专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种WO3-CN202310830125.6在审
  • 王立坤;郝潇悦;刘涌;韩高荣;马赛男;龚煜 - 浙江大学宁波“五位一体”校区教育发展中心
  • 2023-07-07 - 2023-10-03 - C01G41/02
  • 本发明公开了一种WO3@ITO异质结纳米复合材料及其制备方法,属于纳米材料的技术领域。本发明的制备方法包括如下步骤:(1)制备WO3纳米粉体;(2)对制备好的WO3纳米粉体表面进行掺铟预处理;(3)将表面掺铟的WO3加入到溶剂热合成ITO的前驱液中,使ITO在WO3表面外延生长,制得WO3@ITO异质结纳米复合材料;本发明制备方法工艺简单,成本低廉,产品形貌可控,所制得的复合材料分散性良好,能够均匀牢固地负载于二维载体如碳布、泡沫镍、FTO、ITO、玻璃等表面,可应用于电致变色、气体传感器、储能材料和光催化等领域。
  • 一种wobasesub
  • [发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
  • 任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 - 浙江大学
  • 2022-01-27 - 2023-08-08 - H01L31/032
  • 本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底,并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中,外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整,外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐,钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到,其具有优异的光伏性能,且在光照条件下电阻受磁场影响显著,可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
  • 半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用
  • [发明专利]一种BiFeO3-CN202310312815.2在审
  • 杨鑫;韩高荣;任召辉;周迪逵 - 云南师范大学
  • 2023-03-28 - 2023-06-23 - B01J23/888
  • 本发明公开了一种BiFeO3/Bi2WO6二维单晶异质结光催化剂的制备方法,包括有如下制备步骤:1)制备含有铋和钨的羟基氧化物沉淀的悬浮液;2)将步骤1)制备得到的悬浮液转移到反应釜内胆中,用去离子水调节反应釜内胆中的悬浮液体积至反应釜内胆容积的70%~90%,搅拌均匀,得到混合溶液;3)向步骤2)制备得到的混合溶液中加入铁酸铋单晶纳米片,搅拌均匀,得到反应物料;4)将步骤3)中配置有反应物料的反应釜内胆置于反应釜内,密封,150~200℃下保温4.5~24h进行水热处理;5)水热反应完成后,让反应釜自然冷却到室温,用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应产物,过滤、烘干,即得BiFeO3/Bi2WO6二维单晶异质结光催化剂。
  • 一种bifeobasesub
  • [发明专利]一种BiFeO3-CN202310312792.5在审
  • 杨鑫;韩高荣;任召辉;周迪逵 - 云南师范大学
  • 2023-03-28 - 2023-06-23 - B01J23/843
  • 本发明公开了一种BiFeO3/SrTiO3二维单晶异质结光催化剂制备方法,包括有如下步骤:1)制备含有锶和钛的羟基氧化物沉淀悬浮液;2)向步骤1)制备的悬浮液中加入铁酸铋单晶纳米片和分散剂,搅拌均匀,得到反应物料;3)将步骤2)制备的反应物料转移到反应釜内胆中,用去离子水调节反应釜内胆中的反应物料体积至反应釜内胆容积的70%~90%,搅拌均匀;4)将反应釜内胆置于反应釜内,密封,150~200℃下保温12~24h进行水热处理;5)水热反应完成后,让反应釜自然冷却到室温,用去离子水和无水乙醇反复洗涤反应产物,过滤、烘干,即得BiFeO3/SrTiO3二维单晶异质结。
  • 一种bifeobasesub

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