专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]处理工具以及压电装置形成方法-CN202110698170.1在审
  • 陈志明;许乔竣;喻中一 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-06-23 - 2022-08-23 - H01L41/33
  • 在一些实施例中,本公开涉及一种处理工具,其包括晶片卡盘,所述晶片卡盘设置在加热板腔室内且具有被配置成固持半导体晶片的上表面。加热元件设置在所述晶片卡盘内,且被配置成提高所述晶片卡盘的温度。马达耦合到所述晶片卡盘,且被配置成使所述晶片卡盘围绕延伸穿过所述晶片卡盘的所述上表面的旋转轴线旋转。所述处理工具还包括控制电路系统,所述控制电路系统耦合到所述马达,且被配置成在所述晶片卡盘的所述温度被提高的同时操作所述马达来使所述晶片卡盘旋转,以在所述半导体晶片上由溶胶‑凝胶溶液层形成压电层。
  • 处理工具以及压电装置形成方法
  • [发明专利]用于卡盘热校准的方法和仪器-CN200610164119.8有效
  • K·W·加夫;N·M·P·本杰明 - 兰姆研究有限公司
  • 2006-08-04 - 2007-05-02 - H01L21/00
  • 移去晶片所暴露的热源后,测量作为时间函数的晶片温度。在晶片温度测量期间,在晶片卡盘之间的界面处提供基本恒压的气体,晶片支撑于所述卡盘之上。与施加的气压相应的卡盘热特性参数值由作为时间函数的测得晶片温度确定。对于多个施加的气压测量晶片温度以形成一组作为气压函数的卡盘热特性参数值。卡盘的热校准曲线由该组测得卡盘热特性参数值和相应的气压生成。在制造工艺期间,卡盘的热校准曲线可以用来调整气压以得到具体的晶片温度。
  • 用于卡盘校准方法仪器
  • [发明专利]一种静电卡盘和半导体处理装置-CN201610804584.7有效
  • 周娜 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2016-09-07 - 2020-02-14 - H01L21/683
  • 本发明提供一种静电卡盘和半导体处理装置。该静电卡盘包括静电卡盘基体和设置在静电卡盘基体内部的顶针组件,顶针组件能升起和下降,以将置于静电卡盘基体上的晶片顶起和降下,顶针组件包括设置在静电卡盘基体的边缘区域和中心区域呈大小不等的正三角形分布的顶针,且正三角形的中心与静电卡盘基体的中心对应重合。该静电卡盘能够在晶片相对静电卡盘基体未产生位置偏移以及由于粘片晶片相对静电卡盘基体在一定范围内产生重心偏移时,有效分散对晶片的施力,使晶片的重力仍等于对晶片形成有效支撑的顶针组件的合力,从而使晶片能够被平稳顶起,避免晶片发生倾斜,进而确保机械手能够顺利地将晶片从静电卡盘上取下,确保后续工艺的顺利进行。
  • 一种静电卡盘半导体处理装置
  • [发明专利]晶片释放-CN201510247246.3有效
  • M.布赫尔;C.迈尔;M.马勒;P.施魏策;T.施泰纳 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2015-05-15 - 2018-05-22 - H01L21/687
  • 本发明涉及晶片释放。本发明的实施例提供了一种用于操作包括第一和第二主表面的晶片卡盘系统。所述卡盘系统包括:被配置为在面向所述卡盘的所述第二主表面处夹持所述晶片卡盘和释放装置。所述卡盘系统还包括:被配置为将所述释放装置从所述卡盘抬离的致动器。所述释放装置被配置为使得所述释放装置当被抬升时在所述晶片的所述第二主表面的边缘部分处与所述晶片机械地啮合,由此从所述卡盘释放所述晶片
  • 晶片释放
  • [发明专利]用于直接键合晶片晶片键合设备和晶片键合系统-CN201910549829.X在审
  • 金兑泳;金俊亨;金会哲;罗勋奏;文光辰 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-24 - 2020-02-21 - H01L21/603
  • 提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括:下卡盘,所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片;上卡盘,所述上卡盘用于固定上晶片;键合引发器,所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压,直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分,由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程;以及键合控制器,所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度,使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前,所述上晶片的弹性形变被释放。
  • 用于直接晶片设备系统
  • [发明专利]促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘-CN200510130651.3有效
  • 孙亚林 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2005-12-16 - 2006-10-11 - H01L21/683
  • 本发明促进晶片刻蚀均匀的静电卡盘包括静电卡盘和配合在静电卡盘外圆周的聚焦环,聚焦环上设有与其一体的凸环。其中静电卡盘的上表面的直径大于待刻蚀的晶片的直径;凸环的下表面与静电卡盘的上表面相配合。本发明的优点和积极效果在于:所以待刻蚀的晶片的整体与于静电卡盘接触充分、均匀。静电卡盘可以通过自身的热量及氦气背吹的方式对晶片边缘进行有效的温度控制,提高了晶片边缘的温度的可控性。从而静电卡盘对待刻蚀的晶片的温度等各项功能的控制也非常均匀。同时静电卡盘和待刻蚀的晶片之间的阻抗更加稳定,晶片上通过射频RF形成的直流偏置(DC bias)更加均匀,产生更均匀的等离子体。
  • 促进晶片刻蚀均匀静电卡盘

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