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[发明专利]一种有机废水催化用处理装置-CN201711439728.4在审
发明人：赵磊;李红政;张梦菲 -专利权人：山东国标环境工程有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本发明一种有机废水催化用处理装置，包括电源、气相检测仪、水质检测仪、循环水管、有机废水箱、固体氧化剂、臭氧氧化系统、液体氧化剂、结晶器、反应罐和紫外灯氧化系统，所述电源通过电性连接气相检测仪和水质检测仪，所述气相检测仪和通过循环水管分别连接结晶器和臭氧氧化系统，且所述结晶器的上端设有连接管与有机废水箱固定贯穿连接，所述结晶器内设有高温结晶器和低温结晶器、且两个结晶器内部均设有搅拌轴，搅拌轴上固定设有若干个搅拌叶，上部设有过滤网，通过将传统的多效蒸发设计为结晶器，多相催化氧化系统，以电能为唯一运营成本，绿色、高效地进行有机废水的催化处理，达到无间断连续处理有机废水的工业实际需求。
一种有机废水催化用处装置

[发明专利]一种基板玻璃池炉烟气处理装置及处理方法-CN201010141826.1有效
发明人：杨国洪 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B01D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基板玻璃池炉烟气处理装置及处理方法，(1)将烟气通入调温室，在调温室中将烟气降温至130～180℃得到低温烟气；(2)将低温烟气通入第一结晶室，将第一结晶室的温度控制在110～130℃，使烟气中的氧化砷结晶获得一次净化烟气；(3)将一次净化烟气通入第二结晶室，将第二结晶室的温度控制在40～80℃，使烟气中的氧化硼结晶获得二次净化烟气；(4)将二次净化烟气通入风机排出。本发明用于处理TFT-LCD基板池炉烟气的氧化砷和氧化硼，该装置是利用氧化砷和氧化硼的结晶温度范围自然结晶，工艺流程简单，同时避免了湿法处理过程中对被污染水进行二次处理的复杂过程，使用成本低、处理效果好
一种玻璃烟气处理装置方法

[实用新型]一种三氧化二锑粉体结晶收集管-CN202222325311.8有效
发明人：余大幸;林正涤;段辉兵;叶翘楚 -专利权人：湖南中祁新材料有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01D7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三氧化二锑粉体结晶收集管，涉及三氧化二锑粉体制备技术领域，包括管体、固定设置于管体一侧的进气管以及设于管体内的结晶机构，管体的内部开设有结晶腔，结晶腔的底壁设置为倾斜状。本实用新型中，通过设置的结晶机构，若干个喷气头便于增大冷气喷出的面积，提高冷气与三氧化二锑接触的均匀度，平衡三氧化二锑晶体的体积，通过外旋筒内壁的第一齿轮带动连接齿轮转动，连接齿轮通过第二齿轮带动内旋筒转动，形成的四组内气流将带动带有三氧化二锑的热气流分散，减小晶体结晶的体积，使得晶体晶型类似，此结晶机构在平衡三氧化二锑晶体体积的同时，通过外旋筒的转动带动外部气流加速结晶。
一种氧化二锑粉体结晶收集

[发明专利]磁头滑块用材料、磁头滑块及磁头滑块用材料的制造方法-CN200610000382.3有效
发明人：杉浦启;川口行雄;人见笃志 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-01-06 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11B5/60 文献下载
摘要：本发明涉及磁头滑块用材料，其由含有氧化铝、碳化钛、及碳的烧结体构成，烧结体中的碳化钛结晶粒的平均结晶粒径大于氧化铝结晶粒的平均结晶粒径。
磁头用材制造方法

[发明专利]金属氢氧化物结晶的制造方法-CN202110322468.2有效
发明人：森田尚义 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01G53/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种金属氢氧化物结晶的制造方法，所述金属氢氧化物结晶大小适当、粒径均匀且粒子为球形。本发明的金属氢氧化物结晶的制造方法，其特征在于，包括：混合工序，在容器内将包含含金属离子的溶液和含氢氧根离子的溶液的原料混合以获得包含金属氢氧化物的混合液；过滤工序，对所述混合工序中获得的混合液进行恒流量过滤并对金属氢氧化物的结晶进行浓缩；以及循环工序，将所述过滤工序中获得的包含金属氢氧化物的结晶的浓缩液送回所述容器并使所述结晶生长；向所述容器中连续投入所述原料和所述浓缩液；并回收生长至预定大小的所述结晶。
金属氢氧化物结晶制造方法

[发明专利]氢氧化锂的生产工艺-CN201310718878.4有效
发明人：葛文越;张崇能;张芸;申雅维 -专利权人：上海凯鑫分离技术股份有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C01D1/38 文献下载
摘要：一种氢氧化锂的生产工艺，是以硫酸锂法生产氢氧化锂过程中结晶析出十水硫酸钠之后的含高浓度硫酸钠和氢氧化锂的结晶母液为原料，采用以下步骤生产氢氧化锂：A、将结晶母液导入膜分离系统，截留液为浓缩的硫酸钠溶液，透过液为氢氧化锂溶液；B、将步骤A所得硫酸钠溶液降温(或进一步浓缩后降温)、离心分离、干燥，得到十水硫酸钠结晶；C、将步骤A所得氢氧化锂溶液经过蒸发器浓缩，再进入结晶罐继续浓缩后，经降温、结晶、离心分离、干燥，得到一水氢氧化锂结晶。本发明的工艺采用膜分离技术有效分离硫酸钠及氢氧化锂，提高了氢氧化锂溶液的纯度，从而有效提高了氢氧化锂产品品质，提高了生产效率，降低了生产成本。
氢氧化锂氢氧化锂溶液硫酸钠硫酸钠溶液结晶母液浓缩生产工艺十水硫酸钠结晶一水氢氧化锂膜分离技术膜分离系统十水硫酸钠蒸发器浓缩产品品质生产效率有效分离析出截留液结晶罐硫酸锂透过液生产成本生产

[外观设计]氢氧化锂的生产工艺-CN201430501407.3有效
发明人：葛文越;张崇能;张芸;申雅维 -专利权人：上海凯鑫分离技术有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C01D1/38 文献下载
摘要：一种氢氧化锂的生产工艺，是以硫酸锂法生产氢氧化锂过程中结晶析出十水硫酸钠之后的含高浓度硫酸钠和氢氧化锂的结晶母液为原料，采用以下步骤生产氢氧化锂：A、将结晶母液导入膜分离系统，截留液为浓缩的硫酸钠溶液，透过液为氢氧化锂溶液；B、将步骤A所得硫酸钠溶液降温(或进一步浓缩后降温)、离心分离、干燥，得到十水硫酸钠结晶；C、将步骤A所得氢氧化锂溶液经过蒸发器浓缩，再进入结晶罐继续浓缩后，经降温、结晶、离心分离、干燥，得到一水氢氧化锂结晶。本发明的工艺采用膜分离技术有效分离硫酸钠及氢氧化锂，提高了氢氧化锂溶液的纯度，从而有效提高了氢氧化锂产品品质，提高了生产效率，降低了生产成本。
氢氧化锂生产工艺

[实用新型]一种用于废碱液处理的系统-CN201721539979.5有效
发明人：李国文;张悦;包长春;王天德 -专利权人：凯姆德（北京）能源环境科技有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于废碱液处理的系统，包括：循环冷却水单元和依次连接的湿式催化氧化单元，中和池单元，电解氧化单元，蒸发结晶单元，低温蒸发结晶单元，所述循环冷却水单元分别与所述湿式催化氧化单元，电解氧化单元，蒸发结晶单元和低温蒸发结晶单元相连。本系统对COD的去除效果明显，可将蒸发结晶进水的COD控制在小于100mg/L的范围，保证了蒸发结晶单元的正常、连续运行，同时保证了硫酸钠盐的纯度。系统充分回收氧化反应和中和反应产生的余热，将其作为蒸发结晶单元和低温蒸发结晶单元的补充热，可实现整个系统内热量自平衡，大大减少了运行消耗。
蒸发结晶低温蒸发结晶电解氧化单元湿式催化氧化废碱液处理循环冷却水硫酸钠盐本实用新型氧化反应依次连接中和反应高品质再生水中和池自平衡进水去除余热废水保证消耗回收补充转化

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201910497081.3在审
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄膜的表面粗糙度Ra是0.1μm以下。
结晶性氧化物层叠结构体底层基板结晶性薄膜表面粗糙度Ra 半导体特性半导体装置刚玉

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201510145934.9有效
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种半导体特性出色的结晶性层叠结构体。该结晶性层叠结构体，具备底层基板，具备底层基板，以及直接或介由其他层设置于该底层基板上的结晶性氧化物薄膜，且该结晶性氧化物薄膜具有刚玉结构；其中，所述结晶性氧化物薄膜的表面粗糙度Ra是0.1μm以下。
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201510232391.4在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910353479.X在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人： FLOSFIA株式会社
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体结晶性底层基板电学特性刚玉

[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置-CN201910915606.0在审
发明人：人罗俊实;织田真也;高塚章夫 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗
结晶性氧化物半导体薄膜氧化物半导体半导体装置层叠结构体底层基板电学特性结晶性刚玉

[发明专利]氧化铝质陶瓷和陶瓷加热器-CN201980062131.3在审
发明人：王雨丛 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C04B35/119 文献下载
摘要：本发明的氧化铝质陶瓷含有氧化铝结晶粒子、氧化锆结晶粒子以及Ti、Mg和Si，关于Ti、Mg和Si的合计的含量，将Ti作为TiO2换算，Mg作为MgO换算，Si作为SiO2换算时，为1.4质量％以上，氧化锆结晶粒子中，将构成氧化锆结晶粒子的氧化锆表示为ZrO2时，相对于ZrO2的稀土元素的含量，以氧化物换算为2mol％以下，氧化锆结晶粒子中含有最大长度为1μm以上的单独粒子和最大长度为1μm以上的凝聚粒子中的至少一种，最大长度为1μm以上的所述单独粒子和最大长度为1μm以上的凝聚粒子的比率的合计，是氧化锆结晶粒子全体的50体积％以上。
氧化铝陶瓷加热器

[发明专利]具有多孔结构的氧化物薄膜及其制备方法和应用-CN201510483224.7在审
发明人：高彦峰 -专利权人：瀛石（上海）实业有限公司;南京协合新材料科技有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多孔结构的氧化物薄膜,其包括基板和覆盖在基板上的氧化物结晶晶粒；所述氧化物结晶晶粒具有金属-绝缘体相变的结晶结构，该氧化物结晶晶粒呈规则的环状结构，且环状结构的氧化物结晶晶粒覆盖在所述基板上形成连续的氧化物薄膜，其中氧化物结晶晶粒的环状结构的内径为30-3000纳米。该氧化物薄膜的制备方法包括以下步骤：步骤A、基板预处理；步骤B、涂布液制作；步骤C、制膜。该多孔结构的氧化物薄膜可以用于制作建筑节能窗、移动运输工具的窗户、遮阳顶棚等方面。该氧化物薄膜具有超高可见光透过率，峰值超过90%，最高达到97%。同时，多孔结构的氧化物薄膜具有温度控制的太阳红外光调节特性，其高低温透过太阳能变化率大于4%。
具有多孔结构氧化物薄膜及其制备方法应用