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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液-CN201380048722.8有效
发明人：渡边仁志 -专利权人：株式会社大赛璐
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液，其含有负载有过渡金属化合物的氧化钛结晶，离子性杂质的含量极低，对于可见光的响应性优异，且发挥优异的光催化剂能力。本发明的负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液是过渡金属化合物负载在结晶性氧化钛上而成的平均长宽比(长径/短径)为1.5以上的负载有过渡金属化合物的氧化钛的悬浮液，其中，含有上述负载有过渡金属化合物的氧化钛作为上述结晶性氧化钛，优选具有结晶面(110)及结晶面(111)的金红石型氧化钛和/或具有结晶面(110)、结晶面(111)及结晶面(001)的金红石型氧化钛。
载有过渡金属化合物氧化悬浮液

[实用新型]采用二道结晶的深度氧化法KPTA生产装置-CN201220217001.8有效
发明人：周华堂;罗文德;姚瑞奎;汪英枝;李利军 -专利权人：中国昆仑工程公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C07C63/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种采用二道结晶的深度氧化法KPTA生产装置，包括依次连接的氧化设备、深度氧化设备、结晶设备、过滤分离设备以及干燥设备，所述结晶设备包括依次连接的一结晶器和二结晶器，所述一结晶器的浆料进口位于其下部，连接所述深度氧化设备的浆料出口，所述一结晶器的浆料出口位于其底部，通过管道连接所述二结晶器的浆料进口，所述二结晶器的浆料进口位于其下部，所述二结晶器的浆料出口位于其底部，所述过滤分离设备只设有一道分离工序
采用结晶深度氧化 kpta 生产装置

[发明专利]用于由结晶石墨制造还原的氧化石墨烯的方法-CN201980032186.X有效
发明人：蒂·坦·吴 -专利权人：安赛乐米塔尔公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明涉及用于由结晶石墨制造还原的氧化石墨烯的方法、还原的氧化石墨烯和氧化石墨烯的用途，所述方法包括对结晶石墨进行预处理，将经预处理的结晶石墨氧化成氧化石墨烯以及将氧化石墨烯还原成还原的氧化石墨烯。
用于结晶石墨制造还原氧化方法

[发明专利]从己二酸的硝酸水溶液中结晶己二酸-CN200480030177.0无效
发明人： B·C·苏特拉哈 -专利权人：因维斯塔技术有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C07C51/43 文献下载
摘要：本发明涉及从环己烷的硝酸氧化产物结晶己二酸的方法，在所述方法中，氧化产物在结晶温度下降的一系列结晶器中进行结晶。
己二酸硝酸水溶液结晶

[实用新型]具有多孔结构的氧化物薄膜-CN201520593779.2有效
发明人：高彦峰 -专利权人：瀛石（上海）实业有限公司;南京协合新材料科技有限公司
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C03C17/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多孔结构的氧化物薄膜,其包括基板和覆盖在基板上的氧化物结晶晶粒；所述氧化物结晶晶粒具有金属-绝缘体相变的结晶结构，该氧化物结晶晶粒呈规则的环状结构，且环状结构的氧化物结晶晶粒覆盖在所述基板上形成连续的氧化物薄膜，其中氧化物结晶晶粒的环状结构的内径为30-3000纳米。该多孔结构的氧化物薄膜可以用于制作建筑节能窗、移动运输工具的窗户、遮阳顶棚等方面。该氧化物薄膜具有超高可见光透过率，峰值超过90%，最高达到97%。同时，多孔结构的氧化物薄膜具有温度控制的太阳红外光调节特性，其高低温透过太阳能变化率大于4%。
具有多孔结构氧化物薄膜

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201910452653.6在审
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
层叠结构体结晶性结晶性氧化物薄膜底层基板刚玉退火导电性半导体装置高电阻化电阻率膜厚加热半导体

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201510144633.4有效
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]一种纳滤浓缩液处理装置及方法-CN201910964501.4有效
发明人：学贤;方艺民;关俊杰;林科堡;刘德灿;王如顺;董正军 -专利权人：厦门嘉戎技术股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳滤浓缩液零排放处理系统和方法，通过膜处理单元对纳滤浓缩液进行过滤处理以产生第一浓水产物，第一浓水产物被送入冷冻结晶单元，冷冻结晶单元用于对第一浓水产物进行分质结晶以产生结晶产物和结晶母液，高级氧化单元用于对结晶母液进行高级氧化处理以产生氧化出水，最后将氧化出水回流至膜处理单元。采用冷冻结晶技术使第一浓水产物中的硫酸钠析出并排出系统，避免二价盐在系统中累积。采用通过高级氧化技术处理冷冻结晶母液能够有效的降低结晶母液中的有机物，然后将高级氧化处理后的氧化出水回流至膜处理单元前端，避免有机物在系统中的累积。
一种浓缩处理装置方法

[发明专利]磨料颗粒、磨料制品及其制备和使用方法-CN201380030226.X有效
发明人：拉里·D·门罗 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： B24D3/14 文献下载
摘要：本发明涉及磨料颗粒，所述磨料颗粒包含α‑氧化铝结晶相和0.25重量％至20重量％的β‑氧化铝结晶相，所述重量％是基于合并的所述α‑氧化铝结晶相和所述β‑氧化铝结晶相的总重量计算的。所述β‑氧化铝结晶相由经验式(X)(Q)Al10O17表示，其中X选自Sr、Ca和Ba；并且Q选自Mg、Co、Ni和Zn。本发明还公开了制备和使用磨料制品的方法以及所述磨料制品。
磨料颗粒制品及其制备使用方法

[发明专利]一种半导体结晶膜的制备方法及其半导体结晶膜-CN201810343777.6有效
发明人：陈梓敏;王钢;李泽琦 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在蓝宝石衬底上制备高质量ε相氧化镓半导体结晶膜的方法。该方法是利用化学气相沉积，在蓝宝石衬底上沉积氧化镓半导体结晶膜。上述ε相氧化镓半导体结晶膜由成核层和主体层构成，其中成核层是纯ε相氧化镓结晶膜或者ε相与β相混合的氧化镓结晶膜，主体层是纯ε相氧化镓半导体结晶膜。>2O3缺陷密度高的问题，获得了高质量ε‑Ga2O3结晶膜，极大拓展了氧化镓半导体材料应用范围。
一种半导体结晶制备方法及其

[发明专利]结晶性层叠结构体，半导体装置-CN201910603781.6有效
发明人：人罗俊实;织田真也 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及结晶性层叠结构体及半导体装置。本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。
结晶层叠结构半导体装置

[发明专利]氧化铈-氧化锆类固溶体结晶微粒及其制造方法-CN200780101931.9有效
发明人：别府义久;砂原一夫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供结晶性高、组成和粒径的均一性良好、粒径小、比表面积大、耐热性良好的氧化铈-氧化锆类固溶体结晶微粒的制造方法以及该固溶体结晶微粒。该方法依次包括：获得以氧化物基准的摩尔％表示含5～50％的(ZrO2+CeO2)、10～60％的RO、25～70％的B2O3的熔融物的工序，其中R为选自Mg、Ca、Sr及Ba的1种以上；将所述熔融物快速冷却而制成非晶质物质的工序；以550～1000℃加热所述非晶质物质，使氧化铈-氧化锆类固溶体结晶在非晶质物质中析出的工序；从所得析出物中分离除所述氧化铈-氧化锆类固溶体结晶以外的成分，得到所述氧化铈-氧化锆类固溶体结晶的微粒的工序
氧化氧化锆固溶体结晶微粒及其制造方法

[发明专利]形成氧化铝层的方法和制造电荷捕获存储装置的方法-CN200810128072.9无效
发明人：崔相武;薛光洙;申雄澈;朴祥珍;李银河;成政宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成氧化铝层的方法和利用该方法制造电荷捕获存储装置的方法。形成氧化铝层的方法可以包括在下面的层上形成非晶氧化铝层、在非晶氧化铝层上形成结晶辅助层和使非晶氧化铝层结晶。形成结晶辅助层的步骤可以包括在非晶氧化铝层上形成非晶辅助层和使非晶辅助层结晶。
形成氧化铝方法制造电荷捕获存储装置

[发明专利]层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法-CN201510355697.9在审
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法。一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分特定地，第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c-轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴(轴向)生长。
层叠氧化物材料半导体器件以及用于制造方法

[发明专利]层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法-CN201510355696.4有效
发明人：山崎舜平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：层叠的氧化物材料、半导体器件、以及用于制造该半导体器件的方法。一个实施例是用于制造层叠的氧化物材料的方法，包括步骤：在基底组件上形成氧化物组分；通过热处理形成从氧化物组分表面向内生长的第一氧化物结晶组分，并在基底组件表面正上方留有非晶组分；以及在该第一氧化物结晶组分上层叠第二氧化物结晶组分特定地，第一氧化物结晶组分和第二氧化物结晶组分具有共同的c‑轴。在共晶生长或异晶生长的情况下导致同轴(轴向)生长。
层叠氧化物材料半导体器件以及用于制造方法

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