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[发明专利]一种提高硅锭少子寿命的方法-CN201910609821.8在审
发明人：朱常任;魏国;史宝灿;冯忠卫 -专利权人：江苏拓正茂源新能源有限公司
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硅锭少子寿命的方法，该方法利用多晶半熔工艺铸锭，在装炉时向多晶炉内加入机油或废旧机油中的一种或两种。采用本发明实现了提高硅锭少子的寿命，在熔化和长晶阶段，添加的机油或废旧机油在多晶炉内挥发，对熔化的杂质气体，有吸杂作用，从而对长晶时的缺陷和金属杂质进行聚集吸杂，最终提升硅锭的少子寿命，以得到目标的高寿命硅锭本发明使用的机油和废旧机油，在能达到高寿命硅锭的基础上，能降低生产成本，且该操作易于控制，适于在多晶铸锭领域推广使用。
硅锭废旧机油少子寿命机油熔化多晶炉高寿命多晶铸锭金属杂质吸杂作用杂质气体多晶挥发少子吸杂铸锭装炉

[发明专利]一种直拉单晶硅棒取晶装置及其取晶工艺-CN202010327546.3在审
发明人：郭志荣;张文霞;高润飞;王林;张石晶;郭谦;霍志强 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明提供一种直拉单晶硅棒取晶装置，包括第一转轴、第二转轴、绕设于所述第一转轴设置的缆绳、用于驱动所述第一转轴旋转的第一驱动件和用于驱动所述第二转轴的第二驱动件，所述缆绳一端与所述第一转轴连接，另一端通过籽晶与单晶硅棒连接；所述第一驱动件带动所述第一转轴使所述单晶硅棒沿所述单晶硅棒轴线方向上下移动；所述第二驱动件带动所述第二转轴使所述单晶硅棒沿所述单晶硅棒轴线旋转移动。本发明还提出一种直拉单晶硅棒取晶工艺。本发明提出的取晶装置，结构设计简单且易于操作，能安全地使单晶硅棒取出并放置在取晶筒中，提高了取晶装置的使用寿命，适合各种直径的单晶硅棒的取晶操作，适普性广，取晶效果好，工作效率高。
一种单晶硅棒取晶装置及其工艺

[发明专利]使用低等硅原料制成半导体晶锭的方法和系统-CN200880109607.6有效
发明人： F·基尔希特;M·豪雅;V·阿布罗斯莫娃;D·林克;J·P·拉克特里拉;K·安拉杰拉 -专利权人：卡利太阳能有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C30B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了硅晶锭生成技术使用低级硅原料在一坩埚设备内由低级硅原料形成熔融硅并对坩埚设备内的熔融硅进行定向凝固。所述定向凝固形成一定量的固化硅和一定量的熔融硅。本发明的方法和系统包括将坩埚设备内的所述一定量的熔融硅的至少一部分去除，同时保留所述一定量的固化硅。对所述一定量的固化硅的定向凝固进行控制，同时去除受污染的熔融硅，能够形成一具有比低等硅原料更高级的硅的硅晶锭。
使用低等原料制成半导体方法系统

[发明专利]切片方法-CN201480070306.2有效
发明人：北川幸司 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-12-01 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种切片方法，其使用线锯，一边对于卷绕在多个线导件上的线供给冷却液，一边使所述线移动，且使硅晶锭压抵于该线并切断该硅晶锭，从而得到多片切片晶圆，其中，将供给到所述线的冷却液中的铜浓度设为80ppm由此，能够提供一种切片方法，其使用线锯，并能稳定地得到铜污染降低的高纯度的硅晶圆。
切片方法

[发明专利]多晶硅铸锭工艺-CN201310031945.5有效
发明人：唐自成;刘华;王悦;王玉卓;任建华 -专利权人：天津英利新能源有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭工艺，包括步骤：1）对单质硅进行加热，直至单质硅融化；2）冷却熔融的单质硅，并使其凝固，进行长晶，形成硅锭；3）对硅锭进行多次退火处理，且退火温度逐次降低。如此对硅锭进行多次退火处理，可以相应的降低相邻的两次退火温度之间所形成的热应力，多次消除硅锭中的热应力，与现有技术中只进行一次退火处理相比，可有效地降低硅锭中的热应力。
多晶铸锭工艺

[发明专利]铸锭炉及硅锭的制备方法-CN201410668029.7有效
发明人：王全志;孟庆超;苏春阳;甄良欣;张莉沫;夏新中;潘明翠;乔松;窦伟军 -专利权人：英利集团有限公司;英利能源（中国）有限公司;保定天威英利新能源有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种铸锭炉及硅锭的制备方法。在该铸锭炉的百叶开启时百叶的散热面积得以增加，百叶的散热速率也随之增加，并提高了硅锭生长后期的长晶驱动力。当铸锭炉采用籽晶工艺时，由于在熔化阶段铸锭炉底部的散热速率增大，铸锭炉底部的温度降低，从而使得籽晶容易保留，进而提升了所制备硅锭的品质。同时，由于硅锭生长后期的长晶驱动力得以提高，从而提高了长晶后期长晶速率，并增加了硅液的流动性，进而加强杂质的分凝，进一步提高了出材率。
铸锭制备方法

[发明专利]通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法-CN201710731691.6在审
发明人：王飞;顾燕滨;刘洁 -专利权人：宁夏银和新能源科技有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种通过吸杂来提升硅锭顶部少子寿命的方法，利用多晶半熔工艺铸锭，氩气作为整个铸锭过程的保护气体，在铸锭长晶生长末期，即剩余硅液高度为5～10mm时，向剩余硅液体中加入吸杂晶体，使吸杂晶体完全融化，且与硅液混合均匀，再进行铸锭再次生长，利用高浓度磷掺杂扩散的吸杂原理提升顶部硅锭少子寿命0.5～1.0us，具体是由于费米能级的影响而在重磷扩散的区域引起固浓度的提高，同时此区域重磷掺杂形成极其严重的位错，对其顶部的金属杂质在位错晶界处进行聚集吸杂，同时快速生长完成，并进行低温退火，降低退火过程中的固相反扩散，最终提升硅锭的少子寿命，以得到目标的高寿命硅锭。
通过吸杂来提升顶部少子寿命方法

[发明专利]一种晶棒粘接方法-CN201210205974.4无效
发明人：蒋伟钢 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： B28D7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶棒粘接方法，在晶棒粘接在晶托上时，在入刀切割处晶棒超出玻璃板之外。本发明可以减少切割硅片尾部时由于硅棒粘接在玻璃板内受到砂浆冲击时冲击硅棒后，砂浆回冲玻璃板产生再次冲击硅棒尾部的巨大冲击力，进而大大改善切割中硅棒粘胶面崩边缺角的不良现象，进而达到提高切片良率和提高出片率的效果
一种晶棒粘接方法

[发明专利]一种新型铸锭坩埚及其制备方法-CN201410271294.1在审
发明人：权祥;王元庆;颜续;周琳;吕阳;邓敏;焦富强 -专利权人：徐州工业职业技术学院
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明所述新型铸锭坩埚是在现有铸锭坩埚内壁表面喷涂常规氮化硅涂层的基础上，再进行二氧化硅浆料等诱导形核物的二次喷涂制得的提高铸锭收益率的高效铸锭坩埚，其底部的诱导形核物的喷涂还可以采用四边形、六边形等几何图形，该图形也可以带有凹凸结构，利于硅锭底部杂质的聚集与后续加工清除所述高效铸锭坩埚在长晶过程中利用二氧化硅粉等对晶体硅诱导形核，可减少长晶初期硅晶体的位错、晶界等缺陷，提升长晶品质及硅晶体整体品质，从而进一步提升硅锭的收益率，提高整体的经济效益。
一种新型铸锭坩埚及其制备方法

[发明专利]一种高效多晶硅铸锭半融方法-CN201610518992.6有效
发明人：李鹏廷;王峰;姜大川;姚玉杰 -专利权人：大工（青岛）新能源材料技术研究院有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效多晶硅铸锭半融方法。本方法在铸锭过程中，通过对熔化阶段中籽晶纯度、籽晶高度、平整度的有效控制，且对长晶前硅液温度的控制，使得长晶成核阶段由于过冷度一致成核均匀且晶向一致，从而使得所生长的柱状晶体更为均匀，有效提高其硅锭品质通过该方法得到的硅锭，在现有成熟电池工艺条件下，可得到的平均电池效率为18.4％。
一种高效多晶铸锭方法

[发明专利]一种晶种辅助合成低硅铝比ZSM-48的方法-CN201910847856.5在审
发明人：梁长海;孟记朋;李闯;陈霄;宋承业 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明一种晶种辅助合成低硅铝比ZSM‑48的方法，分别将同质晶种或异质晶种，与硅源、铝源、碱源、有机模板剂和水混合均匀形成凝胶，水热晶化后获得硅铝比范围为40‑100的低硅铝比ZSM‑48分子筛，晶粒形状为长度2‑5μm、直径0.5‑2.0μm的棒状，而棒状中心穿插聚集大量短棒。通过控制晶种添加方式及顺序可将其用量降低至万分之一，实现了超低晶种用量合成低硅铝比ZSM‑48的目的。
晶种低硅棒状分子筛合成水混合均匀有机模板剂晶粒形状水热晶化硅铝比短棒硅源碱源铝源凝胶同质异质种晶穿插

[发明专利]热屏蔽装置、包括其的晶锭生长装置和使用其的晶锭生长方法-CN201480048043.5在审
发明人：成瑨奎;崔日洙;金度延 -专利权人： LG矽得荣株式会社
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及一种使用晶种由坩埚中容纳的硅熔体生长晶锭的装置，该装置包括：腔室，用于提供进行使晶锭生长的一系列过程的空间；设置在腔室内的坩埚；设置在坩埚的外侧的加热部件；固定晶种的晶种夹头；与晶种夹头连接的升降装置；以及设置在坩埚的上方的上部热屏蔽，上部热屏蔽具有长成的晶锭能够通过的孔，并且能够控制晶锭能够通过的孔尺寸。
屏蔽装置包括生长使用方法

[发明专利]一种生长硅锭/晶棒用坩埚及其制备方法-CN201811509794.9在审
发明人：陈养俊;张涛;樊同帅;黄晶晶;杨俊;廖才超;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种生长硅锭/晶棒用坩埚及其制备方法。本发明提供的坩埚包括坩埚本体和复合于所述坩埚本体外表面的涂层；所述涂层为氮化硅涂层或氢氧化钡涂层。本发明在坩埚本体外表面复合氮化硅涂层或氢氧化钡涂层，通过这层涂层经物理或化学反应来隔绝坩埚与护板/埚托，从而降低硅锭/晶棒的碳含量，避免了因碳含量超标造成的大量反切，还避免了高碳含量形成的硬质点，使切片环节更加顺畅
坩埚坩埚本体晶棒氢氧化钡涂层氮化硅涂层生长硅锭切片制备反切复合化学反应硬质点高碳硅锭护板良率线痕埚托超标环节

[发明专利]一种偏晶向籽晶的加工方法-CN201210369339.X有效
发明人：孙新利 -专利权人：孙新利
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种偏晶向单晶硅籽晶的加工方法，通过选取特定要求的晶锭，并根据生长绫线确认主参考面方向；利用滚圆机进行一次滚圆加工；利用X-ray晶向衍射仪精确定位主参考面位置并找出晶向偏离的OF面；利用内圆切设备进行晶锭一端面晶向偏离调整切割，达到指定晶向偏离要求，并对另一端面进行平行切割；以晶向偏离后的端面为准进行二次滚圆加工；利用铣床及籽晶套取装置对加工后的晶锭进行籽晶垂直套取；对套取后的籽晶进行夹具表面加工、化学抛光、清洗后可得到偏晶向籽晶利用本发明加工得到的偏晶向籽晶生产偏晶向硅片可以有效提高加工良率、有效提高棒单位重量出片率、有效提高硅片倒角加工效率。
一种籽晶加工方法

[实用新型]一种晶硅棒切割机用供料装置-CN201821619752.6有效
发明人：朱文志;李海威;黄田玉;林孝狮;梁兴华;陈绍森;林光展 -专利权人：福州天瑞线锯科技有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅棒切割机用供料装置，包括升降机构、回旋机构、夹持翻转机构及输送机构；所述输送机构设置于晶硅棒切割机的入料通道的侧边处，用于输送晶硅棒；所述升降机构设置于输送机构和晶硅棒切割机的入料通道之间，用于调节夹持翻转机构的所处高度；所述夹持翻转机构通过回旋机构与升降机构连接，用于夹持及翻转晶硅棒；所述回旋机构用于驱动夹持翻转机构旋转。
夹持翻转机构晶硅棒回旋机构升降机构输送机构切割机本实用新型硅棒切割机供料装置入料通道种晶自动翻转侧边处翻转夹持驱动