化硅层生长在上氧化硅层的上表面，热电堆层生长在上氮化硅层的上表面，红外吸收层生长在热电堆层的上表面，红外吸收层的厚度为1μm，下氧化硅层生长在单晶硅的下表面，下氮化硅层生长在下氧化硅层的下表面；红外探测器的底部设有凹槽，凹槽贯穿下氮化硅层、下氧化硅层和单晶硅，将上氧化硅层暴露出。本实用新型的红外探测器结构合理，而且其红外吸收层比较薄利于热传递，实现了红外吸收层易于图形化的目的，又降低了其制造难度和生产成本。
氮化硅层氧化硅层红外吸收层热电堆上表面单晶硅红外探测器生长氧化硅层生长本实用新型下表面红外探测器结构单晶硅层热传递图形化生产成本暴露贯穿制造

[发明专利]掩埋异质结器件及其制备方法-CN202111232392.0在审
发明人：马钰;李媛媛;李伟江;梁平;胡颖;刘俊岐;王利军;张锦川;刘舒曼;卓宁;翟慎强;刘峰奇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。
掩埋异质结器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法-CN201010136701.X有效
发明人：叶逸舟;朱晓静;杨晓松;郁志芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。该方法能够去除半导体器件的氧化层刻蚀后残留物。
半导体器件氧化刻蚀残留物去除方法

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