“正向导通电流”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果867214个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体功率器件-CN201210262720.6无效
发明人：黄勤 -专利权人：无锡维赛半导体有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的横向IGBT和基本的VDMOS组成的新型半导体功率器件；调整重掺杂第二导电类型区的掺杂浓度或采用寿命控制的方法，以降低基本的横向IGBT产生的第一正向导通电流的大小，同时增加了基本的VDMOS产生的第二正向导通电流的大小，并使所述的第一正向导通电流小于第二正向导通电流，使本发明相较于传统的IGBT和VDMOS而言，在保证器件导通电阻及导通功率损耗降低的同时提高器件的开关速度；通过改进漂移区的结构消除正向导通的负阻区，完善本法明的性能。
半导体功率器件

[发明专利]半导体器件和用于操作半导体器件的方法-CN201711129145.1有效
发明人： T.M.赖特;F.沃尔特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体器件包括多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个正向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在半导体器件的正向操作模式中导通电流，并且在半导体器件的反向操作模式中阻断电流。此外，半导体器件包括多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元。多个反向导通绝缘栅双极晶体管单元被配置为在正向操作模式中和反向操作模式中都导通电流。
半导体器件用于操作方法

[发明专利]半导体功率器件-CN201210262785.0无效
发明人：黄勤 -专利权人：无锡维赛半导体有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：通过巧妙地结合传统IGBT和VDMOS，形成具有共用部分的由基本的纵向IGBT和基本的横向DMOS组成的新型半导体功率器件；调整重掺杂第二导电类型区的掺杂浓度或采用寿命控制的方法，以降低基本的纵向IGBT产生的第一正向导通电流的大小，同时增加了基本的横向DMOS产生的第二正向导通电流的大小，甚至使所述第一正向导通电流小于第二正向导通电流，使本发明相较于现有技术中的IGBT和VDMOS而言，在保证器件的导通电阻及导通功率损耗降低的同时提高器件的开关速度
半导体功率器件

[发明专利]自对准硅化物工艺的监控方法-CN200810033050.4无效
发明人：张步新;王媛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：所述监控方法是在形成有金属硅化物的源漏极区施加正向电压，测量源漏极区的正向导通电流；然后判断测量的正向导通电流是否在允许值范围内，若前者超出后者，则说明自对准硅化物工艺存在问题；若前者未超出后者，则说明自对准硅化物工艺符合要求与现有技术相比，本发明提供的监控方法利用PN结的单向导电性对自对准硅化物工艺进行控制，通过正向导通电流的大小来判断硅化物工艺是否存在问题，准确性较高，且步骤简单易操作。
对准硅化物工艺监控方法

[发明专利]超声波信号检测电路、检测方法和超声波检测设备-CN202180001241.6在审
发明人：崔亮;王雷;李扬冰;王迎姿;王佳斌;王玉波;韩艳玲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G06F3/043 文献下载
摘要：一种超声波信号检测电路，其中，包括：传感电路(2)、单向导通电路(3)和源跟随电路(4)，传感电路(2)通过单向导通电路(3)与源跟随电路(4)的输入端连接；传感电路(2)配置为根据接收到的超声波回波信号生成相应的压电信号，并将压电信号输出给单向导通电路(3)，压电信号为交流信号；单向导通电路(3)配置为对交流信号进行整流，以仅允许交流信号内正向电流部分或负向电流部分通过，正向电流部分通过单向导通电路(3)后能够对源跟随电路(4)的输入端处进行充电，负向电流部分通过单向导通电路(3)后能够对源跟随电路(4)的输入端处进行放电；源跟随电路(4)配置为根据自身输入端处的电压生成相应的检测信号，并通过自身输出端输出检测信号。
超声波信号检测电路方法设备

[发明专利]PN结测温方法、系统及计算机可读存储介质-CN202310006786.7在审
发明人：张东来;朱雪丽;黄雅杰 -专利权人：哈尔滨工业大学(深圳)
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种PN结测温方法、系统及计算机可读存储介质，该PN结测温方法考虑了理想因子随温度变化情况，只需对PN结的正向导通电流及正向导通电压分别进行积分，即可实现温度的测量，该测温方法与PN结的反向饱和电流无关，并适用于可变导通电流情况下的温度测量，可以降低电压信号和电流信号的采样频率，提高温度测量精度，适用范围广。
pn 测温方法系统计算机可读存储介质

[发明专利]一种单向导通电路-CN201210483872.9有效
发明人：金津 -专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种单向导通电路，以克服芯片内集成二极管时，流过二级管的正向电流引起闩锁效应导致芯片失效甚至损毁的问题。本发明提供的单向导通电路利用一阻抗电路与一主MOS管连接，所述阻抗电路上的压降控制主MOS管强制导通，正向电流完全从主MOS管的沟道流过而不经过其体二极管，解决了在需要二极管正向导通电流的应用场合片内集成二极管时
一种向导通电

[发明专利]一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法-CN202310773439.7在审
发明人：芮二明;刘沛;付琬月;刘超铭;霍明学;高乐 -专利权人：中国航天标准化研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Pyraformer模型的二极管可靠性分析方法，属于微电子技术领域；选择反向漏电流、正向导通电流和正向导通压降作为特征数据；对特征数据进行异常值的处理；对特征数据进行降噪处理；对特征数据进行特征缩放处理；对特征数据进行集合划分；扩大训练集的规模；建立Pyrafomer模型；获得高精度Pyraformer模型；判断高精度Pyraformer模型是否建立完成；将后续采集的正向导通电流和正向导通压降作为高精度Pyraformer模型的输入，输出二极管的反向漏电流，后续根据反向漏电流实现对二极管可靠性的分析；本发明提高了模型的计算效率和精度，减少可靠性计算成本，同时解决传统建模方法在处理复杂和非线性关系时的困难
一种基于 pyraformer 模型二极管可靠性分析方法

[发明专利]一种电荷补偿半导体装置及其制备方法-CN201210146112.9无效
发明人：朱江 -专利权人：朱江
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷补偿半导体装置，通过在窄禁带半导体材料中引入宽禁带半导体材料，并与之形成电荷补偿结构，降低器件的正向导通电阻，提高器件大电流密度下正向导通能力，改善器件的正向导通特性；本发明还提供一种电荷补偿半导体装置的制备方法
一种电荷补偿半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种微功耗单向导通电路-CN201210389750.3有效
发明人：张从峰 -专利权人：张从峰
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开一种微功耗单向导通电路，包括单向导通二极管、开关、控制器和采样电路，其中，开关的功率端子与单向导通二极管并联，而开关的控制极连接控制器；采样电路采样单向导通二极管的导通电流方向，并将结果送入控制器；控制器根据单向导通二极管的导通电流方向，通过控制极对开关进行开通与否及占空比的控制，当单向导通二极管正向导通时，控制器为开关提供开通信号，开关导通；当单向导通二极管反向导通时，控制器为开关提供关断指令，开关断开，从而使单向导通二极管反向截止。此种电路结构可大幅降低由于二极管的正向压降而导致的较大功率问题。
一种功耗向导通电

[实用新型]一种微功耗单向导通电路-CN201220526334.9有效
发明人：张从峰 -专利权人：张从峰
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种微功耗单向导通电路，包括单向导通二极管、开关、控制器和采样电路，其中，开关的功率端子与单向导通二极管并联，而开关的控制极连接控制器；采样电路采样单向导通二极管的导通电流方向，并将结果送入控制器；控制器根据单向导通二极管的导通电流方向，通过控制极对开关进行开通与否及占空比的控制，当单向导通二极管正向导通时，控制器为开关提供开通信号，开关导通；当单向导通二极管反向导通时，控制器为开关提供关断指令，开关断开，从而使单向导通二极管反向截止。此种电路结构可大幅降低由于二极管的正向压降而导致的较大功率问题。
一种功耗向导通电

[发明专利]超结载流子存储型IGBT器件-CN202211498441.X在审
发明人：李昊 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：超结结构的厚度根据载流子存储层的厚度进行设置，载流子存储层的厚度根据IGBT器件正向导通时所需的电流能力进行设置。超结结构的厚度和IGBT器件的总耐压相独立。本发明能避免采用超结结构提高器件耐压时对器件正向导通电流能力的不利影响，从而能利用超结结构最大限度提升器件正向导通电流能力，能使器件的反向耐压和正向电流导通能力独立调节。
载流子存储 igbt 器件

[实用新型]一种玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路-CN201820250333.3有效
发明人：余煌;刘勇刚 -专利权人：奇士达智能科技股份有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H02P7/03 文献下载
摘要：一种玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路，包括两组切换器，每组切换器包括一个正向导通电路及一个负向导通电路，正向导通电路及负向导通电路均连接到一MOS管的栅极，正向导通电路MOS管的源级连接第一外部电源，正向导通电路MOS管的漏极连接负向导通电路的MOS管的源极接玩具马达的其中一个控制端，所述两个负向导通电路的MOS管的漏极接地，两组切换器分别连接在玩具马达的两个控制端，本实用新型的玩具马达用的可实现快速切换正反转的放大电路采用四个信号控制口的配合两组正向导通电路和负向导通线路的结构
通电路马达玩具放大电路快速切换正反转两组控制端切换器漏极本实用新型外部电源信号控制接地组切换方波源极源级电量残留输出配合

[发明专利]光伏汇流箱的能效分析方法及装置-CN201510849889.5在审
发明人：杨晓波;王婷;王萍;周丽霞;袁瑞铭;易忠林;丁恒春;沈宇;徐占河;席晓宇 -专利权人：国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H02S40/34 文献下载
摘要：一种光伏汇流箱的能效分析方法及装置，该能效分析方法包括：利用防反二极管的伏安特性，根据防反二极管的导通电流获取防反二极管的通态压降；根据所述通态压降及导通电流计算单个防反二极管的正向导通损耗；根据所述正向导通损耗计算单个防反二极管的正向导通近似损耗；获取根据光伏汇流的个数及防反二极管个数，根据光伏汇流的个数、防反二极管个数及所述正向导通近似损耗生成光伏汇流箱产生的总功率损耗；根据光伏汇流箱的总输入功率及所述光伏汇流箱产生的总功率损耗生成光伏汇流箱的能效值并输出所述能效值
汇流能效分析方法装置

[实用新型]一种超低电磁辐射电发热片-CN201920837697.6有效
发明人：何强 -专利权人：何强
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低电磁辐射电发热片，包括第一屏蔽层、正向导线、反向导线、第二屏蔽层，所述第一屏蔽层的顶部固定连接有正向导线，所述第一屏蔽层的顶部且位于正向导线的内圈固定连接有反向导线。本实用新型通过正向导线和反向导线交替回路和第一屏蔽层屏蔽接地的方式，使紧邻的正反向电流线路来有效降低抵消发热片周边的磁场强度，通过包围通电线路的第一屏蔽层接地的方式来有效降低发热片周边电场强度，从而从整体结构上有效降低发热片的电磁辐射或电磁场强，解决了由于电热产品一般功率和电流较大，所以电磁辐射或电磁场强也较大，对人体会产生一定的影响甚至危害的问题。
一种电磁辐射发热

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条