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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于改进的硅锗源极和漏极接触部的钛和硅的共沉积-CN202210579410.0在审
发明人： D·南迪;C-H·崔;G·杜威;H·肯内尔;O·萨阿达特;J·K·杰哈;A·奥尼;N·哈拉蒂普;A·默西;T·加尼 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：公开了为采用硅和锗源极和漏极材料的晶体管提供改进的接触电阻和接触界面稳定性的源极和漏极接触部、相关的晶体管结构、集成电路、系统和制作方法。这样的源极和漏极接触部包括位于硅和锗源极和漏极上的由共沉积的钛和硅构成的接触层。所公开的源极和漏极接触部提高了包括开关速度和可靠性在内的晶体管性能。
用于改进硅锗源极接触沉积

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法-CN201310273449.0有效
发明人：张锡明 -专利权人：华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-07-02 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、信道层、绝缘层、第一导体以及第二导体。信道层设置于源极以及漏极之间且与源极以及漏极彼此分离。绝缘层覆盖源极、漏极以及信道层。第一导体至少设置于绝缘层的第一开口中以与源极以及信道层接触。第二导体至少设置于绝缘层的第二开口中以与漏极以及信道层接触。
氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]用于仿真电阻器的集成电路-CN201110363002.3有效
发明人：赫里特·威廉·登贝斯特 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H03H11/28 文献下载
摘要：在采用晶体管的情况下，晶体管被偏置到在其线性区工作，并且将依赖于AC源极-漏极电压的电压耦合到栅极电压，从而提高漏极-源极电阻相对于漏极-源极电压的线性度。通过改变栅极电压可以改变传递函数，以使得漏极-源极电阻不再依赖于漏极-源极电压。
用于仿真电阻器集成电路

[发明专利]晶体管的制造方法-CN201110354662.5有效
发明人：苏国辉;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：透过图案化牺牲层为掩模，对基底进行掺杂制程，以在开口所暴露的基底中形成源极掺杂区与漏极掺杂区。进行选择性成长制程，以分别在源极掺杂区与漏极掺杂区上形成源极与漏极。移除图案化牺牲层，以暴露源极与漏极之间的基底。在源极与漏极之间的基底上形成栅极。
晶体管制造方法

[发明专利]抑制半导体器件的短信道效应的方法-CN02105333.2有效
发明人：张国华 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-02-25 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：接着在栅极结构两侧的基底中形成一源极/漏极延伸区与一源极/漏极区。之后，紧接着进行一口袋型离子植入步骤，以在源极/漏极延伸区的底下形成一口袋型掺杂区。在形成源极/漏极延伸区、源极/漏极区以及口袋型掺杂区之后，进行一快速热制作工艺。
抑制半导体器件信道效应方法

[发明专利]非对称源极/漏极深度-CN201510187697.2有效
发明人：彭成毅;杨玉麟;何嘉政;邱荣标;李宗霖;叶致锴;张智胜;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。
对称深度

[发明专利]具有包裹环绕的硅化物的FinFET及其形成方法-CN201510492749.7有效
发明人：江国诚;蔡庆威;刘继文;王志豪;梁英強 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：源极/漏极区具有覆盖衬底带的部分，其中，源极/漏极区的上部具有比第一宽度更大的第二宽度。源极/漏极区的上部具有基本垂直侧壁。源极/漏极硅化物区具有接触源极/漏极区的垂直侧壁的内侧壁。
具有包裹环绕硅化物 finfet 及其形成方法

[发明专利]降低源极和/或漏极区域与沟道区域之间的串联电阻-CN201880058867.9有效
发明人： M·埃布里什;O·格卢斯秦克夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种用于减少晶体管的串联电阻的方法，包括在半导体衬底上形成导电栅极并与半导体衬底绝缘；在衬底内形成源极和/或漏极延伸区域并与相应的源极和/或漏极区域相邻；以及在衬底内形成源极和/或漏极区域。源极和/或漏极延伸区由与第一掺杂剂和第二掺杂剂合金化的材料构成，第一掺杂剂被配置为增加形成源极和/或漏极延伸区的材料的晶格结构。
降低区域沟道之间串联电阻

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200610008692.X有效
发明人：陈建豪;聂俊峰;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-02-21 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体元件的制造方法，该半导体元件具有浅型以及高掺杂浓度的源极/漏极区域。其制造方法包括：在基板上制造栅极电极；借由注入离子将该基板的源极/漏极区域转换为非晶状态；在上述源极/漏极区域注入离子，以执行同步注入工艺；注入一个或多个注入物，以制造低掺杂漏极(LDD)以及源极/漏极区域其中，用来形成LDD以及源极/漏极区域的离子的扩散被非晶化区域与同步注入区域有效地限制或降低。
半导体元件制造方法

[发明专利]具有不对称电荷陷获的多态存储器单元-CN200580005600.6有效
发明人： K·普劳尔 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2005-02-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种多态NAND存储器单元由基片中的两个漏极/源极区构成。在漏极/源极区之间所述基片之上形成氧化物－氮化物－氧化物结构。氮化物层用作不对称电荷陷获层。控制和栅极位于该氧化物－氮化物－氧化物结构上。漏极/源极区上的不对称偏压使得漏极/源极区具有更高的电压以通过栅极感应漏极泄漏注入至基本邻近于漏极/源极区的陷获层而注入不对称分布空穴。
具有不对称电荷存储器单元

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010419289.6在审
发明人：林昌杰 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图案密集区中。该第一源极应力源设置在该图案密集区中。该埋入式栅极结构设置在该图案密集区中，并位在该第一漏极应力源与该第一源极应力源之间。该第二漏极应力源设置在该图案稀疏区中。该第二源极应力源设置在该图案稀疏区中。该平面栅极结构设置在该图案稀疏区中，并位在该第二漏极应力源与该第二源极应力源之间。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN202110075162.1在审
发明人：黄景亮;叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一主动元件包括第一源极区、第一通道区、第一漏极区、第一栅极、第一源极与第一漏极。第二主动元件包括第二源极区、第二通道区、第二漏极区、第二栅极、第二源极与第二漏极。第一源极区、第一漏极区、第二源极区与第二漏极区的材料相同。控制电极电性连接第二漏极。
电子装置及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置-CN201310092496.5有效
发明人：刘翔;王刚;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供的薄膜晶体管包括：基板、形成在所述基板上的栅极、源极、漏极和半导体层；位于所述栅极和半导体层之间或者位于所述栅极和源极、漏极之间的栅极绝缘层，和位于半导体层与源极、漏极之间具有源极接触孔和漏极接触孔的刻蚀阻挡层；以及位于所述源极和半导体层之间的源极缓冲层，位于所述漏极和半导体层之间的漏极缓冲层；其中，所述源极和漏极为金属铜电极，所述缓冲层为铜合金。
一种薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]电子装置及其制造方法-CN201910257765.6有效
发明人：黄景亮;叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一主动元件包括第一源极区、第一通道区、第一漏极区、第一栅极、第一源极与第一漏极。第二主动元件包括第二源极区、第二通道区、第二漏极区、第二栅极、第二源极与第二漏极。第一源极区、第一漏极区、第二源极区与第二漏极区的材料相同。控制电极电性连接第二漏极。
电子装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制作方法-CN201710298703.0在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，其包括：提供基底结构，所述基底结构包括晶体管，所述晶体管包括栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的源极、漏极；进行预清洗；进行预清洗后至少在所述源极、漏极的表面形成金属层；向所述源极、漏极的表面掺入掺杂物，所述掺杂物的类型与所述源极、漏极的掺杂类型相同；进行退火，以使掺入了所述掺杂物的所述金属层与所述源极、漏极的表层反应生成金属硅化物。本发明的技术方案进一步缩小了晶体管源极和漏极的接触电阻。
漏极源极掺杂物半导体器件基底结构栅极结构预清洗晶体管掺入表面形成金属反应生成金属退火晶体管源极掺杂类型接触电阻硅化物金属层制作

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