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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]废气过滤装置-CN202023020812.2有效
发明人：吴铭钦;刘峰 -专利权人：苏州雨竹机电有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01D45/02 文献下载
摘要：本实用新型为一种废气过滤装置，提供连通气相沉积反应腔体，以接收其排出的废气。废气过滤装置包括至少一第一沉积腔体，其上穿设有第一排气管，包括一第一管体两端分别设置第一排入口以及一第一排出口。第一排入口连通反应腔体，第一排出口则穿设于第一沉积腔体内且延伸靠近第一沉积腔体底部，其中第一排出口的口径大于第一管体的口径，令废气流速通过第一排出口变慢，以沉积废气的粉尘微粒。本实用新型通过流道口径大小的改变控制气体流速，降低气体在第一沉积腔体的流速，提供气体中的粉尘沉降在第一沉积腔体，避免粉尘微粒阻塞第一管体。
废气过滤装置

[发明专利]一种9腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810942765.5在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种9腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种卧式 hwcvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种9腔体立式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810942766.X在审
发明人：黄海宾;黄振;周浪;彭德香;任栋樑;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种9腔体立式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种立式 hwcvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种9腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810943420.1在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种9腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种卧式 pecvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种9腔体立式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810943421.6在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种9腔体立式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、过渡腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种立式 pecvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[实用新型]一种沉积设备-CN201621147693.8有效
发明人：全威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种沉积设备，涉及显示面板加工设备技术领域。为解决现有技术在采用沉积设备对OLED进行薄膜封装时的产品良率较低，沉积设备的开腔维护频率较高的问题而发明。本实用新型的沉积设备包括壳体，所述壳体内形成有沉积腔体，所述沉积腔体内设有沉积设备主体，所述壳体上设有吹气结构和吸气结构，所述吹气结构用于向所述沉积设备主体上的凹角内吹气，所述吸气结构用于吸走所述沉积腔体中的气体本实用新型沉积设备可用于OLED的薄膜封装。
一种沉积设备

[发明专利]测量传感器-CN201480075436.5有效
发明人： O.格冈;M.格罗尼耶 -专利权人： SC2N公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： G01D11/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量传感器1，其包括：‑腔体1a，至少一个敏感部件2和至少一个测量部件3布置在该腔体1a中，该腔体1a接收包裹材料4，该包裹材料4尤其是树脂，该包裹材料4覆盖敏感部件2并让测量部件3至少部分地露出；‑用于沉积包裹材料4的沉积池1b，该沉积池1b与所述腔体1a连通，使得，在将材料4沉积于池b中之后，允许包裹材料4流入所述腔体1a中，所述沉积池1b具有这样的容积，该容积被选择为允许在沉积所述材料4时接收全部包裹材料4，在所述包裹材料4流入腔体1a中之后，池b至少部分地被排空。
测量传感器

[发明专利]一种团簇富压反应与大通量选质软沉积装置及方法-CN202210882440.9在审
发明人：骆智训;黄奔奔;甘汶 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种团簇富压反应与大通量选质软沉积装置及方法。所述选质软沉积装置包括依次连接的层流反应管、团簇选质软沉积装置和锥形八极杆腔体；团簇选质软沉积装置包括软沉积腔体，软沉积腔体内设有静电透镜组、偏转式加速场和软沉积平台；静电透镜组实现对团簇离子的聚焦和动能调节，静电透镜组的入口与软沉积腔体的入口连接，出口与偏转式加速场的入口连接；偏转式加速场的出口端靠近上部设有团簇软沉积孔，靠近下部设有团簇检测孔；软沉积平台设于团簇软沉积孔处。本发明将气相团簇的反应、检测与软沉积相结合，能够在进行质谱实验过程中方便地使用软沉积功能，并且在软沉积过程中对气相团簇的信号进行实时监控。
一种团簇富压反应通量选质软沉积装置方法

[发明专利]一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法-CN201110041566.5无效
发明人：石建军;刘新坤;黄晓江;梅永丰 -专利权人：东华大学;无锡迈纳德微纳技术有限公司
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置及方法，所述的脉冲调制射频等离子体增强原子层沉积装置，包括真空反应腔体，真空反应腔体内底部设有基底，真空反应腔体分别连接真空机械泵和前驱体输入管路，其特征在于，真空反应腔体内顶部设有等离子体电极，等离子体电极依次连接射频功率匹配器、脉冲调制射频电源和脉冲延时器。所述的方法为在沉积至少一种前驱体时，通过脉冲调制射频电源产生等离子体辅助沉积。本发明的优点是降低了沉积过程中离子轰击对沉积薄膜的影响，并且防止沉积过程中腔体温度的上升。
一种脉冲调制射频等离子体增强原子沉积装置方法

[发明专利]一种硬质涂层的快速沉积装置及方法-CN201410186643.X在审
发明人：宋忠孝;雷哲锋;邢聪;程亮亮;宋佳豪 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种硬质涂层的快速沉积装置及方法，该装置包括阴极弧源以及开设进气口的真空腔体；真空腔体与真空系统相连，真空腔体与阴极弧源之间设有用于聚束腔体；聚束腔体与真空腔体相连通，且聚束腔体内设置有待测样，待测样与阴极弧源之间设有靶材，阴极弧源的电源正极分别与真空腔体和偏压电源的正极相连，阴极弧源的电源正极、真空腔体、偏压电源的正极分别接地。该方法为对真空系统抽真空，并利用氩气和反应气清洗真空系统，然后对待测样的表面进行辉光清洗，然后在其表面沉积过渡金属层，接着沉积硬质涂层。相比传统沉积装置及方法，本发明沉积速率大大提高，节约靶材，更节约能源。
一种硬质涂层快速沉积装置方法

[发明专利]一种大腔体、多功能化学气相沉积设备及使用方法-CN202111537186.0在审
发明人：卢嘉 -专利权人：北京博纳晶科科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C23C16/54 文献下载
摘要：本发明提供一种大腔体、多功能化学气相沉积设备及使用方法，包括设备本体、基材传输系统、热丝组件、可升降系统、视镜系统、载物台、气体供给系统、尾气处理系统；设备本体包括并列设置的至少两个腔体和设置在腔体之间使相邻的两个腔体连通的隔板，所有的腔体共用气体供给系统和尾气处理系统。本发明通过设置在腔体中间的隔板的开合，将多个腔体连动，沉积时间较长时，可以使各个腔体同时进行沉积，工艺条件和顺序复杂时，沉积工艺可以在多腔体中按照工艺顺序进行传递，并且采用共同的通用工程系统、配电系统、自动化系统、尾气和循环水处理系统，节省硬件投资和运行成本，实现大规模工业化，适用于同时沉积平面放置和垂直型放置的基材。
一种大腔体多功能化学沉积设备使用方法

[发明专利]一种8腔体立式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810941720.6在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种8腔体立式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种立式 pecvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种8腔体卧式PECVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810942767.4在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种8腔体卧式PECVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积PECVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种卧式 pecvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种8腔体卧式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810942768.9在审
发明人：黄振;黄海宾;周浪;彭德香;任栋梁;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种8腔体卧式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设卧式载板，卧式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种卧式 hwcvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

[发明专利]一种8腔体立式HWCVD-PVD一体化硅片镀膜工艺-CN201810943422.0在审
发明人：黄海宾;黄振;周浪;彭德香;任栋樑;刘超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种8腔体立式HWCVD‑PVD一体化硅片镀膜工艺，上料腔体、预加热腔体、本征非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、掺杂非晶硅薄膜沉积HWCVD腔体、第一、二、三TCO薄膜沉积PVD腔体和下料腔体通过真空锁依次连接且头尾设置真空锁，一移动装置由前至后穿接各腔体和真空锁，上料腔体内设立式载板，立式载板设置于移动装置上呈在本一体化设备中由前至后可移动状态，第二TCO薄膜沉积PVD腔体内设溅射靶，上述各个腔体外接超纯气路、加热系、抽真空系统
一种立式 hwcvd pvd 一体化硅片镀膜工艺

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