“氧化结晶”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1093111个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]塔内结晶氨法脱硫塔-CN200520073083.3无效
发明人：徐长香;罗静;傅国光 -专利权人：镇江市江南环保设备研究所
申请日： 2005-06-28 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型属于环保设备，涉及一种用于对烟气中的二氧化硫进行脱除和回收处理的塔内结晶氨法脱硫塔。其特征是，脱硫塔的进烟口以下，由上至下设置有结晶段和氧化段，结晶段与氧化段之间通过隔板相分隔；氧化段底部设置有与压缩空气相通的空气分布器，氧化段下部设置有吸收液入口，吸收液入口与主吸收段下部的出口连接，氧化段上部设置有吸收液出口，吸收液出口通过脱硫塔外部的循环系统与降温吸收段和主吸收段的喷淋装置相连接；结晶段上部设置有结晶液溢流口。本实用新型可在脱硫塔内实现副产品硫酸铵的结晶，无需在后处理工序消耗大量蒸汽进行浓缩结晶，从而在保证正常脱硫效率前提下，既节省了投资又大大降低了运行成本。
结晶脱硫

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201080053857.X无效
发明人：松田高一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：为了解决在等离子体CVD法的膜生成的初始阶段中，难以形成结晶度优异的硅层的问题，提供一种半导体器件，包括：基板；结晶硅层；包含氧化钛作为主要成分的氧化钛层；和与所述结晶硅层电连接的一对电极，其中：所述氧化钛层和所述结晶硅层是从基板侧起按照所描述的顺序在基板上形成的；所述氧化钛层和所述结晶硅层被形成为相互接触。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种高结晶性抗氧化磁性纳米颗粒的制备方法-CN202210816353.3在审
发明人：陈英伟;黄颖琦;邵玲;赵国盟;柳琦杰 -专利权人：浙江大学台州研究院
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C01G51/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高结晶性抗氧化磁性纳米颗粒的制备方法，属于纳米结构材料技术领域。本发明利用乙二醇‑柠檬酸混合有机凝胶可以有效地将抗氧化磁性纳米颗粒分散开，保证抗氧化磁性纳米颗粒不团聚；然后通过热处理使得乙二醇‑柠檬酸混合有机凝胶完全分解，同时利用水溶性无机盐作为隔离相阻止抗氧化磁性纳米颗粒在高温下团聚和烧结，从而得到高结晶性的抗氧化磁性纳米颗粒。本发明的方法能明显提高各种抗氧化磁性纳米颗粒的结晶性，所制得的高结晶性抗氧化磁性纳米颗粒物理强度高、结晶性高且化学性质稳定。
一种结晶氧化磁性纳米颗粒制备方法

[发明专利]一种结晶釉釉料-CN201810947896.2在审
发明人：郭艳 -专利权人：合肥汉甲陶瓷科技有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： C03C8/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种结晶釉釉料，涉及釉料技术领域，所述结晶釉釉料中二氧化硅/氧化铝比为14.2‑14.5，所述结晶釉釉料由基本原料、结晶剂、改性云母石粉制成；本发明结晶釉釉料烧成后，产品晶花花形大小适中，花形紧凑，结晶均匀，且能够保持较高的硬度、光泽度，釉面平滑温润。
釉料结晶釉二氧化硅基本原料光泽度结晶剂云母石氧化铝改性花形平滑烧成釉面紧凑

[发明专利]一种回收处理高氯盐污水的系统及方法-CN201710976494.0在审
发明人：刘玲玲 -专利权人：北京沃特尔水技术股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：系统包括纳滤膜装置，高级氧化装置及结晶器；所述纳滤膜装置设有透过液出口和浓缩液出口，所述透过液出口连接有第一结晶器，所述浓缩液出口依次连接高级氧化装置和第二结晶器。方法包括以下步骤使待处理的高氯盐污水通过纳滤膜，并分别收集浓缩液和透过液；使所述透过液进入第一结晶器进行结晶处理，回收以氯化物为主的低价盐；使所述浓缩液进入高级氧化装置，进行氧化处理，产生的废水进入第二结晶器进行结晶处理本发明能充分回收高盐污水中的盐分，并提高结晶盐的纯度，又能减小氯化物对氧化去除有机质的不利影响。
一种回收处理高氯盐污水系统方法

[实用新型]一种回收处理高氯盐污水的系统-CN201721353975.8有效
发明人：刘玲玲 -专利权人：北京沃特尔水技术股份有限公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C02F9/10 文献下载
摘要：系统包括纳滤膜装置，高级氧化装置及结晶器；所述纳滤膜装置设有透过液出口和浓缩液出口，所述透过液出口连接有第一结晶器，所述浓缩液出口依次连接高级氧化装置和第二结晶器。方法包括以下步骤：使待处理的高氯盐污水通过纳滤膜，并分别收集浓缩液和透过液；使所述透过液进入第一结晶器进行结晶处理，回收以氯化物为主的低价盐；使所述浓缩液进入高级氧化装置，进行氧化处理，产生的废水进入第二结晶器进行结晶处理本实用新型能充分回收高盐污水中的盐分，并提高结晶盐的纯度，又能减小氯化物对氧化去除有机质的不利影响。
结晶器高级氧化装置高氯污水氯化物本实用新型纳滤膜装置浓缩液出口透过液出口回收处理结晶处理浓缩液透过液回收氧化处理依次连接有机质高价盐结晶盐硫酸盐纳滤膜高盐减小去除废水

[实用新型]石灰石‑石膏法脱硫浆液分隔池-CN201621003575.X有效
发明人：钱来 -专利权人：常州市武进东方除尘设备有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： B01D53/80 文献下载
摘要：本实用新型涉及脱硫浆液分隔池技术领域，尤其是一种石灰石‑石膏法脱硫浆液分隔池，包括反应池，反应池内由池分离器分隔为氧化区和结晶区，氧化区位于结晶区上方，结晶区设有石灰石浆液入口、浆液排出口、吸收塔循环泵、去喷淋层，石灰石浆液入口位于结晶区上方，浆液排出口位于结晶区上方另一侧，吸收塔循环泵位于结晶区中部，去喷淋层位于结晶区底部，吸收塔循环泵的支管正对去喷淋层的喷嘴中。本实用新型将吸收塔反应池分为pH值不同的两部分，可以在单回路系统内获得双回路系统的效果；在池分离器中间布置氧化空气喷管，向氧化区提供充足的氧气，保证石膏结晶；同时鼓入的氧化空气可强制排除浆液中的CO2，
石灰石石膏脱硫浆液分隔

[实用新型]脱硫脱硝和浓缩结晶多功能烟气净化装置-CN200920038130.9有效
发明人：徐长香;罗静;傅国光;徐涛;张学辉 -专利权人：江苏新世纪江南环保有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种烟气脱硫脱硝和浓缩结晶多功能烟气净化装置，含有吸收塔，塔内包含水洗除雾段、吸收段、结晶段和氧化段，塔底设有压缩空气进口和出料口；结晶段与氧化段之间及结晶段与吸收段之间分别通过隔板隔开，其中结晶段与吸收段之间的隔板带有气帽结构，烟气从结晶段入塔；结晶段的烟气入口的上方设有与塔底出料口相通的结晶喷淋器；氧化段的上部脱硝循环、中部脱硫循环层和下部氧化层通过对应的循环泵及塔外循环管分别与吸收塔的下层喷淋器本装置利用烟气的蒸发能力使硫酸铵料浆浓缩饱和结晶，利用氨脱硫中间产物脱硝，将脱硫脱硝和硫铵的浓缩结晶在同一塔内进行，减少设备投资，节省能耗。
脱硫浓缩结晶多功能烟气净化装置

[发明专利]一种锂辉石生产单水氢氧化锂工艺及其生产线-CN202210629878.6在审
发明人：伍华东;郑国忠;孙师根 -专利权人：江西春鹏锂业有限责任公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C01D15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂辉石生产单水氢氧化锂工艺，包括以下步骤：将锂辉石精矿依次经焙烧、研磨、酸化、制浆、一次去杂、二次去杂、浓缩、离心分离、低温蒸发结晶、多次蒸发结晶和干燥结晶。蒸发结晶时，采用热解消除母液中的结晶，步骤10蒸发溶液温度至135℃，停止加热后冷却，温度控制40℃～60℃，析出颗粒较大的单水氢氧化锂，加入250～500ppm脂肪醇聚氧乙烯醚，蒸发母液至160℃，冷却温度控制20℃～30℃，多次结晶析出颗粒较小的单水氢氧化锂。解决了生产单水氢氧化锂品质较低的问题，同时还大大降低了生产成本。本发明还公开了一种生产单水氢氧化锂的结晶设备包括加热部、分离部、冷凝部、过滤部等。
一种辉石生产氢氧化锂工艺及其生产线

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610064488.X有效
发明人：宫入秀和;小久保千穗;井上弘毅 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在衬底上形成非晶半导体膜，其掺杂有促进结晶的金属元素，通过第一热处理结晶非晶半导体膜来形成结晶半导体膜；去除结晶半导体膜上形成的第一氧化膜并形成第二氧化膜；用第一激光照射其上形成了第二氧化膜的结晶半导体膜；在第二氧化膜上形成含有稀有气体元素的半导体膜；通过第二热处理将含在结晶半导体膜中的金属元素吸气到含有稀有气体元素的半导体膜中；去除含有稀有气体元素的半导体膜和第二氧化膜；在含氧气氛中用第二激光照射结晶半导体膜
半导体器件制造方法

[发明专利]一种二氧化钛纳米管阵列的低温结晶制备方法及其应用-CN201210062394.4有效
发明人：刘静;刘兆阅 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-03-12 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提出一种二氧化钛纳米管阵列的低温结晶制备方法及其应用，属于制备多晶二氧化钛纳米管的技术领域，该二氧化钛纳米管阵列的低温结晶制备方法包括：步骤一：样品制备过程，步骤二：低温结晶过程。本发明提出的二氧化钛纳米管阵列的应用为应用二氧化钛纳米管阵列进行光解水制氢应用。本发明利用封闭反应容器、采用气固界面结晶法进行低温结晶制备二氧化钛纳米管阵列，该二氧化钛纳米管阵列的低温结晶制备方法在制备二氧化钛纳米管阵列时晶型转化温度较传统的煅烧法低得多，仅需110-180℃。本发明结合电化学阳极氧化技术和电化学设备对二氧化钛纳米管阵列进行光解水制氢的应用，使二氧化钛在太阳能电池、光解水制氢方面得到广泛应用。
一种氧化纳米阵列低温结晶制备方法及其应用

[发明专利]一种聚合物基纳米水合氧化镧材料、晶型与结晶度调控方法、应用及再生方法-CN201910290333.5有效
发明人：潘丙才;王铭璐;张延扬;高翔 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-04-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚合物基纳米水合氧化镧材料、晶型与结晶度调控方法、应用及再生方法，属于环境功能材料领域。聚合物基纳米水合氧化镧材料包括大孔树脂和负载在其孔内的纳米水合氧化镧，其特征在于，所述纳米水合氧化镧在透射电镜下有平行的晶格衍射条纹，所述衍射条纹间距为0.30～0.33nm，纳米水合氧化镧的结晶度为29.19还公开了聚合物基纳米水合氧化镧材料晶型与结晶度的调控方法，通过在制备过程中条件的不同，制备出不同晶型与结晶度的聚合物基纳米水合氧化镧材料，由于不同结晶度的聚合物基纳米水合氧化镧材料表现出不同的吸附性能及再生性能，因此采用本发明制备方法可以针对实际情况提供不同晶型和结晶度的聚合物基纳米水合氧化镧材料。
一种聚合物纳米水合氧化材料结晶度调控方法应用再生

[发明专利]一种大颗粒过氧化二异丙苯的结晶方法-CN201610986150.3有效
发明人：崔敏华;傅跃华;谭永生;徐卫民;许耀新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C07C407/00 文献下载
摘要：本发明涉及过氧化二异丙苯结晶技术领域，特别是涉及一种大颗粒过氧化二异丙苯的结晶方法。所述结晶方法包括以下步骤：1）将过氧化二异丙苯液体与醇溶剂混合均匀，得到混合溶液；2）向步骤1）得到的混合溶液中加入过氧化二异丙苯晶种和过氧化二异丙苯细粉，冷却结晶，得到所述大颗粒过氧化二异丙苯。本发明的制备方法加入过氧化二异丙苯晶种和过氧化二异丙苯细粉，有利于晶体生长且有效抑制细粉产生，制得的过氧化二异丙苯产品中大颗粒过氧化二异丙苯得率高，可达到95%以上。
过氧化二异丙苯大颗粒细粉晶种混合溶液中混合溶液结晶技术晶体生长冷却结晶有效抑制醇溶剂得率制备

[发明专利]结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法-CN02105329.4无效
发明人：太田勇夫;西村透;谷本健二 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2002-02-26 - 公布日： 2002-10-02 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：接近单分散的结晶性二氧化铈溶胶及其制造方法。含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶,该结晶性二氧化铈粒子,从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径是10～200nm,(用动态光散射法测得的粒径)/(从由气体吸附法测得的比表面积换算出的粒径)之比处于2～6的范围内上述含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶由溶胶生成工序及将得到的溶胶进行湿式粉碎的工序进行制造,该溶胶生成工序是,在惰性气体的环境下,在水性媒体中,使铈(III)和碱性物质进行反应,在生成氢氧化铈(III)的悬浊液之后,立即向该悬浊液吹入氧气或含氧的气体,生成含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。另外,在300～1100℃下焙烧碳酸铈,得到结晶性氧化铈粒子,再湿式粉碎上述粒子,由上述工序也可以制造含有结晶性二氧化铈粒子的溶胶。
结晶氧化溶胶及其制造方法

[发明专利]主动元件基板及其制法-CN201810612190.0有效
发明人：叶家宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：第一主动元件包括第一栅极、结晶金属氧化物层、第一绝缘层、第一源极与第一漏极。结晶金属氧化物层位于第一栅极上。结晶金属氧化物层与第一栅极之间夹有第一绝缘层。以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从结晶金属氧化物的上表面至结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案。第二主动元件包括第二栅极、硅半导体层、第二源极与第二漏极。
主动元件及其制法