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[发明专利]一种高触发电流的SCR ESD防护器件-CN200910233694.2无效
发明人：李海松;刘侠;王钦;杨东林;陈文高;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种高触发电流的SCR ESD防护器件，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上分别设置有N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在N型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有阳极金属层和金属层，而在P型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有金属层和阴极金属层，且阳极金属层和金属层之间通过由P型掺杂半导体区和N型掺杂半导体区构成的二极管连接，而金属层和阴极金属层之间直接用金属连接。
一种触发电流 scr esd 防护器件

[发明专利]一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管-CN201210101012.4有效
发明人：孙伟锋;祝靖;吴逸凡;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有间断不连续的P型掺杂柱状半导体区，在P型掺杂柱状半导体区上设有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型掺杂半导体接触区和N型掺杂半导体源区，其特征在于，在N型重掺杂半导体源区上连接有源极金属，在第二P型重掺杂半导体接触区上连接有衬底金属，在源极金属与衬底金属的下方设有作为电阻的多晶硅，且多晶硅分别与源极金属与衬底金属连接，在衬底金属上连接有顶层金属。
一种纵向扩散金属氧化物半导体

[发明专利]一种氮掺杂石墨烯@金属材料在导热领域的应用及导热器件-CN202110945708.4在审
发明人：马宇飞;吴琼 -专利权人：苏州盛光材料有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮掺杂石墨烯@金属材料在导热领域的应用，所述氮掺杂石墨烯@金属材料包括金属基材以及生长于所述金属基材上的氮掺杂石墨烯。本发明氮掺杂石墨烯@金属材料包括金属基材以及生长于金属基材上的氮掺杂石墨烯，无需借助于额外粘接，氮掺杂石墨烯直接生长于金属基材上并与金属基材充分接触，氮掺杂石墨烯@金属材料一体成型，有效提升金属基材的热导率
一种掺杂石墨金属材料导热领域应用器件

[发明专利]一种金属离子掺杂碳量子点的提纯工艺-CN201810144623.4在审
发明人：李峻峰;何欢;肖逸菲;李平;刘磊;包珊珊;黄滔;张佩聪;赖雪飞 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属离子掺杂碳量子点的提纯工艺，包括以下步骤：在制备的金属离子掺杂碳量子点中加入丙酮，丙酮与金属离子掺杂碳量子点溶液体积比≥0.5；丙酮与金属离子掺杂碳量子点溶液混合均匀后，金属离子掺杂碳量子点出现团聚现象，溶液由透明变得浑浊，通过离心操作实现金属离子掺杂碳量子点与液体的分离，最后经干燥后得到金属离子掺杂碳量子点粉末。本发明金属离子掺杂碳量子点沉淀剂‑丙酮使得金属离子掺杂碳量子点具有合成产物纯度高、产物发光性与稳定性良好、制备工艺简单、成本低等优势，克服了金属离子掺杂碳量子制备过程中透析所带来的工艺复杂、成本高、消耗时间长等缺陷
金属离子掺杂量子点丙酮量子点溶液提纯工艺合成产物离心操作团聚现象制备工艺制备过程沉淀剂发光性体积比浑浊量子透析制备消耗透明

[发明专利]一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管-CN202210637352.2在审
发明人：雷威;赵志伟;周建明 -专利权人：苏州奕赫光电子科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种固相掺杂的钙钛矿光电二极管，包括钙钛矿光子吸收体、第一掺杂金属层、第二掺杂金属层、第一电极层和第二电极层；所述钙钛矿光子吸收体两侧分别沉积第一掺杂金属层和第二掺杂金属层，所述第一掺杂金属层用于获得n型掺杂，第二掺杂金属层用于获得p型掺杂；第一掺杂金属层和第二掺杂金属层的金属离子渗透到钙钛矿光子吸收体，形成钙钛矿n型层和钙钛矿p型层；所述第一掺杂金属层和第二掺杂金属层两侧分别沉积第一电极层和第二电极层
一种掺杂钙钛矿光电二极管

[发明专利]改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及材料-CN201811137925.5有效
发明人：张杨;李弋洋 -专利权人：中科芯电半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法，包括以下步骤：(1)在低掺杂浓度材料表面上外延生长镓金属，镓金属覆盖在低掺杂浓度材料表面上呈圆形薄膜层；(2)将表面生长镓金属的低掺杂浓度材料在氮气气氛下进行退火，使镓金属与低掺杂浓度材料形成欧姆接触。表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料，所述低掺杂浓度材料的表面上覆盖呈直径为0.6‑1.5mm的圆形Ga金属薄膜层，所述低掺杂浓度材料上有6‑15μm厚的Ga金属。所述低掺杂浓度材料为III‑V族化合物半导体材料。
改善掺杂浓度材料表面欧姆接触方法

[发明专利]一种透明导电膜和触控屏-CN202010348887.9在审
发明人：张玉春;仲树栋;李卯 -专利权人：北京载诚科技有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明导电膜和触控屏，所述透明导电膜包括依次层叠设置的柔性基材层、IM层、导电层；所述导电层依次包括设于所述IM层上的第一金属掺杂层、第一透明导电材料层、第二金属掺杂层和第二透明导电材料层；所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层均为金属与氮/氧化物金属的掺杂层；所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层的厚度均小于10nm，所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层的厚度之和为6～20nm。本申请通过将原来的金属层分两层金属掺杂层设置，实现在与现有技术中的金属层总体厚度相同的情况下，提高折射率，进而实现与触控屏中的高折射率的玻璃、OCA胶等的折射率匹配，提高了透光率。
一种透明导电触控屏

[实用新型]透明导电膜和触控屏-CN202020682491.3有效
发明人：张玉春;仲树栋;李卯 -专利权人：北京载诚科技有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种透明导电膜和触控屏，所述透明导电膜包括依次层叠设置的柔性基材层、IM层、导电层；所述导电层依次包括设于所述IM层上的第一金属掺杂层、第一透明导电材料层、第二金属掺杂层和第二透明导电材料层；所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层均为金属与氮/氧化物金属的掺杂层；所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层的厚度均小于10nm，所述第一金属掺杂层和第二金属掺杂层的厚度之和为6～20nm。本申请通过将原来的金属层分两层金属掺杂层设置，实现在与现有技术中的金属层总体厚度相同的情况下，提高折射率，进而实现与触控屏中的高折射率的玻璃、OCA胶等的折射率匹配，提高了透光率。
透明导电触控屏

[发明专利]掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件-CN201910955447.7有效
发明人：张振星;高远;李明;高培源 -专利权人：纳晶科技股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明公开了掺杂氧化锌纳米晶的制备方法、电子传输层、发光器件。其中掺杂氧化锌纳米晶的制备方法包括以下步骤：S1，将锌盐、掺杂金属盐以及有机胺于溶剂中混合得到混合溶液，锌盐中锌元素的物质的量与掺杂金属盐中金属元素的物质的量之比为(100:1)～(1.5:1)，有机胺适于与掺杂金属盐形成络合物；S2，向步骤S1的混合溶液中加碱进行反应，反应后得到含有掺杂氧化锌纳米晶的溶液。采用本发明提供的方法制备掺杂氧化锌纳米晶，可以突破现有的掺杂金属在氧化锌纳米晶中的掺杂量上限，显著提升掺杂氧化锌纳米晶中掺杂金属的掺杂量，有利于充分发挥掺杂金属的有益作用。
掺杂氧化锌纳米制备方法电子传输发光器件

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201710448937.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供包括第一区和第二区的基底；形成位于基底第一区中的第一掺杂区和位于基底第二区中的第二掺杂区，第二掺杂区中掺杂有阻挡离子；在第一掺杂区表面和第二掺杂区表面形成第一金属层；在第一金属层表面形成第二金属层，第二金属层和第一金属层的材料不同；进行退火工艺，使第一掺杂区上的第一金属层和第二金属层与第一掺杂区表面材料形成具有阻挡离子的第一金属硅化物层，使第二掺杂区表面的第一金属层和第二掺杂区表面材料反应形成第二金属硅化物层，阻挡离子阻挡第二金属层的原子扩散进入第二金属硅化物层中。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种锂离子电池正极材料-掺杂金属离子的磷酸铁及其制备方法-CN201010165276.7无效
发明人：张俊喜;许明玉;任平;华思昊;梅颖;顾志浩;李春秋 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池正极材料-掺杂金属离子的磷酸铁的制备方法。掺杂金属离子的磷酸铁由Fe源、P源及掺杂金属离子组成，其中Fe源∶掺杂金属离子∶P源的摩尔比为0.92～0.99∶0.01～0.08∶1。采用湿法合成法或固相合成方法，通过掺杂金属离子获得掺杂金属离子的磷酸铁锂离子电池正极材料。通过掺杂金属离子后的磷酸铁材料与未掺杂的磷酸铁材料相比其容量提高了10％～50％，说明离子的掺杂对磷酸铁材料的电化学性能起到了正面的作用。离子的掺杂提高了材料的电子导电性；同时由于掺杂离子的半径差异，也使得磷酸铁的晶体结构发生变化，有利于锂离子的迁移和扩散。
一种锂离子电池正极材料掺杂金属离子磷酸及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202110384428.0在审
发明人：陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一电介质层，设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，设置在第一电介质层之上；第一金属部分，设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。掺杂剂被键合到该贵金属材料。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法-CN201810183512.4有效
发明人：胡文波;李洁;郝玲;高步宇;吴胜利;李永东 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种金属与氧化锌掺杂氧化镁二次电子发射薄膜及其制备方法，包括基底以及在基底上由上至下依次设置的氧化锌掺杂氧化镁膜层和金属掺杂氧化镁膜层，金属掺杂氧化镁膜层中单纯掺杂金属材料或者共掺杂金属材料与氧化锌，单纯掺杂金属材料的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为6％‑30％，共掺杂金属材料与氧化锌的金属掺杂氧化镁膜层中金属的原子数百分含量为5％‑25％，锌的原子数百分含量不高于5％；氧化锌掺杂氧化镁膜层中所形成的Mg‑Zn‑O复合物晶粒的尺寸为8nm‑30nm
氧化镁膜层氧化锌掺杂金属材料金属掺杂原子数金属制备二次电子发射共掺杂氧化镁氧化锌基底薄膜掺杂二次电子发射系数电子发射依次设置晶粒复合物溅射法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310039175.9无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，电荷产生层包括层叠于第一电子传输层表面的第一掺杂层、形成于第一掺杂层表面的第二掺杂层及形成于第二掺杂层表面的第三掺杂层，第一掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的金属氧化物，第二掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的高功函数金属，第三掺杂层的材料包括高功函数金属及掺杂在高功函数金属中的金属氧化物。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]连接结构及其形成方法-CN202110373397.9在审
发明人：陈国儒;黄俊贤;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。
连接结构及其形成方法

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