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[发明专利]一种沉积腔室和膜层沉积装置-CN201710097242.0有效
发明人：武学伟 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种沉积腔室和膜层沉积装置。该沉积腔室包括腔体、环绕设置在腔体侧壁的内衬、靶材和基座；靶材设置于内衬顶部开口的上方，基座设置于内衬底部开口的下方；还包括遮挡件，遮挡件环绕固定设置于基座外围，且遮挡件在靶材上的正投影覆盖内衬底部。该沉积腔室不仅能够避免等离子体颗粒落入腔体底部，而且能使该沉积腔室无需再设置压环，从而不仅避免了工艺结束后压环与托盘相互脱开时沉积薄膜脱落所导致的颗粒污染，而且克服了压环的设置在工艺过程中带来的沉积工艺不稳定的缺陷，同时还克服了压环的设置所导致的沉积薄膜的不均匀的缺陷，确保了整个工艺过程的稳定性和薄膜沉积的均匀性。
一种沉积装置

[发明专利]用于反应溅射的物理气相沉积设备-CN202010087577.6有效
发明人：宋维聪;周云;解文骏 -专利权人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司
申请日： 2020-02-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种用于反应溅射的物理气相沉积设备，该设备包括腔体、基座、沉积源装置及匀气装置；沉积源装置位于腔体上部；匀气装置位于腔体内且位于沉积源装置的下方；基座位于腔体内，用于承载晶圆；匀气装置包括网状匀气管路本发明的用于反应溅射的物理气相沉积设备使用新型的结构设计，可以提高反应气体在晶圆中心区域的浓度，实现反应气体在晶圆表面的均匀分布，有助于改善沉积薄膜的方阻均匀性，避免晶圆的局部区域方阻偏高，有助于提高沉积薄膜的品质
用于反应溅射物理沉积设备

[发明专利]用于近空间升华沉积设备的坩埚系统-CN201911400619.0有效
发明人：彭寿;殷新建;陈瑛;周显华 -专利权人：中国建材国际工程集团有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种用于近空间升华沉积设备的坩埚系统，包括：第一腔体；第二腔体，第一腔体倒扣在第二腔体的外周；第一腔体的侧壁与第二腔体的侧壁之间形成第一气体通道，且第一气体通道与第二腔体连通；具有通孔的第一腔体盖，设置于第一气体通道上；第一腔体及第二腔体设置于待沉积的基板的上方。通过将第一腔体倒扣在第二腔体的外周，实现气体由上向下运动的膜层制备，实现基板全覆盖均匀成膜；另外，由于沉积膜层向上，可以实现各种基板形状的膜层制备，进一步拓宽近空间升华工艺的应用范围；最后，第一腔体及第二腔体设置于基板的上方，当设备需要填料时，直接打开所述第一腔体，即可实现快速填料，提升设备的工作效率。
用于空间升华沉积设备坩埚系统

[发明专利]一种用于物理气相沉积设备的靶材供料装置-CN202310239734.4在审
发明人：谢志航;王斌;钱凌翼 -专利权人：无锡乘风航空工程技术有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于物理气相沉积设备的靶材供料装置，包括真空沉积腔体（1）、水冷坩埚（3）、一个以上装有靶材（2）的靶材筒（4）、靶材托板（6）、靶材顶升杆（7）、靶材废料清理装置、靶材填装装置。靶材筒（4）依次排列并可沿靶材托板（6）做受控往复运动，靶材顶升杆（7）可在真空沉积腔体（1）的底部上下穿行，靶材废料清理装置位于水冷坩埚（3）的正下方，负责将靶材余量以及靶材碎屑清理出沉积工作的区域，靶材填装装置位于真空沉积腔体（1）的下方，用于给空靶材筒填装新靶材。本发明可以为电子束物理气相设备制备热障涂层作业提供不间断的靶材供料，有助于实现沉积腔体免破真空的不间断制程。
一种用于物理沉积设备供料装置

[发明专利]一种VAD制备光纤预制棒母材的装置及方法-CN201810838465.2有效
发明人：冯正鹏;王瑞春;刘善沛;黄利伟;王俊;雷汉林;王小飞;叶奔;王志勇;秦爱民 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明涉及一种VAD制备光纤预制棒母材的装置及方法，包括用于沉积的反应腔体和伸入反应腔体内腔的旋转升降吊杆，在沉积腔体内腔下方对应待沉积玻璃靶棒下方间隔设置芯层喷灯和包层喷灯，芯层喷灯和包层喷灯分别与芯层原料控制系统和包层原料控制系统相连，沉积腔体外部相对两侧对应芯层沉积下端面分别设有激光发射端与激光接收端，构成芯层激光探测系统，其特征在于所述的芯层原料控制系统与芯层激光探测体统与PLC相连，构成芯层喷灯原料流量与激光探测接收值之间的PID本发明结构简单，控制逻辑清晰，反馈直接、迅速，沉积性能稳定可靠，能使粉棒剖面稳定，芯径和外径均匀，从而提高生产稳定性与产品质量。
一种 vad 制备光纤预制棒母材装置方法

[发明专利]喷射电沉积加工用阵列电极腔-CN201110269330.7有效
发明人：沈理达;邱明波;高雪松;王桂峰;刘志东;田宗军;黄因慧 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： C25D5/08 文献下载
摘要：一种喷射电沉积加工用阵列电极腔，其特征是它包括顶盖、腔体、套管、阵列电极、密封环、刚性挡环及收紧螺母，其中：顶盖与腔体螺纹连接，套管夹持阵列电极，阵列电极上依次串联弹性密封圈、挡环，腔体和螺帽之间设有螺纹连接通过旋紧腔体和螺帽，使套管顶端收紧，实现对阵列电极的夹紧以及对弹性密封圈和挡环压紧，并通过挡环限制阵列电极伸出的截面形状。本发明可以在电极腔的底部形成任意截面形状和轮廓的阵列电极喷头，从而能够获得均匀的喷射电沉积加工电场和流场，提高电沉积电流密度，提高金属离子的局部浓度，防止电沉积中的氧化，最终提高电沉积效率和质量，通过设计不同形状的阵列电极腔及控制电极的导通，可以实现特殊结构电沉积零件加工。
喷射沉积工用阵列电极

[实用新型]化学气相沉积用隔离室-CN201822142924.1有效
发明人：范继良 -专利权人：黄剑鸣
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积用隔离室，设置在第一沉积室和第二沉积室之间，其包括中空结构的隔离腔体及辊轴组件，中空结构形成抽气腔述隔离腔体延伸出与第一、二沉积室密封对接的第一、二通道，第一通道与第二通道正对设置，第一通道、抽气腔及第二通道依次连通，隔离腔体上贯穿开设有用于与外界抽气装置连通的抽气口，辊轴组件设置于抽气腔内，辊轴组件包括呈上下相切设置的从动辊轴和主动辊轴，主动辊轴和从动辊轴外均具有呈柔性结构的硅胶层；本实用新型借由第一通道、隔离腔体、第二通道及辊轴组件有效的将第一沉积室和第二沉积室隔离开，并有效的阻挡了第一沉积室和第二沉积室之间气体相互渗透和扩散。
沉积室隔离腔体辊轴组件抽气腔化学气相沉积本实用新型从动辊轴中空结构主动辊轴隔离室抽气装置密封对接柔性结构相切设置依次连通正对设置抽气口硅胶层连通隔离阻挡扩散贯穿延伸

[发明专利]一种硒薄膜沉积方法及系统及其等离子头-CN201110195062.9无效
发明人：刘志宏;杨国辉;蔡陈德;张瀛方;周大鑫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2011-07-07 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种硒薄膜沉积方法及系统及其等离子头，所述硒薄膜沉积方法包括以下步骤：首先，提供等离子头；接着，于常压下承载基板；之后，通过等离子头将固态硒源游离化，以沉积硒薄膜于基板上；其中等离子头包括等离子腔体、壳体以及固态硒源，等离子腔体产生等离子，而壳体包围等离子腔体，且承载固态硒源。
一种薄膜沉积方法系统及其等离子

[发明专利]一种外延碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法-CN201410392278.8有效
发明人：张学敏;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅‑石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于10‑4帕，1500～1600℃下在所述基底表面生长2～10微米的碳化硅外延层；控制所述化学气相沉积腔体的温度降低至1000℃，在保护气氛下对所述化学气相沉积腔体从1000℃加热升温至1600℃，使所述碳化硅外延层结构分解及重组，在所述基底上获得石墨烯复合层该方法能够不完全依赖于价格昂贵的单晶SiC基底材料，而是采用高温化学气相沉积设备，实现碳化硅外延层‑石墨烯的连续生长。
一种外延碳化硅石墨复合薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化锆包覆铝粉实现铝粉钝化的方法-CN201611090452.9有效
发明人：陈蓉;曲锴;单斌;竹鹏辉;段晨龙;赵凯 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆包覆铝粉实现铝粉钝化的方法，其包括以下步骤：(1)将需要包覆的铝粉放入底部设有滤网的粉体夹持器中，然后将粉体夹持器放入原子层沉积反应器的腔体内进行抽真空；(2)对腔体进行加热，在加热过程中不断向腔体中通入流化气体，使铝粉预分散；(3)当腔体温度到达预设温度开始原子层沉积反应，在所述铝粉表面沉积一层氧化锆薄膜；(4)重复步骤(3)在铝粉表面沉积多层氧化锆薄膜，实现铝粉的钝化。本发明采用原子沉积技术对铝粉颗粒表面包覆一层纳米厚度的氧化锆薄膜，使铝粉钝化，具体操作方便、工艺简单等优点。
一种氧化锆包覆铝粉实现钝化方法

[实用新型]一种气相沉积设备-CN201721890318.7有效
发明人：崔日 -专利权人：崔日
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型属于气相沉积技术领域，具体涉及一种气相沉积设备；其包括驱动装置、腔体和设置在所述腔体内部的基座、喷淋头和至少三个顶杆；所述腔体的底部设置有穿孔，所述驱动装置穿过所述穿孔与所述基座传动连接；所述喷淋头设置在所述基座的上方，所述基座上设置有与所述顶杆的数量相匹配的通孔，所述顶杆的底端穿过所述通孔并竖直的设置在所述腔体的底面，所述顶杆的顶端设置有石墨涂层。该气相沉积设备中的顶杆的顶部表面设置有石墨涂层，因为石墨涂层的导热性良好，使顶杆与沉积体之间的温差最小化，从而减小沉积体与顶杆接触的位置的印痕。
顶杆石墨涂层腔体沉积设备驱动装置沉积体喷淋头穿孔通孔导热性气相沉积设备穿过本实用新型传动连接顶部表面顶端设置气相沉积腔体内部最小化底端底面减小竖直印痕温差匹配

[实用新型]一种半导体沉积装置-CN202320794615.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：无锡金源半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体沉积装置，其包括支架、腔体、加热部件和手动驱动机构，其中，腔体具有腔室，腔体设于支架上；加热部件一端设于腔室内，另一端向下延伸出腔体；手动驱动机构包括升降部件和与升降部件配合的转动部件此结构的半导体沉积装置，手动转动转动部件，转动部件带动加热部件升降，即可调节加热部件在腔室内的高度，半导体沉积装置结构简单，无需设置升降电机，以降低沉积装置的制作成本；并且相比现有技术中升降电机竖直设置于加热部件的底部，可减少半导体沉积装置在竖直方向的占用空间。
一种半导体沉积装置

[发明专利]降低HDPCVD缺陷的方法-CN201110187767.6有效
发明人：孟令款 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-06 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种降低HDPCVD缺陷的方法，采用原位刻蚀、远程等离子体刻蚀和低压远程等离子体刻蚀相结合的清洗工艺清除HDPCVD设备沉积过程中或沉积后腔体上残余的沉积薄膜颗粒，以免缺陷掉落在正在沉积的沟槽中，造成孔洞问题；该方法还可以除去由腔体中剩余的颗粒在沉积后掉落在晶圆上而形成大的难以去除的表面缺陷。
降低 hdpcvd 缺陷方法

[发明专利]工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法-CN202210761295.9在审
发明人：兰玥 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种工艺腔室、半导体工艺设备及工艺方法，该工艺腔室包括：腔体，沿腔体的内壁周向环绕设置有环形的内衬组件，内衬组件的内环侧设有沉积阻挡环，腔体的底部设有用于承载待加工基片且可升降的基座；内衬组件上沿内衬组件的周向设有多个贯穿内衬组件侧壁的第一开孔；沉积阻挡环上沿沉积阻挡环的周向设有多个贯穿沉积阻挡环侧壁的第二开孔；腔体的内侧壁上沿腔体的周向设有与多个第一开孔相对的加热灯组件；当基座带动沉积阻挡环上升至第一工艺位时，第二开孔与第一开孔相互错开；当基座带动沉积阻挡环上升至第二工艺位时
工艺半导体工艺设备方法

[实用新型]平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统-CN200820034506.4无效
发明人：奚建平;周子彬 -专利权人：奚建平
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平板氮化硅薄膜PECVD沉积系统，包括沉积腔室、射频引入电极、加热器及抽气系统，该沉积系统为平板式，沉积腔室为平板式真空腔体，射频引入平板电极设于真空腔体上盖的下方，加热器设于真空腔体外部紧贴下电极的背面真空腔体两侧分别设有锥状缓冲进气室和锥状缓冲抽气室，进气室和抽气室分别设置有进气孔和抽气孔，抽气孔与抽气系统连接。射频引入电极包括电极板和电极框架，电极板上设有排列整齐的通气孔，电极板与电极上盖设有间隔地安装于真空腔体上盖的下面，电极上盖上面依次复合氟塑料、屏蔽罩和电极框架。本实用新型可用以沉积数量在百片以上125mm×125mm硅片的SiNx薄膜，薄膜的沉积质量高，可达到更高均匀性、致密性要求。
平板氮化薄膜 pecvd 沉积系统