[发明专利]结晶性层叠结构体、半导体装置在审
| 申请号： | 201910915606.0 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110620145A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社FLOSFIA |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/778;H01L29/786;H01L29/872;H01L33/26 |
| 代理公司： | 11018 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶性氧化物 半导体薄膜 氧化物半导体 半导体装置 层叠结构体 底层基板 电学特性 结晶性 刚玉 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性层叠结构体，其具备结晶性氧化物半导体薄膜，该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，其特征在于，/n所述氧化物半导体含有的主要成分是铟和/或镓，/n所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌，/n所述结晶性氧化物半导体薄膜实质上不含有碳。/n
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