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[发明专利]基于随机散射介质的可控亚波长无掩模光刻系统和方法-CN201610570539.X有效
发明人：刘杰涛;冯蕾;龚昌妹;李慧娟;朱大炜;郭成飞;邵晓鹏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于随机散射介质的可控亚波长无掩模光刻系统和方法，解决了光刻技术中成本高、时间效率低及分辨率低的技术问题。生成目标图形，光波经空间光调制器Ⅰ后入射到随机散射介质表面，随机散射介质对光进行随机编码，再利用空间光调制器Ⅱ对随机散射介质产生的相位畸变进行补偿，最终实现透过散射介质的亚波长成像，形成任意可控亚波长“数字掩模本发明避免了掩模版的制作，极大地降低了光刻成本，利用随机散射介质的随机编码与空间光调制器的相位补偿相结合，提高了光刻分辨率，其中相位标定过程仅需一次，提高了光刻时间效率，从而实现了可控亚波长图形的无掩模光刻
基于随机散射介质可控波长无掩模光刻系统方法

[发明专利]一种双光束无掩模光刻系统-CN202110209817.X有效
发明人：陈冠楠;梅文辉 -专利权人：中山新诺科技股份有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双光束无掩模光刻系统。所述双光束无掩模光刻系统包括：第一和第二光源、扩束匀化单元(2)、光场调制单元(3)和光束调节单元(4)，第一光源用于发射激发光；第二光源用于发射损耗光；光束调节单元(4)用于将扩束匀化单元(2)和光场调制单元本发明的双光束无掩模光刻系统可以缩小单个光刻点的大小，从而能够显著提高光刻分辨率。
一种光束无掩模光刻系统

[发明专利]一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统-CN202111309008.2在审
发明人：赵圆圆;陈经涛;段宣明 -专利权人：暨南大学
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学掩模设计技术领域，提出一种基于神经网络的无标签反演光刻方法及系统，其中包括以下步骤：构建光刻系统模型；基于Pytorch神经网络框架建立光刻系统层；获取现有目标布局作为数据样本组成训练集，并对所述目标布局进行数据增强处理；将Unet网络与所述光刻系统层连接组成自编码网络，将训练集输入所述自编码网络中进行训练，并基于BP算法对Unet网络的参数进行优化，得到完成训练的Unet网络；将目标布局输入完成训练的Unet网络中，输出得到无标签反演光刻合成掩模。本发明无需再通过传统ILT得到合成掩模作为数据标签，实现工作效率、图案保真度、掩膜的可制造性以及运行时间优于传统ILT技术。
一种基于神经网络标签反演光刻方法系统

[发明专利]光刻掩模修复工艺-CN201310150870.2有效
发明人：吕建兴;林重宏;温志伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G03F1/74 文献下载
摘要：一种方法包括对光刻掩模实施束扫描以修复光刻掩模。在束扫描之后，对光刻掩模实施辐射处理。通过一种装置实施该方法，该装置包括被配置成生成束并且将束投射到光刻掩模上的束发生器，被配置成在光刻掩模上生成辐射的辐射源，和被配置用于释放加工气体到光刻掩模上的加工气体源。加工气体与光刻掩模的表面部分发生反应以修复光刻掩模。利用辐射处理，光刻掩模上的残余加工气体被去除。本发明还提供了光刻掩模修复工艺。
光刻修复工艺

[发明专利]使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片-CN202210050809.X在审
发明人： M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯;M·J-J·维兰德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器，其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。
使用带电粒子波光系统制造独特芯片

[发明专利]使用带电粒子多束波光刻系统制造独特芯片-CN201780068908.8有效
发明人： M·N·J·范科尔维克;V·S·凯伯;M·J-J·维兰德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：使用无掩模光刻曝光系统制造电子器件的方法，无掩模光刻曝光系统使用无掩模图案写入器，其中生成用于控制无掩模图案写入器曝光晶片以用于创建电子器件的束波控制数据。
使用带电粒子波光系统制造独特芯片

[发明专利]采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管基板的方法-CN200610145450.5有效
发明人：池映承;康秀赫;金正五 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管(TFT)的方法。一种采用无掩模曝光设备制造TFT基板的方法包括：在基板上形成用于形成数据图案的数据金属层，该数据图案包括数据线和TFT的源极和漏极，该基板上形成有包括栅线和薄膜晶体管的栅极和公共电极的栅图案以及形成于所述栅线、栅极和公共电极上的栅绝缘层、有源层和欧姆接触层；在数据金属层上形成光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第一次曝光位于除了要形成数据线和薄膜晶体管的区域以外的区域的光刻胶；通过采用无掩模曝光设备第二次曝光位于要形成薄膜晶体管沟道区域的光刻胶，所采用的光量比第一次曝光工艺的光量少；并且显影所述第一次和第二次曝光后的光刻胶。
采用无掩模曝光设备制造薄膜晶体管方法

[发明专利]极紫外光刻掩模衍射谱的快速仿真方法-CN202111392142.3在审
发明人：胡少博;李思坤;唐明;王向朝;张子南 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：一种极紫外光刻掩模衍射谱快速仿真方法，将掩模整体看作一个多层膜结构，划分为有吸收层覆盖区域和无吸收层覆盖区域。在斜入射情况下，基于等效膜层法计算两种区域膜层复反射系数，采用基尔霍夫近似计算掩模衍射谱。本发明方法可以快速仿真极紫外光刻掩模衍射谱，提高了斜入射情况下衍射谱的仿真精度。
紫外光刻衍射快速仿真方法

[发明专利]一种基于投影式无掩膜光刻设备的对准套刻光路及其方法-CN201910460820.1在审
发明人：李春;曾诚;兰长勇;周思翰;吴浩仑;何天应 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种基于投影式无掩膜光刻设备的对准套刻光路及其方法，应用于无掩膜光刻技术领域，针对传统的掩模光刻对准系统要在掩模版上构造标记，对于投影式无掩膜光刻设备，传统的对准方式不适用的问题，本发明通过透镜或透镜组准直对准光源产生的光束；通过合束光学元件将光束耦合进投影曝光主光路；对准光束照射到图像生成装置后反射，形成对准图形；对准图形经过微缩透镜组实现图像的微缩投影；调整工件台的垂直距离实现对准图形在待光刻基片的清晰成像；调整工件台的水平坐标和旋转角度，实现对准图形与待光刻基片的位置对准；最后打开曝光光源，完成投影曝光；实现了投影式无掩膜光刻设备的对准套刻。
无掩膜光刻设备对准图形投影式对准套调整工件投影曝光传统的透镜组光刻光路微缩对准透镜光刻技术领域图像生成装置垂直距离对准光束对准系统光束耦合光学元件光源产生曝光光源清晰成像水平坐标位置对准掩模光刻掩模版主光路合束掩膜准直反射投影照射图像应用

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统-CN200910208363.3无效
发明人：井上忠宣;D·O·梅尔威尔;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布卢特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-12 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘对，用于确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。掩模版图数据包括多个多边形，每一个多边形具有多个边缘。每一个目标边缘对由一个或多个多边形中的两个边缘限定。确定光刻掩模的可制造性，包括确定在形成光刻掩模时的制造惩罚。使用在连续尺度上表征光刻掩模的可制造性的连续导数，确定光刻掩模的可制造性。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。
用于确定光刻制造方法系统

[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统-CN200910222007.7有效
发明人：井上忠宣;D·O·梅尔维勒;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布鲁斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-11-13 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模布局数据选择目标边缘对以确定光刻掩模制造中的制造损失。掩模布局数据包括多个多边形，各多边形具有多个边缘，各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定。减少目标边缘对的数量，以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量。基于数量减少的目标边缘对确定光刻掩模的可制造性，包括确定光刻掩模制造中的制造损失。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
用于确定光刻制造方法系统

[发明专利]一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法-CN201811043168.5有效
发明人：万新军;解树平;宋可;宾博逸;吕宋;陶雪辰;苏程程;陈红豆 -专利权人：苏州瑞霏光电科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法，所述的测量方法在光刻机上进行，所述光刻机包括光源、空间光调制器、第一透镜、分光镜、相机、第二透镜、第三透镜和载物台；所述的测量方法包括：S1.调节样品与第三透镜之间的位置本发明提供一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法，利用无掩模光刻机的现有硬件，实现光刻样品的三维形貌测量，使光刻机能够同时实现光刻和三维检测的复合功能。
一种基于无掩模光刻三维轮廓显微测量方法

[发明专利]一种柔性制作多焦点微透镜阵列结构的方法-CN202210458849.8在审
发明人：黄胜洲;谢芳琳;孙家乐;蒋铖玮;王雷;李懿;武晨旭 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光学成像领域，具体是一种柔性制作多焦点微透镜阵列结构的方法，步骤如下：制作三种数字掩模版；在衬底上旋涂一层负性光刻胶，用一号掩模版进行第一次无掩模曝光，曝光显影得到初步的结构；在第一层光刻胶上旋涂第二层光刻胶，基于二号掩模版进行第二次曝光显影；在第二层光刻胶上选图第三层光刻胶，基于三号掩模版进行第三次曝光显影，得到具有三种不同厚度的多层微柱结构；对多层微柱结构进行热回流工艺处理，封装热回流后的球面微透镜得到多焦点微透镜阵列结构
一种柔性制作焦点透镜阵列结构方法

[发明专利]在校正光刻掩模中使用掩模制造模型-CN202080072256.7在审
发明人： L·S·梅尔文三世;K·J·胡克 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e‑beam)过程，该过程包括电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用图案化抗蚀剂蚀刻掩模坯。掩模制造模型通常与其他过程模型一起用于估计光刻过程的结果。然后基于仿真结果将掩模校正应用于掩模设计。
校正光刻掩模中使用制造模型

[发明专利]无掩模版光刻设备和无掩模版光刻的方法-CN202210788794.7在审
发明人：杨保平 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种无掩模版光刻设备和无掩模版光刻的方法，无掩模版光刻设备包括自动化传输线、旋转加工平台、图像定位系统、数据处理系统和曝光系统，其中，自动化传输线，用于输入和输出所需要加工的电池片；旋转加工平台本发明的设备和方法，无需采用掩模版来实现对太阳能电池片的曝光，可节约材料成本、储存成本以及生产更换物料时间，提高产品生产良率和效率。
模版光刻设备方法