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[发明专利]半导体超薄堆叠结构的制造方法-CN202110544381.X在审
发明人：邱志威 -专利权人：邱志威
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，包含以离子注入形成停止层结构于半导体基板内，再于半导体基板的主动面设置电气元件及内连层，以形成半导体晶圆；将两半导体晶圆的内连层相对且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半导体晶圆的背面去除上方半导体晶圆的部分半导体基板及停止层结构，使上方半导体晶圆形成薄化半导体晶圆，之后逐一在薄化半导体晶圆进行另一半导体晶圆的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆叠另一薄化半导体晶圆，最后对最下方半导体晶圆进行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆叠多层薄化半导体晶圆，满足高积集度要求。
半导体超薄堆叠结构制造方法

[发明专利]晶圆薄化方法-CN202110251617.0在审
发明人：董悦明;杨家铭;潘冠霖;陈俊玮;吕建德 -专利权人：华泰电子股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提供的晶圆薄化方法包含：提供一晶圆，所述晶圆具有一正面以及与所述正面相对的一背面；采用一研磨砂轮磨削所述晶圆的所述背面以薄化所述晶圆至一预定厚度；采用一切割刀对所述晶圆进行切割；采用化学药水或电浆制程对所述晶圆的所述背面进行咬蚀以薄化所述晶圆；以及将所述晶圆分离成多个晶粒。
晶圆薄化方法

[实用新型]薄型化晶圆保护环-CN201721058627.8有效
发明人：王义正;苏晓平 -专利权人：奇勗科技股份有限公司;王义正;苏晓平
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种薄型化晶圆保护环，包括一固定环，该固定环具有一中空、一围绕该中空的内环面、以及一远离该内环面的外环面，该固定环配置在一薄型化晶圆的外边缘而供该薄型化晶圆容置在该中空并抵靠该内环面以防止该薄型化晶圆翘曲，其中，该固定环具有一大于或一等于该薄型化晶圆的厚度。
薄型化晶圆保护环

[发明专利]单晶粒减薄背面金属化方法-CN202010158508.X有效
发明人：黄平;鲍利华;顾海颖 -专利权人：上海朕芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了单晶粒减薄背面金属化方法，包括如下步骤：步骤一：把单晶粒用双面胶带粘在衬底晶圆上，晶粒的正面朝上；步骤二：做晶圆级塑封，将所有的晶粒包封在环氧树脂里面，这样制作出树脂晶圆；步骤三：树脂晶圆再用双面胶带粘在衬底晶圆上；步骤四：树脂晶圆背面减薄；步骤五：树脂晶圆背面腐蚀；步骤六：树脂晶圆背面金属化；步骤七：将树脂同晶粒分开，以此来实现单晶粒的减薄和背面金属化。本发明将单晶粒整合成晶圆状；这样才好利用现有的设备进行加工，且减薄和金属化效率高。
晶粒背面金属化方法

[发明专利]一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法-CN202010098702.3在审
发明人：苏晋苗;苏冠暐 -专利权人：北京芯之路企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，尤其是一种晶圆背面金属化结构、薄化装置及金属化制程方法，包括薄化后的集成电路晶圆，所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板的上表面位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层，本发明提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用
一种背面金属化结构化装方法

[发明专利]一种重复使用的透明硬质载具与待减薄晶圆片之贴合及剥离工艺-CN202110120033.X在审
发明人：蔡德昌;陈奕璁 -专利权人：蔡德昌;陈奕璁;苏州威合奕德利半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种重复使用的透明硬质载具与待减薄晶圆片之贴合及剥离工艺，包括以下步骤：S1、透明硬质载具与待薄化晶圆片正面以光固化树脂胶水贴合；S2、晶圆片背面进行薄化研磨加工；S3、透明硬质载具与已薄化之晶圆片剥离；S4、已薄化之晶圆片正面光固化树脂防护层去除；S5、使用后的透明硬质载具进行回收与清洗；S6、清洗后的透明硬质载具以光固化树脂胶水均匀的涂覆在载具与晶圆片之贴合面后再次重复使用。本发明在全自动无人化且在1‑1000级无尘室车间采用透明硬质载体贴合来提高晶圆片减薄研磨时候的稳定性，使晶圆片不易在研磨时候破裂，且在减薄研磨后可达到剥离时亦不发生晶圆片破裂，使用后的载具进行回收与清洗后再次重复使用
一种重复使用透明硬质待减薄晶圆片贴合剥离工艺

[发明专利]一种MEMS器件的制作方法-CN201611140082.5有效
发明人：施林波;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS器件的制作方法，所述方法包括:提供MEMS晶圆，所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的过滤层；在所述MEMS晶圆中形成开口，所述开口贯穿所述MEMS晶圆的背面；在所述图案化的过滤层上形成胶带；自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度；剥离所述胶带。根据本发明提供的MEMS器件的制作方法，首先在MEMS晶圆中形成贯穿所述MEMS晶圆的背面的开口，然后采用胶带对所述MEMS晶圆正面进行保持，自所述MEMS晶圆的背面减薄所述MEMS晶圆，使所述MEMS晶圆减薄到目标厚度，从而避免了需要临时键合的工艺，从而实现低成本、高良率制作超薄MEMS器件。
晶圆胶带背面减薄开口过滤层图案化制作减薄晶圆正面临时键合低成本贯穿良率背面剥离

[实用新型]晶圆加工减薄机-CN201320080557.1有效
发明人：陈孟端 -专利权人：正恩科技有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型为一种晶圆加工减薄机，其包含自动送料匣、多个晶圆固定元件与晶圆加工减薄装置，其中自动送料匣具有存放多个晶圆固定元件的多个容置槽，多个晶圆固定元件各具有对应放入多个容置槽的一铁环与固定于铁环下的一胶膜，胶膜上为供黏贴晶圆，而晶圆加工减薄装置紧邻自动送料匣设置，以承晶圆固定元件，并具有提供负压的一吸盘，该吸盘为供吸附胶膜未黏贴晶圆的一侧，以通过负压而吸附固定胶膜而间接固定晶圆，据此通过自动送料匣自动供给黏贴晶圆的晶圆固定元件，该晶圆加工减薄装置即可通过是否于该吸盘提供负压而自动快速固定及解除固定晶圆，因而晶圆的减薄加工可全自动化进料并加以固定进行加工，以满足全自动化加工的需求。
加工减薄机

[发明专利]晶圆薄化方法-CN200710168077.X有效
发明人：蔡裕斌;黄正一 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种晶圆薄化方法，包括：提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及一背面，在该主动面上设有若干个突起元件，将该晶圆放置在一模具内，并在该模具内形成一高分子材料，该高分子材料至少覆盖该晶圆的主动面，固化该高分子材料并移除模具，之后，研磨该晶圆的背面以薄化该晶圆，最后，移除该高分子材料以显露出该晶圆的主动面与设置于该主动面的这些突起元件。该晶圆薄化方法利用该模具使该高分子材料覆盖该晶圆的主动面并包覆这些突起元件，使得研磨该晶圆时所产生的应力平均分布于该晶圆，以防止该晶圆翘曲、破片、崩裂或突起元件剥离。
晶圆薄化方法

[发明专利]一种晶圆背面处理方法-CN200910241295.0无效
发明人：李熙;胡德明 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面处理方法，应用于半导体晶圆制造过程中，该方法包括：对晶圆进行背面减薄，得到减薄后的晶圆；根据所述减薄后的晶圆的背面表面质量，将所述晶圆放入设定配比的混酸溶液中浸泡，以获取满足背面金属化要求的表面质量；对经浸泡处理后的晶圆进行清洗后，对所述晶圆进行背面金属化处理，在所述晶圆的背面镀上所需的金属层。本发明的上述方法通过混酸浸泡，改善晶圆背面表面质量，使得背面金属化层不会发生翘曲、卷曲和剥落。
一种背面处理方法

[实用新型]一种晶圆背面的金属化结构-CN202020179384.9有效
发明人：苏晋苗;苏冠暐 -专利权人：北京芯之路企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，尤其是一种晶圆背面的金属化结构，包括薄化后的集成电路晶圆，所述的薄化后的集成电路晶圆为硅晶圆基板，硅晶圆基板上表面为形成有集成电路，硅晶圆基板的下表面为薄化后的晶圆背面，硅晶圆基板上位于集成电路的上方设置有保护胶层，晶圆背面向下依次设置有金属种子层、金属薄膜层和离子注入保护层，本实用新型提升产能及良率、提高自动化率使操作安全与优化质量、节省设备投资及维修费、减少原料耗材费用、金属层较佳的附着性等目标的解决方案，在产品良率与产能上均具有优势
一种背面金属化结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010341206.6有效
发明人：魏丹珠;闾新明 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面，所述晶圆的正面具有膜层结构；第一次减薄，研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第一厚度；图形化处理所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成图形化结构；以及，第二次减薄，整体研磨所述晶圆的背面，以使得所述晶圆减薄至第二厚度。本发明的技术方案使得在所述晶圆减薄到所需厚度的同时，还能避免导致所述晶圆的背面的图形化处理的工艺出现异常。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法-CN202010098696.1在审
发明人：苏晋苗;苏冠暐 -专利权人：北京芯之路企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，尤其是一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起，本发明的支撑结构可以实现较大直径与减薄的晶圆薄化制程需求。
一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构及其加工方法

[实用新型]一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构-CN202020179392.3有效
发明人：苏晋苗;苏冠暐 -专利权人：北京芯之路企业管理中心（有限合伙）
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子技术领域，尤其是一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构，包括集成电路制造布置上电路芯片或器件的晶圆，所述晶圆布置有电路芯片或器件的一侧面为正面，晶圆另一侧面为背面，所述晶圆的背面凸出有图形骨架结构，所述图形骨架结构包括位于晶圆外围边缘处的大环形结构和靠近晶圆中心处的小环形结构，大环形结构与小环形结构之间连接有连接凸起，本实用新型的支撑结构可以实现较大直径与减薄的晶圆薄化制程需求。
一种集成电路晶圆薄化制程支撑结构

[发明专利]晶圆背面减薄方法-CN202210084168.X在审
发明人：潘嘉;郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆背面减薄方法包括如下步骤：步骤一、在具有台阶形貌的晶圆的正面表面贴上背面研磨保护膜。步骤二、对背面研磨保护膜的正面表面进行平坦化。步骤三、将晶圆固定放置在减薄机台的晶圆支撑盘上，晶圆通过背面研磨保护膜的平整的正面表面和晶圆支撑盘形成无缝隙且平整的接触。步骤四、对晶圆进行背面减薄，背面减薄过程中晶圆支撑盘提供的支撑力在晶圆面内分布均匀。步骤五、去除背面研磨保护膜。本发明能消除晶圆正面台阶形貌对背面减薄的不利影响，防止由于晶圆的受力不均产生的微裂缝和研磨速率差异，从而实现对晶圆的均匀减薄。
背面方法

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