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[发明专利]在基板中形成沟槽的方法-CN201210286423.5有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：在本发明一实施例中，提供一种在基板中形成沟槽的方法，包括提供基板，其上依序形成有掩膜层、牺牲层、以及图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜，进行第一蚀刻工艺以在该牺牲层中形成沟槽。对第一蚀刻工艺进行终点检测，并在检测到掩膜层的信号后停止蚀刻；进行第二蚀刻工艺使得该沟槽延伸进入掩膜层中，并在检测到基板的信号后停止蚀刻；以及进行一第三蚀刻工艺使得该沟槽延伸进入该基板中形成沟槽，并在再次检测到掩膜层的信号后停止蚀刻，使得牺牲层被完全移除，其中，该牺牲层的蚀刻速率大抵等于基板的蚀刻速率。本发明可有效地利用终点检测装置在基板中形成具有特定深度的沟槽。
基板中形成沟槽方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201210579179.1有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板；形成一绝缘层于该基板上；形成一图案化罩幕层于该绝缘层上；以及导入一混合气体对该绝缘层进行蚀刻，用以在该绝缘层中形成一穿孔，其中该混合气体包括一第一氟碳气体与一氧气，且该第一氟碳气体与该氧气的比例介于2:1~2:3。
蚀刻方法

[发明专利]背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法-CN201210404030.X无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及背面穿硅通孔与金属连线制法、和背面用的光掩模制法。背面穿硅通孔与金属连线制法包括：将具有穿孔中间制作技术制得的穿硅通孔的半导体基板的正面形成一凸块并与载板结合、将半导体基板的背面薄化以露出穿硅通孔、于半导体基板的背面涂布光敏性介电层、将光敏性介电层图案化而具有开口露出穿硅通孔、形成凸块下金属层、于凸块下金属层上形成金属层、形成背面金属连线层图案、移除多余的凸块下金属层、以及将半导体基板与载板分开。将光敏性介电层图案化以具有开口露出穿硅通孔的方式，可经由利用背面用的光掩模达成。背面用的光掩模的穿硅通孔位置相关图案可经由利用半导体基板正面图案的镜像来获得。工艺处理温度低，整体工艺便利。
背面穿硅通孔金属连线制法光掩模

[发明专利]选择性蚀刻方法-CN201210360730.3有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-09-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种选择性蚀刻方法，包括下列步骤：提供一硅基板；在该硅基板上形成一图案化硅氧化物罩幕；以及导入一混合气体对该硅基板进行蚀刻，用以在该硅基板中形成一狭缝，并同时完全移除该图案化硅氧化物罩幕，其中该混合气体包括氟碳气体与卤素气体，且该氟碳气体与该卤素气体的比例介于1∶1～5∶1。本发明的方法不仅可以省略单独的移除四乙氧基硅烷罩幕层的步骤，而且有助于改善硅基板(狭缝)侧壁粗糙的问题。
选择性蚀刻方法

[发明专利]沟槽结构的制造方法-CN201210365046.4无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽结构的制造方法，包括在一基板上形成一缓冲层及位于缓冲层上的一硬式掩模层。在硬式掩模层上定义出至少一第一开口区及多个第二开口区，其中第一开口区大于每一第二开口区。对第一开口区及第二开口区实施一第一蚀刻工艺，以在缓冲层内形成对应第一开口区的一第一凹口及对应第二开口区的多个第二凹口。对第一凹口及第二凹口实施一第二蚀刻工艺，以在基板内形成对应第一凹口的一第一沟槽结构及对应第二凹口的多个第二沟槽结构，其中第一沟槽结构与第二沟槽结构的深度大抵相同。本发明可以提高半导体装置的良率。
沟槽结构制造方法

[发明专利]非挥发性存储器单元及其制造方法-CN201210291576.9有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种非挥发性存储器单元及其制造方法。上述非挥发性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，具有一顶面和一底面；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上，其中，上述浮动栅极的上述顶面沿非挥发性存储器单元的一通道方向的宽度小于上述控制栅极沿通道方向的宽度；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明可提升存储器单元的程序化操作和抹除操作速度，大幅地降低操作电压，以提升存储器单元的可靠度。
挥发性存储器单元及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210281553.X有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，所述装置包括：一半导体基板；一栅极，形成于该半导体基板的一部分上，包括依序堆叠于该半导体基板部分上的一介电层与一导电层；一间隔物，顺性地覆盖该栅极的表面并接触该半导体基板的一部分，包括一氮化硅层以及多个氧化硅层；以及一对源极/漏极区，分别形成于该栅极的对称侧的该半导体基板的一部分内。本发明可避免元件间的短路情形。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]多重栅晶体管及其制造方法-CN201210284812.4有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种多重栅晶体管及其制造方法，该晶体管包括：一半导体基板；一W形沟槽，位于该半导体基板的一部分内并依照一第一方向延伸；一半导体桥，依照垂直于该第一方向的一第二方向延伸于该半导体基板上，该半导体桥横跨该W形沟槽的一部分并连结该半导体基板，该半导体桥具有一平坦顶面以及一圆弧状底面；一氧化物层，部分地环绕该半导体桥的该平坦顶面与该圆弧状底面的一部分；以及一导电层，依照该第一方向延伸并形成于该半导体基板与该氧化物层上，其中该导电层环绕该氧化物层并部分填入于该W形沟槽内。本发明改善了沟道与栅极间的结合，增加栅极对于沟道势能的控制，有助于短沟道效应的抑制以及微缩金属氧化物半导体晶体管时的表现。
多重晶体管及其制造方法

[发明专利]图案化工艺-CN201210284795.4无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化工艺，包括在一待定义层上形成一具有多个第一开口部的第一掩模层。在第一掩模层上及第一开口部内顺应性形成一第二掩模层。对第二掩模层实施一斜角离子注入，以在第二掩模层形成多个掺杂区域及多个未掺杂区域。蚀刻去除未掺杂区域，以形成多个第二开口部，其中第二开口部小于第一开口部的底部面积。随后，蚀刻第二开口部下方的待定义层。本发明所提供的图案化工艺具有较大的工艺弹性。此外，本发明所提供的工艺可与现行工艺相容，且可在无须使用电子束直写、软X射线、极紫外光等方法的条件下制作出小于关键尺寸的图案，故可节省时间及生产成本，也可避免光学效应不理想的问题。
图案化工

[发明专利]非易失性存储器单元及其制造方法-CN201210222508.7无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器单元及其制造方法。上述非易失性存储器单元包括一半导体基板；一浮动栅极，上述浮动栅极具有一尖端和一钝端，其中上述尖端嵌入上述半导体基板中；一控制栅极，设置于上述浮动栅极上；一穿隧氧化层，设置于上述浮动栅极与上述半导体基板之间；一多晶硅间介电膜，设置于上述浮动栅极与上述控制栅极之间。本发明的非易失性存储器单元可在相同的穿隧氧化层厚度条件下可大为提升存储器的程序化操作速度，或者本发明的非易失性存储器单元可以较小的操作电压完成程序化操作，且可以同时兼顾元件的可靠度。
非易失性存储器单元及其制造方法

[发明专利]沟槽隔离结构及其制造方法-CN201210215520.5无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽隔离结构的制造方法。在一基板上形成一硬式掩模层，其中硬式掩模层包括至少三层，且具有至少一开口以局部暴露出基板的一表面。经由开口蚀刻基板的表面，以在基板中形成具有一第一深度的一沟槽。在沟槽中形成一第一绝缘层。回蚀刻第一绝缘层，使第一绝缘层低于基板表面至一第二深度。在第一绝缘层上方形成一第二绝缘层，以填满沟槽。移除硬式掩模层。本发明所形成的沟槽隔离结构不具空隙或缝隙。
沟槽隔离结构及其制造方法

[发明专利]在基底中制作多个沟槽的方法-CN201210195844.7无效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-06-14 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明一实施例提供一种在基底中制作多个沟槽的方法，包括：提供一基底；于基底上形成一第一掩模层，第一掩模层具有至少一第一开口以及至少一第二开口，其中第二开口大于第一开口，且第一开口与第二开口皆暴露出基底；形成一覆盖第二开口的第二掩模层；以第一掩模层与第二掩模层为掩模进行一第一蚀刻工艺，以于第一开口下方的基底中形成一第一沟槽；移除第二掩模层；形成一覆盖第一开口的第三掩模层；以第一掩模层与第三掩模层为掩模进行一第二蚀刻工艺，以于第二开口下方的基底中形成一第二沟槽；以及移除第三掩模层。本发明可有效提高沟槽深度的均匀性。
基底制作沟槽方法

[发明专利]等离子蚀刻装置-CN201210184024.8有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子蚀刻装置，其包括一处理室、一气体注射器、多个导管以及至少一气体供应系统。气体注射器设置于处理室的顶面。导管面对气体注射器并设置于处理室的底面。气体供应系统耦接于每一导管，其中气体供应系统通过导管供应加工气体至处理室，以增加蚀刻均匀性。本发明的等离子蚀刻装置于处理室底面增加设置多个导管，并通过导管提供加工气体，以维持半导体晶圆边缘的等离子的理想状态，达到一致的蚀刻均匀性。
等离子蚀刻装置

[发明专利]半导体盲孔的检测方法-CN201210174269.2有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔;在至少一盲孔的侧壁上形成一层阻档层，其中阻档层的电阻率大于导电区的电阻率，且阻档层和半导体衬底间不是欧姆接触;及在形成各个阻档层后，利用带电射线照射多个盲孔。
半导体检测方法

[发明专利]半导体盲孔的检测方法-CN201210174270.5有效
发明人： 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体盲孔的检测方法，包括提供一包括导电区的半导体衬底；形成多个暴露出导电区的盲孔，其特征在于电阻率大于导电区的高电阻层会位在至少一盲孔的部分或全部底部区域，且高电阻层和导电区的接触面不是欧姆接触;将导电材料填满多个盲孔，使导电材料和半导体衬底的接触面构成欧姆接触；及利用带电射线照射填满有所述导电材料的所述多个盲孔。
半导体检测方法

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