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[发明专利]半熔多晶铸锭尾料处理方法-CN201710568699.5在审
发明人：曾先平;陈志军;陈养俊;陈伟;金浩;李林东;肖贵云 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种半熔多晶铸锭尾料处理方法，包括截取半熔多晶铸锭尾料中包含未熔层的多晶铸锭块；去除所述多晶铸锭块表面的杂质；将去除表面杂质的所述多晶铸锭块进行烘烤加热；趁热用高压水枪对着加热后的所述多晶铸锭块喷射，以使所述多晶铸锭块破碎，得到多晶铸锭颗粒；将所述多晶铸锭颗粒浸泡在酸液中，以去除所述多晶铸锭颗粒上的杂质；将所述多晶铸锭颗粒进行冲洗、超声清洗后烘干。
多晶铸锭处理方法

[实用新型]一种高效多晶硅铸锭切方装置-CN201320882484.8有效
发明人：周建华 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效多晶硅铸锭切方装置，包括上部平放有两个待切割多晶硅铸锭的晶托，所述晶托呈水平向布设；两个所述待切割多晶硅铸锭的结构和尺寸均相同，两个所述待切割多晶硅铸锭分别为下多晶硅铸锭和位于下多晶硅铸锭正上方的上多晶硅铸锭；所述晶托与下多晶硅铸锭之间以及所述下多晶硅铸锭与上多晶硅铸锭之间均垫装有一层缓冲层；两个所述待切割多晶硅铸锭的四周外侧均设置有对多晶硅铸锭切割用砂浆进行聚拢的围板，所述围板布设在晶托上。本实用新型结构简单、设计合理且使用操作简便、使用效果好，能有效提高多晶硅铸锭的切方效率。
一种高效多晶铸锭装置

[发明专利]一种基于水封的检测多晶铸锭炉设备气密性的方法-CN202210279434.4在审
发明人：张力峰;邹文龙;朱庆龙;杨定勇 -专利权人：扬州晶樱光电科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01M3/12 文献下载
摘要：本发明涉及多晶铸锭炉技术领域，公开了一种基于水封的检测多晶铸锭炉设备气密性的方法，S1：将多晶铸锭炉加热部件打开，将多晶铸锭炉内壁、外壁和水路中水分蒸发；S2：再将多晶铸锭炉内原料和杂质清空，并将多晶铸锭炉内阀门关闭本发明通过检测方法，通过对水路检测，多晶铸锭炉气密检查，可对多晶铸锭炉的裂缝进行初步位置判断，通过塑料套袋对应多晶铸锭炉嵌套，当氦气通过多晶铸锭炉的裂缝进入塑料套袋内时，吸附于多晶铸锭炉外壁的塑料套袋出现起伏状态，判断裂缝位置，有效地指明多晶铸锭炉的裂缝方位，大大提高了维修的效率，便于查出水路裂缝，避免水利漏检，避免工人反复寻找裂缝的时间。
一种基于水封检测多晶铸锭设备气密性方法

[实用新型]用于多晶铸锭炉的内液面观测装置-CN202122812111.0有效
发明人：施宇红 -专利权人：光宝（上海）实业发展有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于多晶铸锭炉的内液面观测装置，包含：观察模块、探测模块与助燃模块；观察模块设置在外部的多晶铸锭炉的顶部，观察模块与多晶铸锭炉的内腔相连，用于观测多晶铸锭炉的内部的环境状况；探测模块设置在多晶铸锭炉的顶部，探测模块与多晶铸锭炉的内腔相连，用于探测多晶铸锭炉的内腔中的物料温度与物料结晶状态；助燃模块设置在多晶铸锭炉的顶部，助燃模块与多晶铸锭炉的内腔相连，用于向多晶铸锭炉的内腔中通入空气。本实用新型解决了现有技术中，多晶铸锭炉内液面观测设备观测角度不可调节、观测视野范围窄的缺陷，具有清洁方便、监测方便、观测精度高、观测视野范围广的特点。
用于多晶铸锭液面观测装置

[发明专利]一种多晶硅铸锭的制造方法及其多晶硅铸锭-CN201410811520.0在审
发明人：李飞龙;黎晓丰;翟传鑫;张光春 -专利权人：阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅铸锭的制造方法及其多晶硅铸锭，涉及半导体制造技术领域。所述多晶硅铸锭的制造方法，是控制多晶硅料和镓掺杂剂熔解顺序及结晶顺序，并利用铸锭炉顶部的二次加料装置在铸锭未完全结晶时向熔体中添加掺磷硅料，获得补偿电阻率的掺镓多晶硅铸锭；根据所述制造方法生产的多晶硅铸锭为掺镓多晶硅铸锭，通过二次加入掺磷硅料使得所述铸锭整体的电阻率分布均匀。本发明的制造方法获得的多晶硅铸锭，补偿掺镓铸锭顶部的电阻率，整体电阻率分布均匀，提高了铸锭成品率，降低了铸锭成本。
一种多晶铸锭制造方法及其

[发明专利]一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺-CN201610632643.7在审
发明人：肖贵云;陈伟;金浩 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，包括：在第一预设时间内，将长晶结束后的多晶硅铸锭温度降至退火温度；在所述退火温度下，将所述多晶硅铸锭保温，持续第二预设时间；将退火完成的所述多晶硅铸锭以1.5本申请提供的上述多晶硅铸锭快速退火冷却工艺，能够降低多晶硅铸锭的位错缺陷水平，有效提升多晶硅铸锭的品质，同时减少运行周期，提高多晶铸锭炉台生产效率。
一种多晶铸锭快速退火冷却工艺

[发明专利]硅粉在多晶硅铸锭制备中的应用-CN201910230570.2有效
发明人：李建军;史燕凯;吴增伟 -专利权人：无锡坤硅新能源科技有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了硅粉在多晶硅铸锭制备中的应用，该多晶硅铸锭的制备方法包括：一、将硅粉与硅回用料、硅颗粒、多晶硅块料、多晶硅棒料、硅籽晶装入到铸锭炉的石英坩埚中作为铸锭用硅料；步骤二、对铸锭炉抽真空后加热；三、将铸锭用硅料熔化；四、向铸锭炉中通入氩气并保压降温进行定向凝固长晶；五、向铸锭炉中持续通入氩气退火；六、向铸锭炉中持续通入氩气冷却得到多晶硅铸锭。本发明将硅粉作为多晶硅铸锭的制备硅料之一，采用独特的装料方式，有效增加了硅料及硅粉的装炉量，改善了硅料之间的传热效果，保证了硅粉的充分熔化，提高了多晶硅铸锭的成品率，进而提高了多晶硅铸锭的少子寿命；同时无需将硅粉预先压制成粉饼
多晶铸锭制备中的应用

[发明专利]一种多晶铸锭炉及用其生产类单晶硅锭的方法-CN201210058375.4有效
发明人：郭志丰;曹靖;徐春良 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种用多晶铸锭炉生产类单晶硅锭的方法，包括：向坩埚的内表面喷涂涂料，烧结涂料并冷却至室温；将单晶硅料和多晶硅料依次放入坩埚，将坩埚置于石墨支撑箱内；将石墨支撑箱置于已去除底部边缘碳条的多晶铸锭炉内；将多晶铸锭炉抽真空，开始加热并监测温度，当加热到设定的温度时向充入氩气；当多晶硅料开始熔化时，向多晶铸锭炉的顶端移动多晶铸锭炉内的隔热笼；当多晶硅料全部熔化时，降低加热温度并控制硅料匀速凝固长晶，生成类单晶铸锭上述方法利用现有的多晶铸锭炉实现了类单晶硅锭生产，降低了类单晶硅锭的铸造成本，促进了类单晶硅锭的大规模生产。本发明还提供了一种生产类单晶硅锭的多晶铸锭炉。
一种多晶铸锭生产单晶硅方法

[发明专利]一种增强排杂效果的多晶硅铸锭工艺-CN201510565626.1在审
发明人：谢道生;王文广;周光进 -专利权人：浙江晟辉科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强排杂效果的应用热交换生产多晶硅铸锭工艺技术，该方法是在热交换生产多晶硅铸锭的生产工艺上做了改进，主要是在多晶铸锭炉的隔热笼上的改进，以及在多晶铸锭生产过程中增加一个排杂过程。本发明的排杂过程的后期与长晶准备过程交叉重叠，并可缩短长晶时间，提高长晶效率，整个多晶铸锭生产过程所需时间仅比普通多晶铸锭生产过程增加2～3小时。
一种增强效果多晶铸锭工艺

[实用新型]多晶硅铸锭炉的气流控制装置-CN201020238031.8有效
发明人：赵波;徐芳华;王琤 -专利权人：绍兴县精功机电研究所有限公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶硅铸锭炉的气流控制装置，属于多晶硅铸锭炉技术领域。它解决了现有多晶硅铸锭炉内含碳的气体都会在腔体内不断回流、气流所载杂质也会不断侵入硅熔体而导致铸锭质量降低的问题。本多晶硅铸锭炉的气流控制装置，所述的多晶硅铸锭炉包括炉体和设置在炉体内的隔热笼，在隔热笼内设有加热器和坩埚，所述的隔热笼顶部设有导气管，导气管与隔热笼上下滑动连接，在炉体上设有升降结构，上述的导气管固接在升降结构上通过气流控制装置对多晶硅铸锭炉内的气流进行控制，使得多晶铸锭中的碳含量能够得到有效地降低，提高了铸锭质量。
多晶铸锭气流控制装置

[发明专利]一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法-CN201610298900.8在审
发明人：陈健;孙继飞;何秋湘;李京伟;班伯源 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锡冶金多晶硅铸锭的制备方法。该制备方法包括：选择合适的冶金多晶硅料，要求B<1ppmw,P<1ppmw,B/P重量比为1:0.5～1:3，金属<1ppmw，电阻率高于0.5Ω·cm,在冶金多晶硅料中掺入微量锡，锡的含量为1～200ppmw，然后在保护气氛下，生长掺锡的冶金多晶硅铸锭。本发明方法简单，制备的掺锡冶金多晶硅铸锭少子寿命比未掺锡的冶金多晶硅铸锭少子寿命显著提高，也比相同条件下用化学法原生多晶硅制备的常规P型和化学法原生多晶硅掺锡P型多晶硅铸锭工艺简化，成本降低。掺锡冶金多晶硅铸锭生产方法与常规铸锭工艺兼容，成本低，实用性强，适用于制造低成本，高质量的多晶硅太阳电池。
一种冶金多晶铸锭制备方法

[发明专利]多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片-CN201610310977.2在审
发明人：杨瑜民;杨承叡;周鸿昇;余文怀;许松林;徐文庆 -专利权人：中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片。多晶硅晶铸锭的实施例具有垂直方向，包含成核促进层，位于多晶硅晶铸锭的底部；以及多个硅晶粒，沿垂直方向成长，其中硅晶粒包含至少3种晶向，多晶硅晶铸锭在成核促进层上方的切片的晶粒面积变异系数是沿着垂直方向递增
多晶铸锭硅晶棒芯片

[实用新型]带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉-CN200820137741.4有效
发明人：宋勇;钟立德;黄秋毛 -专利权人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请日： 2008-10-09 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅铸锭炉上料用货叉，特别是一种带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉。带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉，包括：多晶硅铸锭炉上料用货叉、移动顶板、旋转螺杆，多晶硅铸锭炉上料用货叉上设有连接孔，旋转螺杆通过连接孔与移动顶板相连。本实用新型不但有效地解决了使用传统的多晶硅铸锭炉上料用货叉来上料会严重损坏坩埚石墨底托的问题，而且使用带有微调装置的多晶硅铸锭炉上料用货叉还可有效地降低生产成本，增加生产效率，在多晶硅铸锭炉装料时可节约三分之二的人力
带有微调装置多晶铸锭炉上料用货叉

[发明专利]多晶硅铸锭石英坩埚复合涂层及其制备方法与应用-CN201911342349.2在审
发明人：朱堂龙;吴永龙;余佳佳;王宇湖 -专利权人：苏州纳迪微电子有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：一种多晶硅铸锭石英坩埚复合涂层及其制备方法与应用，属于陶瓷材料技术领域。该多晶硅铸锭石英坩埚复合涂层包括同步烘干后烧结在坩埚表面的氧化硅层和氮化硅层，氧化硅层作为粘结层连接氮化硅层与多晶硅铸锭石英坩埚。本发明中氮化硅层致密度高，能够降低采用多晶硅铸锭石英坩埚制造的硅铸锭的氧含量，减少红区，提高硅铸锭的利用率。
多晶铸锭石英坩埚复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]坩埚及采用该坩埚的多晶硅铸锭方法-CN201910319355.X在审
发明人：冷金标;龙昭钦 -专利权人：晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种坩埚及采用该坩埚的多晶硅铸锭方法，该坩埚的边角处设有倒角，该多晶硅铸锭方法包括：喷涂、装料、加热熔化使硅料熔化；待硅料全部熔化后，将铸锭炉的炉内气压降低至临近真空；将铸锭炉的炉内温度降低至第二设定温度本发明中的坩埚及多晶硅铸锭方法，通过采用新的坩埚结构来进行多晶硅铸锭时，由于倒角的存在，可以减小液态硅与坩埚的接触面积，从而减小了硅氧化物或碳氧化物的产生。此外在进行多晶硅铸锭的过程当中，当硅料全部熔化为液态硅后，将铸锭炉的炉内气压降低至临近真空，提高热对流效果，从而将铸锭产生的硅氧化物充分排出，从而降低最终铸锭出的多晶硅锭中的氧含量。
多晶硅铸锭坩埚熔化铸锭炉硅料硅氧化物炉内气压液态硅倒角减小铸锭退火多晶硅锭加热熔化冷却处理碳氧化物温度降低坩埚结构装料边角处热对流炉内排出喷涂

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