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[发明专利]过氧化二异丙苯的生产方法-CN201710982624.1有效
发明人：陈亮;张杰;蔡立鑫;郭艳姿 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C07C409/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种过氧化二异丙苯的生产方法，先将过氧化二异丙苯原料与结晶溶剂一起送入结晶器中进行冷却结晶，然后对所得晶浆进行固液分离得到过氧化二异丙苯晶体Ⅰ和结晶母液Ⅰ，结晶母液Ⅰ排出结晶装置进行溶剂回收，过氧化二异丙苯晶体Ⅰ送入打浆洗涤罐中，利用洗涤液对过氧化二异丙苯晶体Ⅰ进行打浆洗涤，所得晶浆经固液分离得到过氧化二异丙苯晶体Ⅱ和结晶母液Ⅱ，过氧化二异丙苯晶体Ⅱ经干燥后作为产品排出，结晶母液Ⅱ再返回到结晶器中继续结晶，本发明解决了现有技术中存在的产品质量差、晶体形状不规则、透明度差、晶体包藏和聚结严重、晶体颗粒大小分布不均匀、大颗粒晶体收率低、生产能耗高的问题，可用于过氧化二异丙苯生产中。
过氧化异丙苯生产方法

[发明专利]一种铝合金氧化液回收与冷却设备结晶清除系统及工艺-CN201711256760.9有效
发明人：熊映明 -专利权人：佛山市三水雄鹰铝表面技术创新中心有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： C25D11/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝合金氧化液回收与冷却设备结晶清除系统，包括氧化液收集系统、氧化液处理系统、氧化液分离系统、水洗药剂截留系统和冷却设备结晶清除系统。本发明还公开了一种铝合金氧化液回收与冷却设备结晶清除工艺，包括氧化液收集、氧化液处理、氧化液分离、氧化液回收、再结晶回收步骤、水洗药剂截留、冷却设备结晶清除。本发明的系统和工艺氧化液回收率高；实现低位加药；能满足大规模工业化生产需求；节约水资源。
氧化液冷却设备清除系统回收铝合金截留大规模工业化生产处理系统分离系统收集系统再结晶低位加药回收率水资源节约

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210835537.4在审
发明人：杨谨嘉;陈文斌;陈祖伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2022-07-15 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，其中该半导体装置包括基板、金属氧化物半导体层、第一栅极、源极以及漏极。金属氧化物半导体层的材料包括铟锌氧化物、铟钨氧化物、铟钨锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟镓锡氧化物以及铟镓锌锡氧化物中的至少一者。金属氧化物半导体层包括第一掺杂区、第二掺杂区、位于第一掺杂区与第二掺杂区之间的沟道区、位于第一掺杂区中的第一结晶区以及位于第二掺杂区中的第二结晶区。第一结晶区与第二结晶区的结晶度大于沟道区的结晶度。源极以及漏极分别电连接第一结晶区与第二结晶区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN97109515.9无效
发明人：山舜平;寺本聡;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-19 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410048959.9无效
发明人：山崎舜平;寺本聪;小山润;尾形靖;早川昌彦;纳光明;大谷久;滨谷敏次 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 1997-01-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]结晶化薄膜-CN201811125171.1在审
发明人：竹下翔也;松本圭祐;安藤豪彦 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种结晶化薄膜，该结晶化薄膜具备透明薄膜基材及结晶化铟锡复合氧化物层。结晶化薄膜为通过将具备透明薄膜基材及非晶质铟锡复合氧化物层的非晶质薄膜在特定温度下结晶化而得到的特定温度结晶化薄膜。特定温度结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ1与通过将非晶质薄膜在110℃下结晶化而得到的110℃结晶化薄膜中的结晶化铟锡复合氧化物层的残余应力σ2之差为150MPa以下。
结晶化薄膜结晶化铟锡复合氧化物透明薄膜基材非晶质薄膜残余应力温度结晶薄膜非晶质

[发明专利]一种金属水平连铸方法-CN202211497305.9有效
发明人：孙骏;胡龙龙;周海江;傅月宝 -专利权人：富威科技（吴江）有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B22D11/045 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种金属水平连铸方法，用于具有石墨模的结晶器，包括：将石墨模划分为多个结晶区；判断金属结晶所处的结晶区的氧化是否达到预设结晶区氧化阈值；在结晶区的氧化达到预设结晶区氧化阈值时，判断当前所处结晶区与预变更的结晶区之间的距离，调整石墨模上的结晶区位置；判断当前所处结晶区与预变更的结晶区之间的距离，还包括：判断当前所处结晶区与预变更的结晶区距离结晶器的入口端距离的大小；在当前所处结晶区与结晶器的入口端距离，小于预变更的结晶区距离结晶器的入口端距离时，距离为正向调整；在当前所处结晶区与结晶器的入口端距离，大于预变更的结晶区距离结晶器的入口端距离时，距离为负向调整。
一种金属水平方法

[发明专利]金属氧化物结晶结构及具有此金属氧化物结晶结构的显示面板的电路结构及薄膜晶体管-CN201910778192.1在审
发明人：黄景亮;叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开一种金属氧化物结晶结构及具有此金属氧化物结晶结构的显示面板的电路结构及薄膜晶体管。金属氧化物结晶结构包含铟、锡、镓及氧原子，其中铟：锡：镓：氧的原子比例为2：1：1：6，且金属氧化物结晶结构具有结晶单元为菱形六面体。本发明的金属氧化物结晶结构具有原子结构几何优化观点的结晶单元，具有高稳定性及高载子移动率适用于显示面板的薄膜晶体管。
金属氧化物结晶薄膜晶体管结晶单元显示面板原子结构菱形六面体电路结构高稳定性几何优化氧原子移动

[发明专利]金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构-CN201610723919.2有效
发明人：叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供两种金属氧化物半导体层的结晶方法及半导体结构，第一种结晶方法是在压力为约550mtorr至约5000mtorr，温度为约200℃至约750℃下，以氧气处理包含铟的非结晶金属氧化物半导体层。第二种结晶方法是先依序形成第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层于基板上，在温度为约350℃至约650℃下，以惰性气体处理第一非结晶金属氧化物半导体层、铝层及第二非结晶金属氧化物半导体层本发明的金属氧化物半导体层的结晶方法制备的半导体结构能够有效抵御蚀刻剂侵蚀，能够广泛用于制备薄膜晶体管。
金属氧化物半导体结晶方法结构

[实用新型]一种精制氢氧化锶生产的冷却结晶装置-CN202320845791.2有效
发明人：申静;王强;龙俊华 -专利权人：重庆新申世纪新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及氢氧化锶生产技术领域，尤其涉及一种精制氢氧化锶生产的冷却结晶装置。本实用新型提供一种能够自动将氢氧化锶从结晶容器内部脱离，便于人们进行收集的精制氢氧化锶生产的冷却结晶装置。一种精制氢氧化锶生产的冷却结晶装置，包括有基架、结晶皿、电机和丝杆等，基架中部上侧连接有结晶皿，基架前部连接有电机，电机输出轴上连接有丝杆。本实用新型通过解锁顶架挤压弯形扣，使得弯形扣与接盖脱离，复位弹簧回弹带动连接杆和刮板迅速向下进行复位，使得刮板对结晶柱上结晶的精制氢氧化锶进行刮落的操作，能够达到自动将氢氧化锶从结晶容器内部脱离，便于人们进行收集的效果
一种精制氢氧化生产冷却结晶装置

[发明专利]在后氧化区通过水蒸汽的添加对粗品对苯二酸进行纯化的方法-CN200480011137.1无效
发明人：林鑫;M·德弗里德;J·W·斯卢伊默斯;M·德贝尔;T·E·伍德拉夫 -专利权人：伊斯曼化学公司
申请日： 2004-04-19 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C07C51/487 文献下载
摘要：本发明涉及用水蒸汽加热次级氧化器的方法。更具体地，本发明涉及一种在结晶产品的生产中用水蒸汽加热次级氧化器的方法。一种生产结晶产品的方法，所述方法包含如下步骤(a)在初氧化区对芳香族进料进行氧化以生产粗品羧酸浆液；(b)在后氧化区在水蒸汽的存在下对所述粗品羧酸浆液进行氧化以形成后氧化产品；(c)纯化所述后氧化产品以形成脱色的后氧化产品；和(d)在结晶区对所述后氧化产品进行结晶以形成结晶产品。
在后氧化通过水蒸汽添加苯二酸进行纯化方法

[发明专利]五氧化二钽取向膜的制造方法-CN200980120508.2有效
发明人：维什瓦纳特·巴特;瓦西尔·安东诺夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明揭示形成氧化物的方法，所述方法包括使含钌材料(130)与含钽前驱物接触，和使所述含钌材料与包括水且任选地包括分子氢(H2)的蒸汽接触。还揭示包括第一结晶五氧化二钽(140)和在所述第一结晶五氧化二钽的至少一部分上的第二结晶五氧化二钽(150)的物品，其中所述第一五氧化二钽所具有的结晶取向不同于所述第二结晶五氧化二钽的结晶取向。
氧化取向制造方法

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置-CN202110149865.4在审
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
金属氧化物半导体装置以及显示装置

[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置-CN201680079190.8有效
发明人：山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。
金属氧化物半导体装置以及显示装置

[发明专利]一种电池级氢氧化锂的制备提纯方法-CN202111173392.8在审
发明人：张小江;吴再娟;周齐;陈竹林 -专利权人：江苏瑞升华能源科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C01D15/02 文献下载
摘要：本发明提供一种电池级氢氧化锂的制备提纯方法，具体涉及到氢氧化锂生产技术领域。本发明包括如下步骤：向结晶器内充入不活泼的气体，排尽结晶器内原有的空气；向结晶器中加入氢氧化锂浓缩液，结晶器内的温度和压强均升高；结晶器抽至负压状态，结晶器内出现闪蒸现象，结晶器下部为液相段、上部为气相段：继续降低结晶器内的压强，使溶剂继续蒸发，杂质溶于溶剂中，氢氧化锂析出，直至杂质处于最大溶解度；再向结晶器内充入不活泼的气体，过滤排出滤液，取出结晶析出的氢氧化锂。本发明提出的一种电池级氢氧化锂的制备提纯方法，能够提高氢氧化锂制备的纯度和生产效率。
一种电池氢氧化锂制备提纯方法