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- [发明专利]一种用于晶圆片加工的滚磨机-CN202210029201.9有效
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陈守俊;何建军;沈桂英
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江苏益芯半导体有限公司
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2022-01-12
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2022-10-18
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B24B5/04
- 本发明公开了一种用于晶圆片加工的滚磨机,包括硅晶棒旋转机构、滑轨、滑动底座和具有滚磨片的滚磨片安装机构,滑动底座上安装有自动上下料机构,自动上下料机构包括平移组件、用于放置和定位待滚磨的硅晶棒的硅晶定位组件,以及用于驱动硅晶定位组件进行升降的升降组件,平移组件用于驱动升降组件带动硅晶定位组件向硅晶棒旋转机构所在的前侧进行靠近和远离。通过平移组件、升降组件、硅晶定位组件与安装有滑动底座的滑轨的进行配合,来实现向滚磨部分的硅晶棒旋转机构供应硅晶棒的上料功能,以及从硅晶棒旋转机构接收并转移滚磨完成后硅晶棒的下料功能,避免了由人工完成上料和下料存在的不便
- 一种用于晶圆片加工滚磨机
- [发明专利]一种硅棒拉制系统-CN202011255239.5在审
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齐成天;罗向玉;李鑫;刘艳芳
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银川隆基光伏科技有限公司
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2020-11-11
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2021-03-05
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C30B29/06
- 本发明公开一种硅棒拉制系统,涉及太阳能硅棒拉制技术领域,以提供一种在硅棒拉制过程中,自动统计各个工序信息的技术方案。硅棒拉制系统包括:控制平台,以及与控制平台通信的拉晶设备以及检测设备;控制平台用于根据拉晶设备的状态参数,在确定硅料数据库中存在拉晶设备的加料需求信息的情况下,控制拉晶设备对满足拉晶设备的加料需求信息的硅料进行拉晶工序,以获得单晶硅棒,将拉晶设备发送的单晶硅棒的拉制信息存储至单晶硅棒数据库;控制平台还用于根据拉晶设备发送的收尾状态信息或停炉状态信息,控制检测设备对拉晶设备拉制的单晶硅棒进行检测工序,并将检测设备发送的单晶硅棒的检测信息存储至单晶硅棒数据库
- 一种拉制系统
- [发明专利]通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品-CN98100416.4有效
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朴在槿;曹圭徹;李坤燮
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三星电子株式会社
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1998-02-13
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1999-02-03
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C30B15/20
- 一种硅锭按一拉晶速率分布下进行,其拉速要足够高以限制间隙凝聚,且还要足够低以便将空位凝聚限定在晶锭轴向上的富含空位区上。将晶锭切割成许多半纯晶片,每个晶片在中央具有富含空位区,包括空位凝聚,和在富含空位区与晶片边缘之间的纯度区,无空位凝聚和间隙凝聚。按照本发明的另一方面,晶锭可按一拉晶速率分布拉制硅锭,其拉速要足够高以便防止间隙凝聚,且还要足够低以便防止空位凝聚。因此,当将该晶锭切割成晶片时,晶片为纯硅晶片,可包含点缺陷,但无空位凝聚团的间隙凝聚团。
- 通过控制分布制造单晶硅晶片方法及其产品
- [实用新型]硅晶棒粘棒台-CN200820030959.X有效
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毛和璜;赵建兴
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常州有则科技有限公司
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2008-01-16
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2009-01-21
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B28D1/22
- 本实用新型涉及一种硅晶棒粘棒台,它是将硅晶棒粘接到切割机的晶棒托上,然后在切割机床上切割成硅晶片的工装夹具。硅晶棒粘棒台由台座和二组台钳组成,台座两端尾座上装有可绕自身轴线回转的尾盘是用于栓接晶棒托的,台钳钳臂上部二组楔形滑块形成【】形钳口是用来夹持硅晶棒的。调节楔形滑块的进出,可调节【】形钳口的中心;调节二组【】形钳口的中心,则可调节夹持在钳口中硅晶棒的轴线。若将硅晶棒与晶棒托调节到同心同轴后加热粘接,再上切割机床进行切割,可以避免硅晶棒在切割时因其轴线与切割机加工轴线偏斜而坯料报废的事故。
- 硅晶棒粘棒台
- [发明专利]一种硅锭开方用固定装置-CN201510721120.5在审
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朱孝吉;王禄宝
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镇江环太硅科技有限公司
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2015-10-30
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2016-01-13
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B28D7/04
- 本发明公开了一种硅锭开方用固定装置,包括晶托,所述晶托四周边缘处均匀设有多个挡板,所述挡板的高度HI大于或等于所述硅锭的高度H2,所述挡板外周包覆缠绕膜,以形成一个以晶托为底,缠绕膜为壁的储存切割液的空间,本发明通过晶托、挡板及缠绕膜形成一个简易的切割液浸泡槽,工作时,将四周喷砂嘴关闭,使所有切割液都由中间喷砂嘴集中喷淋到硅锭表面,再由浸泡槽储存切割液,将硅锭浸泡在内,使其表面上的切割液分布均匀,有利于提高切割速度,可明显改善切割液不足而导致的开方晶锭尺寸偏差问题,从而提高了硅锭开方后的精度,且结构简单,成本低的特点,操作方便。
- 一种开方固定装置
- [实用新型]一种硅锭开方用固定装置-CN201520853045.3有效
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朱孝吉;王禄宝
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镇江环太硅科技有限公司
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2015-10-30
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2016-04-13
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B28D7/04
- 本实用新型公开了一种硅锭开方用固定装置,包括晶托,所述晶托四周边缘处均匀设有多个挡板,所述挡板的高度HI大于或等于所述硅锭的高度H2,所述挡板外周包覆缠绕膜,以形成一个以晶托为底,缠绕膜为壁的储存切割液的空间,本实用新型通过晶托、挡板及缠绕膜形成一个简易的切割液浸泡槽,工作时,将四周喷砂嘴关闭,使所有切割液都由中间喷砂嘴集中喷淋到硅锭表面,再由浸泡槽储存切割液,将硅锭浸泡在内,使其表面上的切割液分布均匀,有利于提高切割速度,可明显改善切割液不足而导致的开方晶锭尺寸偏差问题,从而提高了硅锭开方后的精度,且结构简单,成本低的特点,操作方便。
- 一种开方固定装置
- [发明专利]110偏晶向硅片的制备工艺-CN202111560346.3在审
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宫龙飞;曹育红;符黎明
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常州时创能源股份有限公司
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2021-12-20
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2022-03-15
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B28D5/00
- 本发明公开了一种110偏晶向硅片的制备工艺,包括:单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒,单晶硅方棒切片制得硅片;具体的:选择晶向为100的单晶硅圆棒;单晶硅圆棒开方过程中,先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转45°,再将单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角,θ角大于0°小于45°;再将单晶硅圆棒开方,制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒;单晶硅方棒切片过程中,切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面,制得硅片,该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离110一定角度的偏晶向硅片,且降低了偏晶向硅片的工艺难度,提升了硅棒的利用率,还降低了偏晶向硅片的制造成本。
- 110硅片制备工艺
- [发明专利]100偏晶向硅片的制备方法-CN202111560348.2在审
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宫龙飞;曹育红;符黎明
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常州时创能源股份有限公司
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2021-12-20
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2022-03-18
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B28D5/00
- 本发明公开了一种100偏晶向硅片的制备方法,包括:单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒,单晶硅方棒切片制得硅片;具体的:选择晶向为100的单晶硅圆棒;单晶硅圆棒开方过程中,先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角,θ角大于0°小于45°;再将单晶硅圆棒开方,制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒;该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面;单晶硅方棒切片过程中,切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面,制得硅片,该硅片的晶向为本发明能制备晶向偏离100一定角度的偏晶向硅片,且降低了偏晶向硅片的工艺难度,提升了硅棒的利用率,还降低了偏晶向硅片的制造成本。
- 100硅片制备方法
- [发明专利]一种生长多晶硅锭的坩埚-CN200910115634.0有效
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胡动力;张涛;王人松
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江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
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2009-07-02
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2009-12-09
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C30B28/06
- 本发明涉及太阳能领域中的一种生长硅锭的坩埚,特别是一种生长多晶硅锭的坩埚。一种生长多晶硅锭的坩埚,其中:坩埚的底板2上设置有多个孔3;孔3的深度为1mm-25mm,孔3与坩埚的底板2平齐处的孔径为1mm-30mm,孔3与坩埚的底板2分布的密度为1-100个/平方分米。采用本发明提供的一种生长多晶硅锭的坩埚来生长多晶硅锭,可以显著提高多晶硅锭晶粒的定向性,使多晶硅锭在<110>和<112>晶向的晶粒占优,减少<111>晶面引起的多重平行的孪晶间界(parallel twins),减少晶界数量;同时提高∑3浅能级晶界的百分比,从而有效地增加硅片的少子寿命,采用此硅片制成的太阳能电池片的转换效率得到提高。
- 一种生长多晶坩埚
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