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[发明专利]征信数据的处理方法、装置及系统、存储介质、终端-CN201710817500.8在审
发明人：李晓忠;王赫 -专利权人：上海麦子资产管理有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G06Q40/02 文献下载
摘要：一种征信数据的处理方法、装置及系统、存储介质、终端，征信数据的处理方法包括：接收来自多个数据源的原始征信数据；对所述原始征信数据进行预处理，以得到标准征信数据，所述标准征信数据包括预设的多个字段；将所述标准征信数据传输至信贷审核系统；其中，所述标准征信数据包含的字段数量大于等于所述多个数据源的原始征信数据包含的字段数量。通过本发明技术方案可以提高征信数据处理的效率。
字段装置及系统存储介质数据包含数据源预处理终端数据包括数据传输信贷审核数据处理预设

[发明专利]具有软件可配置IO类型的本征屏障设备-CN201510992273.3在审
发明人： D·K·克恩;P·格哈特;S·K·贾甘纳桑 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G05B19/048 文献下载
摘要：本发明涉及具有软件可配置IO类型的本征屏障设备。本征屏障设备、方法和计算机程序产品，用于将输入/输出(IO)模块的通信信道自现场设备隔离。本征屏障设备包括前端，所述前端具有编程输入端，所述编程输入端被适配成接收模拟输入AI、模拟输出AO、数字输入DI或数字输出DO的IO类型配置信号。本征屏障设备还包括处理IO类型配置信号的处理器和存储本征屏障IO类型配置(IBTC)程序的相关联的存储器设备。处理器被编程为实现IBTC程序。处理器响应于IO类型配置信号将本征屏障设备配置成作为AI、AO、DI或DO操作，用于支持以AI、AO、DI或DO、在IO模块和现场设备之间的通信信道上通过本征屏障设备的通信。
具有软件配置 io 类型屏障设备

[发明专利]光学成像系统有限维本征频域分析方法-CN201510981063.4在审
发明人：任智斌;胡佳盛;智喜洋;岳帅;曲荣召;李明亮;唐洪浪;郑烁 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G06F17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学成像系统有限维本征频域分析方法，其步骤如下：第一步：根据光学系统的PSF矩阵和一维物向量求解光学系统的二维光强传输矩阵；第二步：利用QR分解法求解二维光强传输矩阵的特征值向量，利用幂法求解二维光强传输矩阵的本征函数向量组；第三步：通过物向量、像向量与本征函数向量组的矩阵运算求解物、像的有限维本征频谱向量。该方法克服了傅里叶光学的频域成像分析方法在理论与数值计算中存在的缺点，给出了物、像本征频谱向量的求解方法，实现了物本征频谱向量乘以光学系统特征值向量等于像本征频谱向量的光学成像系统有限维本征频域分析方法
光学成像系统有限征频域分析方法

[发明专利]P+衬底上本征层的生长方法-CN201710203991.7在审
发明人：侯志义;陈秉克;赵丽霞;袁肇耿;薛宏伟;张志勤;贾松;任丽翠 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种P+衬底上本征层的生长方法，涉及本征层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤在P+衬底上生长10微米的第一本征硅层，在第一本征硅层的上表面外延生产第一外延层，外延后清洗表面消除第一外延层表面的氧化层；在第一外延层的表面二次生长一定厚度的第二本征硅层，对第二本征硅层进行外延所述方法通过二次生长本征层和二次外延工艺，使得通过所述方法生长的一层或多层外延层纵向分布平坦，从而造成通过所述衬底制作的器件性能稳定性强。
衬底生长方法

[发明专利]一种获取本征图像的方法与装置-CN201710311828.2在审
发明人：段志刚 -专利权人：郑州云海信息技术有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种获取本征图像的方法与装置，通过计算日光与天空光的SPD，即图像非阴影区域的线性RGB三刺激值和图像阴影区域的线性RGB三刺激值，可以计算出所述SPD对应的参数值；利用熵优化算法，可以从所述参数值中选取与待测试图像对应的目标参数值；将所述目标参数值代入正交分解公式，便可以得到所述待测试图像的本征图像。通过计算SPD的方式，可以得出任意天顶角下对应的参数值，从该参数值中选取出的目标参数值精确度也越高，从而根据该目标参数值得到的本征图像可以很好的消除光照的影响，也即本征图像精确性越高。
一种获取图像方法装置

[发明专利]本征图像分解方法、装置、设备及可读存储介质-CN201911256829.7在审
发明人：饶军;龚文勇 -专利权人：佛山市熠瞳科技有限公司;深圳市三诚智创科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征图像分解方法、装置、设备及可读存储介质，所述本征图像分解方法给出了基于光照本征图像的低秩稀疏性质确定的预设约束条件，相较于现有的仅基于稀疏性质所确定的约束条件，能够更好地刻画本征图像的性质，将耦合的反射与光照目标分量分离得更加完全；运用交替方向乘子法对极小化目标函数进行优化求解，相较于现有的基于机器学习的本征图像分解方法计算过程更加简单易行，无需大量的标注训练样本即可完成分解任务；且基于交替方向乘子法的求解过程为分布式计算过程
图像分解方法装置设备可读存储介质

[发明专利]单片多本征区二极管开关-CN202080017082.4在审
发明人：詹姆士·约瑟夫·布罗格;约瑟夫·杰勒德·布科夫斯基;玛格丽特·玛丽·巴尔特;蒂莫西·爱德华·博莱斯 -专利权人：镁可微波技术有限公司
申请日： 2020-02-28 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H03K17/76 文献下载
摘要：单片多掷二极管开关可以包括具有不同本征区的混合布置的二极管，所有二极管被形成在同一半导体衬底上方。在一个示例中，单片多掷二极管开关中的两个PIN二极管具有不同的本征区厚度。第一PIN二极管具有较薄的本征区，而第二PIN二极管具有较厚的本征区。这种配置允许针对薄本征区PIN二极管和厚本征区PIN二极管两者进行单独地优化。作为一个示例，对于在专用的发射/接收模式下运行的开关，第一发射PIN二极管可以具有比第二接收PIN二极管更厚的本征区，以使发射臂的功率处理最大化，以及最大化接收臂中的接收灵敏度和插入损耗。
单片二极管开关

[发明专利]flash型FPGA的本征态电流控制电路-CN202111582300.1在审
发明人：曹正州;单悦尔;季振凯;祝洁;孙佩;胡恩泽 -专利权人：无锡中微亿芯有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H03K19/1778 文献下载
摘要：本发明公开了一种flash型FPGA的本征态电流控制电路，涉及flash型FPGA领域，该本征态电流控制电路包括导通开关管和利用p_flash开关单元的本征弱导通状态设计的开关管控制逻辑，导通开关管连接在
flash fpga 电流控制电路

[发明专利]本征型阻燃PET树脂及其制备方法和应用-CN202211034714.5在审
发明人：邱守季;杨红;钱玉英;葛英霞;刘晓芳;帅和平;万涛明 -专利权人：深圳市瑞世兴科技有限公司;广州华新科智造技术有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C08G63/692 文献下载
摘要：本发明公开了一种本征型阻燃PET树脂及其制备方法和应用，本征型阻燃PET树脂通过包括含磷功能单体的原料经共缩聚反应制备得到的，含磷功能单体为次磷酸盐与化合物A进行加成反应后的产物，化合物A选自C1～C5可通过反应物的选择，引入多种如刚性苯环等基团，调控P元素分布在共聚聚对苯二甲酸乙二酯的主链或侧链中，以及形成高温离子聚集型阻燃，获得V‑0级阻燃性能以及抗熔滴的本征型阻燃PET树脂。
阻燃 pet 树脂及其制备方法应用

[发明专利]一种确定液体本征浸润阈值的方法-CN202210012750.5在审
发明人：李育龙;田野;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定液体本征浸润阈值的方法，所述方法包括以下步骤：准备光滑基底和粗糙基底；分别在所述光滑基底和所述粗糙基底的至少一个表面镀一层金膜；然后在金膜表面修饰自组装单层膜，获得一系列不同组的表面能不同的光滑基底和粗糙基底将获得的一系列不同组的光滑基底和粗糙基底修饰有自组装单层膜的一面进行待测液体的接触角测量，对比测量结果，找出粗糙表面的接触角比光滑表面的接触角小时对应光滑表面接触角最大值，和粗糙表面的接触角比光滑表面的接触角大时对应光滑表面接触角最小值，介于这最大和最小值之间的范围就是待测液体本征浸润阈值本发明提供的方法适用范围广，能有效提高液体本征浸润阈值范围的准确度。
一种确定液体浸润阈值方法

[发明专利]具有光敏本征区的二极管-CN202180069940.4在审
发明人： S·利施克 -专利权人： IHP有限责任公司／莱布尼茨创新微电子研究所
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种二极管(300)，该二极管包括p型掺杂区(312)、n型掺杂区(314)和光敏本征区(310)，该光敏本征区(310)在与二极管(300)中的光传播方向横切的方向上横向夹在所述p型掺杂区(所述本征区(310)由与第一材料和第二材料中的至少一种不同的第二材料制成。所述第二材料包括锗、锗锡或硅锗。所述本征区(310)在其两个横向端(318、320)之间的最大横向延伸量等于或小于400纳米。所述p型掺杂区(312)和所述n型掺杂区(314)是原位掺杂的，从而在制造二极管(300)时所述本征区(310)不被掺杂。
具有光敏二极管

[发明专利]由蓝光危害本征值计算应用值的方法-CN201410548728.8有效
发明人：韩秋漪;刘婕;张善端;陈志学 -专利权人：复旦大学;无锡中科新能源股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明属于照明光生物安全技术领域，具体为一种由蓝光危害本征值计算应用值的方法。本发明根据光源发光单元面积、光源的半径、给定距离下人眼中光源所成像的面积、人眼注视发光面的时间等参数，计算光源蓝光加权辐亮度与应用距离的关系曲线，从而将检测得到的光源的蓝光加权辐亮度本征值通过计算转换成不同观察距离上的蓝光加权辐亮度应用值
危害计算应用方法

[发明专利]一种低压本征NMOS器件及其制造方法-CN201210009713.5有效
发明人：刘冬华;石晶;钱文生;胡君;段文婷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2012-01-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压本征NMOS器件包括：硅衬底上部形成有注入区，注入区旁侧形成有浅沟槽隔离，注入区上部形成有N型源漏区，注入区和硅衬底上方形成有栅氧化层，栅氧化层上方形成有栅多晶硅层，栅氧化层和栅多晶硅层的两侧形成有隔离侧墙本发明还公开了一种低压本征NMOS器件的制造方法。本发明的本征低压NMOS器件通过提高沟道两侧掺杂浓度，能有效地抑制了源漏穿通的发生，不需要通过拉长器件沟道的方式来避免源漏穿通现象的发生，有利于低压本征NMOS器件的小型化，有利于减小应用低压本征NMOS
一种低压 nmos 器件及其制造方法

[发明专利]具有碲化镉本征层的光伏电池-CN201110118328.X有效
发明人： B·A·科雷瓦尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-04-28 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：光伏(PV)电池(10)包括第一导电层(12)、p型半导体层(14)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。该大致上本征半导体层设置在该p型半导体层和该n型半导体层之间。还提供光伏电池(10)，其包含包括织构化衬底的第一导电层(12)和具有至少大约5μm的中等晶粒尺寸并且包括镉和碲的大致上本征的半导体层(16)。
具有碲化镉电池

[发明专利]高纯度本征态聚苯胺的后处理方法-CN200710055244.X有效
发明人：夏钢;梁立 -专利权人：吉林正基科技开发有限责任公司
申请日： 2007-01-19 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯度本征态聚苯胺的后处理方法，属于导电高分子领域。本发明采用酸洗、碱洗、醇洗、水洗、喷雾烘干的制备方法进行苯胺聚合物后处理提纯，进行氧化还原和清洗，目的是得到粒径均匀高纯度的本征态聚苯胺。解决了聚苯胺在工业化进程中深加工的难题，得到高纯度的粒径均匀的本征态聚苯胺产品。
纯度征态聚苯胺处理方法