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[发明专利]暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法-CN201410282977.7有效
发明人：杨合情;王姣;金荣;田志霞;贾文静;马斓 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2014-06-23 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： C01G11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法，采用简单的回流法，制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片，CdS纳米片对角线尺寸为5～50nm、厚度为0.59～10nm本发明操作简单，成本低，重复性好，所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。
暴露高能 001 晶面六方相 cds 纳米制备方法

[发明专利]一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法-CN201910298770.1在审
发明人：武斌;姚文乾;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法，利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光，而后放入高温管式炉进行生长六方氮化硼，即可得到晶片级六方氮化硼薄膜。在不同的晶面上氮化硼会形成三角、六方等多种晶型，在同一晶面上六方氮化硼会实现单晶晶型的无缝拼接，最终形成均匀连续晶片级六方氮化硼薄膜，六方氮化硼作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值，本发明为六方氮化硼材料的产业化应用提供了进一步可能。
一种制备晶片均匀氮化薄膜方法

[发明专利](0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法-CN201710268906.5有效
发明人：林文魁;曾春红;张宝顺;孙玉华;张璇 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种(0001)面外延的六方相SiC晶圆、UMOSFET器件及其制作方法。所述晶圆的外延层表面形成有至少一个多边形沟槽，并且构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相SiC晶体的晶面或所述晶圆的加工方法包括：于(0001)面外延的六方相SiC晶圆的外延层表面加工形成至少一多边形沟槽，并使其垂直于(0001)面碳化硅外延片表面；对构成多边形沟槽槽壁的多个面中的至少一个面进行晶面校正并使该至少一个面与外延层表面的交线中有至少一条线与六方相DDA0001275931410000016.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />晶面及其等效晶面的迁移率特性
0001 外延六方相 sic 晶圆 umosfet 器件及其制作方法

[发明专利]一种利用蒸发溶剂引导晶面控制合成高比表面积六方氮化硼的工艺-CN201510616527.1有效
发明人：吴沛文;朱文帅;李华明;巢艳红;戴碧联;张铭;蒋伟;李昌烽 -专利权人：江苏大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明公开一种利用蒸发溶剂引导晶面控制合成高比表面积六方氮化硼的工艺，它包括如下步骤：(1)将尿素和硼酸溶于混合溶剂中，加热搅拌去除溶剂，结晶得到白色固体为高指数晶面的反应原料；其中，所述的混合溶剂为甲醚、乙醚、丙醚、丙醇、异丙醇、乙酸乙酯和丙酮中的任意一种或多种与水的混合溶液；所述的高指数晶面为(hkl)面，其中h＝2，3，4，5，6，7或8，k和l的值为0～8中任意自然数；(2)将步骤(1)得到的高指数晶面的反应原料转移到管式炉中，在保护气下进行煅烧，得到的产物即为高比表面积六方氮化硼。
一种利用蒸发溶剂引导控制合成表面积氮化工艺

[发明专利]一种六方晶型籽晶的制备方法-CN202110363902.1有效
发明人：王宇;杨田;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本说明书提供一种六方晶型籽晶的制备方法，该方法包括：对多个待扩径六方晶型籽晶分别进行第一切割，得到切割面为相同晶面族的多个正六边形六方晶型籽晶；将多个正六边形六方晶型籽晶进行拼接；对拼接的多个正六边形六方晶型籽晶进行第二切割，得到待生长六方晶型籽晶；在第一设定条件下，对待生长六方晶型籽晶进行缝隙生长，得到六方晶型籽晶中间体；以及在第二设定条件下，对六方晶型籽晶中间体进行外延生长，得到目标六方晶型籽晶，其中，目标六方晶型籽晶的直径大于待扩径六方晶型籽晶的直径
一种六方晶型籽晶制备方法

[发明专利]一种Te/Bi或Te/Bi₂Te₃核壳异质结结构纳米线及其制备方法-CN200810023481.2无效
发明人：章根强;汪伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2008-04-09 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：，聚乙烯吡咯烷酮为有机添加剂，以Te纳米线为原位模板的液相外延法合成出Te/Bi和Te/Bi₂Te₃核壳异质结结构纳米线；该纳米线是以<001>为生长方向、六方结构的单质Te单晶纳米线为内核材料，六方结构的单质Bi及六方结构的合金Bi₂Te₃以外延形式形成单晶包覆层材料；其外延关系为：Te(100)晶面平行于Bi(100)晶面或Bi₂Te₃(100)晶面，Te<001>方向轴平行于Bi<001>方向轴或Bi₂Te₃<001>方向轴。
一种 te bi sub 核壳异质结结构纳米及其制备方法

[实用新型]用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底-CN202122429581.9有效
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底，包括：底面，多个第一晶面、第二晶面、第三晶面、第四晶面、第五晶面以及第六晶面；各第一晶面与底面之间有第一夹角，多个第一晶面周向阵列排布；各第二晶面与底面之间有第二夹角，各第二晶面位于两个第一晶面之间；各第三晶面与底面之间有第三夹角，第三晶面的相邻两个侧边分别与第一晶面和第二晶面的侧边连接；各第四晶面与底面之间有第四夹角，第四晶面的相邻两个侧边与第二晶面和第三晶面的侧边连接；第五晶面与底面之间有第五夹角，各第五晶面的侧边与第三晶面的侧边连接；第六晶面与底面之间有第六夹角，第六晶面的侧边与第三晶面的侧边连接，多个第六晶面的顶端汇聚成一点。
用于蓝宝石衬底图形结构

[发明专利]刺盖花状六方晶相氧化锌/氧化钨异质多级结构气敏材料、合成方法及应用-CN202011627096.6有效
发明人：魏少红;杨峻;邱春生 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种六方晶相刺盖花状ZnO/WO3异质多级结构气敏材料的合成方法：1）将二水合钨酸钠水溶液的pH值调至1.0‑1.5，然后加入结构导向剂，混匀；2）将步骤该材料结构新颖，由(001)晶面暴露的六方晶相WO3与六方晶相ZnO棒状结构单元组成，异质多级结构及特殊暴露晶面有效改善了三氧化钨基体材料对NO
刺盖花状六方晶相氧化锌氧化钨多级结构材料合成方法应用

[发明专利]一种图形化衬底、制备方法和LED外延片-CN202210944659.7在审
发明人：罗凯;王子荣;康凯 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：其中，图形化衬底包括：衬底，衬底属于六方晶系晶体，六方晶系晶体包括(11_23)晶面；其中，衬底表面上形成有多个凸起微结构，凸起微结构包括多个侧面，凸起微结构的至少一个侧面为(11_23)晶面。由于外延材料在(11_23)晶面的生长速度较慢，通过本发明实施例提供的技术方案，能够降低外延材料在凸起微结构侧面的生长速度，同时避免外延材料在凸起微结构侧面形成较多晶体颗粒
一种图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]基板晶片以及Ⅲ族氮化物半导体元件的制造方法-CN201710180536.X有效
发明人：陈凯欣;黄信雄;李宛蓉;陈佩佳;戴永信 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：其中由一六方晶系单晶材料所构成的基板晶片，且上述六方晶系单晶材料包含一c轴晶面、一a轴晶面、及一m轴方向，包含：一上表面，包含上述c轴晶面构成的一c轴平面；一第一侧边，与上述上表面连接，且自垂直于上述c轴平面方向观之，上述第一侧边实质为一弧线；以及一第二侧边，与上述第一侧边连接，且自垂直于上述c轴平面方向观之，上述第二侧边实质为一直线；其中，上述a轴晶面与上述m轴方向平行；其中，上述第二侧边与上述m轴方向不平行
晶片以及氮化物半导体元件制造方法

[发明专利]一种ZnO负载的复合材料、其制备方法及其应用-CN202210508684.0在审
发明人：吴文龙;李洪良;陈悦;曾杰 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种ZnO负载的复合材料，由六方纤锌矿的002晶面ZnO纳米片和负载在所述002晶面ZnO纳米片表面的Cu单原子组成。本申请还提供了ZnO负载的复合材料的制备方法及其应用。本申请提供的ZnO负载的复合材料由于002晶面ZnO纳米片以及Cu单原子的协同作用，使得其用于CO2加氢制备甲醇具有催化活性好、选择性高和稳定性强的优点。
一种 zno 负载复合材料制备方法及其应用

[发明专利]一种利用excel标定透射电镜选区电子衍射花样的方法-CN202011111301.3有效
发明人：唐丽英;李季;李江;宁娜;周荣灿;刘雪峰;何晓东;侯淑芳;王博涵 -专利权人：华能国际电力股份有限公司;西安热工研究院有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用excel标定透射电镜选区电子衍射花样的方法，该方法利用excel软件方便的公式计算功能，方便地建立立方、六方、正方、四方、正交、单斜以及三斜晶系的晶格常数a、b、c、α、β、γ，晶面指数Sub>、l1、h2、k2、l2，晶面间距d1、d2，晶面夹角Φ和晶带轴uvw等的晶体结构关系表，结合透射电镜、能谱仪等的分析结果，可快速、直观地对透射电镜选区电子衍射花样进行标定
一种利用 excel 标定透射选区电子衍射花样方法

[发明专利]一种对称型低温相偏硼酸钡（β-BBO）晶体、制备方法及应用-CN202310186372.7在审
发明人：黄溢声;林州斌;张莉珍;苑菲菲;刘乐辉 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种对称型低温相偏硼酸钡(β‑BBO)晶体、制备方法及应用，所述对称型β‑BBO晶体为三方对称型；所述对称型β‑BBO晶体包括三个三方锥面S和三个六方柱面P。本申请制备的对称型β‑BBO晶体为三方对称型且等径处晶面完整的β‑BBO晶体，易量产制备得到大尺寸高质量的β‑BBO晶体。
一种对称低温硼酸 bbo 晶体制备方法应用

[发明专利]超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法-CN201910307078.0在审
发明人：李国强;粱敬晗;高芳亮;余粤锋;徐珍珠;林静 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种超多晶面六角锥图形化GaAs衬底上纳米柱及制备方法，所述超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的每个六角锥图形表面具有6~10个高指数晶面，所述纳米柱的直径为10‑50nm，其制备方法包括如下步骤：（1）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的制备；（2）超多晶面六角锥图形化GaAs衬底的清洗；（3）分子束外延方法生长GaAs纳米柱。制备超多晶面图形化GaAs衬底采用的湿法蚀刻设备简单，操作方便；生长纳米柱的MBE工艺简单、过程安全、无污染。
纳米柱图形化衬底多晶角锥制备分子束外延太阳电池器件无金属催化剂高性能纳米衬底表面高度有序过程安全湿法蚀刻图形表面柱结构生长晶面掩膜清洗

[发明专利]油井管用钢及其制造方法-CN201380032353.3有效
发明人：大村朋彦;荒井勇次;河野佳织;坂本明洋;冈村一男;山本宪司;近藤桂一;永桥浩二;妹尾昌尚 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：一种油井管用钢，其化学组成含有C、Si、Mn、Al、Mo、P、S、O、N以及余量的Fe和杂质，与α相的(211)晶面相当的晶面的半值宽度HW与化学组成中以质量％表示的碳含量满足HW×C1/2≤0.38，化学组成中的以质量％表示的碳含量与钼含量满足C×Mo≥0.6，当量圆直径为1nm以上且具有六方结构的M2C碳化物的个数为每平方微米5个以上，屈服强度为758MPa以上。
油井管用及其制造方法

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