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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种自动清灰配电箱-CN202211476440.5在审
发明人： 邱志威 -专利权人： 邱志威
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H02B1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动清灰配电箱，包括清灰机构，清灰机构包括箱体，所述箱体内设有隔板，所述隔板的上下两侧均设有回型板，两块所述回型板内均转动连接有两根第一螺纹杆，四根所述第一螺纹杆外均螺纹套设有螺纹块，四块所述螺纹块分别与两块回型板内侧壁滑动连接，位于上方的两块所述螺纹块的下端和位于下方的两块螺纹块的上端均分别安装有吹风机和吸尘器，所述箱体内设有用于对四根第一螺纹杆进行驱动的驱动机构。本发明便于对元器件进行清灰，且对元器件维护时，光线较好，配电箱内的维护空间可调节，维护较为方便。
一种自动配电箱

[发明专利]三维系统单芯片的制造方法及三维系统单芯片-CN202210468030.X在审
发明人： 邱志威 -专利权人： 邱志威
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种三维系统单芯片的制造方法，包括提供存储器晶圆结构，具有第一重布线层；设置第一导电结构以及具有第二导电结构的核心晶粒结构及输入/输出晶粒结构于第一重布线层，输入/输出晶粒结构设置于核心晶粒结构的周边；形成介电层包覆核心晶粒结构、输入/输出晶粒结构以及第一导电结构；移除部分介电层且薄化核心晶粒结构及多个输入/输出晶粒结构，以显露第一、第二导电结构；形成第三重布线层于介电层上，且与第一、第二导电结构电性连接；形成多个焊球于该第三重布线层；进行切单。一种三维系统单芯片亦被提供。
三维系统芯片制造方法

[发明专利]晶体管下具有电源连接结构的半导体结构及其制造方法-CN202210509287.5在审
发明人： 邱志威;陈维志 -专利权人： 邱志威
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种晶体管下具有电源连接结构的半导体结构的制造方法包含：形成停止层结构于半导体基板内，将其分为基板第一部分及基板第二部分；形成多个停止部于基板第一部分内且邻近主动面；于主动面设置晶体管元件，晶体管元件的接点部对应停止部；移除基板第二部分及停止层结构；形成具有第一图案化开口的第一图案化掩模层于基板第一部分的底面，第一图案化开口对应停止部；在基板第一部分形成贯穿的开槽，经由开槽显露接点部；形成保护层覆盖开槽的侧壁；形成导电层覆盖接点部；形成电源连接结构于开槽内。此制造方法具有灵活性而可提升装置性能。
晶体管具有电源连接结构半导体及其制造方法

[发明专利]半导体超薄堆叠结构的制造方法-CN202110544381.X在审
发明人： 邱志威 -专利权人： 邱志威
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，包含以离子注入形成停止层结构于半导体基板内，再于半导体基板的主动面设置电气元件及内连层，以形成半导体晶圆；将两半导体晶圆的内连层相对且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半导体晶圆的背面去除上方半导体晶圆的部分半导体基板及停止层结构，使上方半导体晶圆形成薄化半导体晶圆，之后逐一在薄化半导体晶圆进行另一半导体晶圆的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆叠另一薄化半导体晶圆，最后对最下方半导体晶圆进行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆叠多层薄化半导体晶圆，满足高积集度要求。
半导体超薄堆叠结构制造方法

[发明专利]一种具有水冷降温结构的户外配电柜-CN202210571241.6在审
发明人： 邱志威 -专利权人： 邱志威
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02B1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有水冷降温结构的户外配电柜，包括户外配电柜本体，户外配电柜本体上设有柜门，户外配电柜本体内设有配电板，柜门上固定贯穿设有固定块，固定块内设有L型腔室和空腔。本发明通过驱动电机带动两根转动杆上的若干扇叶转动，配合L型腔室对配电板进行鼓风散热，由半导体制冷器将冷水经由第二导管导入换热箱内，使得迂回型腔室内的冷水配合导冷片和导冷板对配电板进行快速换热降温，提高户外配电柜本体的降温效果，通过设置的漏斗型集雨槽将雨水收集至集液箱内，并由集液箱配合第一导管将雨水导入半导体制冷器进行制冷，利用雨水制冷后配合迂回型腔室内的导冷片和导冷板对配电板进行快速换热降温，节约水资源。
一种具有水冷降温结构户外配电柜

[发明专利]扇出型封装件结构和方法-CN202210450861.4在审
发明人： 邱志威;邱绍玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种方法，包括：在载体上附接半导体结构，在载体上方沉积模塑料层，其中，半导体结构嵌入在模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影第一感光材料层和第二感光材料层以形成开口，开口具有位于第一感光材料层中的第一部分和位于第二感光材料层中的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；用导电材料填充开口以在第一感光材料层中形成通孔和在第二感光材料层中形成重分布层；以及在重分布层上方形成凸块。本发明实施例涉及扇出型封装件结构和方法。
扇出型封装结构方法

[发明专利]半导体组件及制造半导体组件的方法-CN201410474255.1有效
发明人：吴伟诚;侯上勇;郑心圃;刘醇鸿;邱志威;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
半导体组件应力缓冲层接合垫介电层高分子聚合物层凸块下金属介电常数金属接合八边形方形环圆形环铝层制造

[发明专利]扇出型封装件结构和方法-CN201610919326.3在审
发明人： 邱志威;邱绍玲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种方法，包括在载体上附接半导体结构，在载体上方沉积模塑料层，其中，半导体结构嵌入在模塑料层中；将第一感光材料层和第二感光材料层暴露于光；显影第一感光材料层和第二感光材料层以形成开口，开口具有位于第一感光材料层中的第一部分和位于第二感光材料层中的第二部分，其中，第二部分的宽度大于第一部分的宽度；用导电材料填充开口以在第一感光材料层中形成通孔和在第二感光材料层中形成重分布层；以及在重分布层上方形成凸块。本发明实施例涉及扇出型封装件结构和方法。
扇出型封装结构方法

[发明专利]用于封装芯片的钝化层-CN201210258782.X有效
发明人：郑心圃;吴伟诚;侯上勇;余振华;刘醇鸿;邱志威;许国经 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。
用于封装芯片钝化

[发明专利]用于半导体器件的中介层及其制造方法-CN201210022531.1有效
发明人： 邱志威;王姿予;吴伟诚;刘淳亦;胡宪斌;侯上勇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-01 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体器件的中介层及其制造方法。在一个实施例中，一种中介层包括：衬底；在衬底上设置的接触焊盘；以及位于衬底中的连接至接触焊盘的第一通孔；连接至第一通孔的第一熔丝；位于衬底中的连接至接触焊盘的第二通孔；以及连接至第二通孔的第二熔丝。
用于半导体器件中介及其制造方法

[发明专利]附着聚酰亚胺层的密封环结构-CN201110204353.X有效
发明人： 邱志威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本披露提供了半导体器件，包括：基板，具有密封环区域和电路区域；密封环结构，设置在密封环区域之上；第一钝化层，设置在密封环结构之上，第一钝化层具有在密封环结构之上的第一钝化层孔；以及金属焊盘，设置在第一钝化层之上，金属焊盘通过第一钝化层孔与密封环结构连接并且具有在第一钝化层孔之上的金属焊盘孔。该器件进一步包括：第二钝化层，设置在金属焊盘之上，第二钝化层具有在金属焊盘孔之上的第二钝化层孔；以及聚酰亚胺层，设置在第二钝化层之上，聚酰亚胺层填充第二钝化层孔，以在聚酰亚胺层的外部锥形边缘处形成聚酰亚胺根部。
附着聚酰亚胺密封结构

[发明专利]半导体组件及制造半导体组件的方法-CN201110204956.X有效
发明人：吴伟诚;侯上勇;郑心圃;刘醇鸿;邱志威;史朝文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。
半导体组件制造方法

[发明专利]半导体元件及其制法-CN201010239344.X有效
发明人：王姿予;邱志威;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制法，该半导体元件包括：一半导体基材；一接合焊盘位于该半导体基材之上；一应力缓冲结构部分地覆盖该接合焊盘并暴露一部分的接合焊盘，其中该应力缓冲结构包括一阶梯状侧壁，该阶梯状侧壁从该暴露的接合焊盘逐渐地向上延伸；以及一凸块底层金属层位于该暴露的接合焊盘上与该阶梯状侧壁之上，其中该凸块底层金属的形状与该阶梯状侧壁的形状一致。本发明的接合结构包括一阶梯状应力缓冲层位于具有同样阶梯状的凸块底层金属层之下。本发明的凸块底层金属结构与应力缓冲结构的阶梯状构造会造成较均匀的应力分布，且降低芯片底下介电材料与凸块底层金属结构自身的最大/平均应力值。
半导体元件及其制法

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