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[发明专利]用于半导体结构的后端线金属化层及其制造方法-CN201680085027.2有效
发明人： K·林;R·L·布里斯托尔;R·E·申克尔 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：描述了用于基于后端线(BEOL)间隔物的互连的利用光桶的消减性插塞和片图案化。在范例中，用于半导体结构的后端线(BEOL)金属化层包括：层间电介质(ILD)层，其被设置在基板上面；多根导电线，其沿着第一方向被设置在所述ILD层中；导电片，其被设置在所述ILD层中，所述导电片沿着与所述第一方向正交的第二方向耦合所述多根导电线中的两根导电线；以及导电过孔，其被耦合到所述多根导电线中的一根导电线，所述导电过孔具有位于其上的过孔硬掩模，所述ILD层、所述多根导电线、所述导电片和所述过孔硬掩模中的每个的最上层表面彼此成平面。
用于半导体结构端线金属化及其制造方法

[发明专利]减成图案化的互连下方的自对准通孔-CN201680082948.3有效
发明人： M·昌德霍克;R·E·申克尔;俞辉在;K·L·林;J·S·沙瓦拉;S·A·博亚尔斯基;S·苏里;C·T·卡弗;S·纳斯卡尔 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在衬底上的第一绝缘层上的互连层中形成多个互连特征。通过互连特征中的至少一个形成第一绝缘层中的开口。在开口中沉积间隙填充层。
图案互连下方对准

[发明专利]用于传送信号以操作静态随机存取存储器的架构-CN202310644141.6在审
发明人： D·W·纳尔逊;E·A·卡尔 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：用于在半导体衬底的前侧与一个或多个晶体管交换信号的技术和机制。在实施例中，集成电路包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)单元的单元，该单元包括以各种方式设置在衬底的第一侧中或衬底的第一侧上的晶体管结构。在制造这种晶体管结构之后，衬底材料可以被减薄以暴露与第一侧相对的衬底的第二侧。第一互连和第二互连各自被耦合以交换信号或电压。在另一实施例中，第一互连和第二互连的相应部分在衬底的相对侧上延伸，其中，第一侧和第二侧各自在这些互连部分之间延伸。由于低互连电阻，将互连结构定位在衬底的相对侧上允许性能改进。
用于传送信号操作静态随机存取存储器架构

[发明专利]自主驾驶中交通动态与道路变化的检测-CN202310526101.1在审
发明人： I·塔托里安;J·赞德;R·H·沃海比 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B60W30/08 文献下载
摘要：在一些实施例中，所公开的主题涉及用于与自主车辆一起使用的动态物体标识和环境变化的系统和方法。为了有效地检测自主车辆或部分自主车辆的变化，实施例可以使用基于背景移除和图像相减的技术，这些实施例使用运动检测而不是对图像中的所有物体的完全物体标识。靠近路段的路测单元或云中的虚拟路侧单元、其他车辆或移动设备(例如，无人机)被用于检取和存储路段的背景图像，以由自主车辆使用。描述并要求保护其他实施例。
自主驾驶交通动态道路变化检测

[发明专利]接入网发现和选择-CN202010959688.1有效
发明人：亚历山大·希洛金;纳吉恩·海玛亚特;桑吉塔·班戈勒 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H04W48/18 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及接入网发现和选择，公开了用于至少部分地基于包括接入网辅助信息、转向策略、或接入命令的接入网信息来识别优选接入网的设备和方法。在一些实施例中，接入网信息、与接入网发现和选择功能(ANDSF)策略之间的冲突可以在识别优选接入网时被矫正。
接入发现选择

[发明专利]用于智能存储器接口的方法和设备-CN201710384433.5有效
发明人： C.H.郑 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于智能存储器接口的方法和设备。一个实施例涉及一种存储器结构，包括存储体组和端口仿真电路模块。所述存储体组包括多个存储器存储体，每个存储器存储体具有一个读取端口和一个写入端口。所述端口仿真电路模块为所述存储体组提供组读取/写入端口和组读取端口。另一实施例涉及一种端口仿真电路模块。所述端口仿真电路模块包括：端口仿真控制电路，所述端口仿真控制电路接收包括针对组读取/写入端口的第一地址和针对组读取端口的第二地址的控制信号；针对所述组读取/写入端口的第一数据路径电路；以及针对所述组读取端口的第二数据路径电路，其中所述第二数据路径电路输出第二读取数据。也公开了其他实施例和特征。
用于智能存储器接口方法设备

[发明专利]用于在路况变化的情况下辅助车辆的技术-CN202010316774.0有效
发明人： I·塔托里安;R·H·沃海比;H·李 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B60W10/06 文献下载
摘要：本申请公开了用于在路况变化的情况下辅助车辆的技术。用于在路况变化的情况下辅助车辆的技术包括基于从多个车辆和/或基础设施传感器接收到的众包道路数据的车辆辅助数据。所述众包道路数据可以与特定道路段相关联，并且可以用于所述道路的各种特性，例如坡度、表面、危险状况等。所述车辆辅助数据可以被提供给车载计算设备以辅助或便于穿越所述道路。
用于路况变化情况辅助车辆技术

[发明专利]具有电超负载保护电路的锁相回路-CN201710357540.9有效
发明人： C.S.梁 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H03L7/095 文献下载
摘要：提供一种具有锁相回路（PLL）的集成电路。PLL可包括相位频率检测器、电荷泵、源极跟随器电路、可变振荡器、频率分割器和控制块。相位频率检测器可配置成将反馈时钟信号对齐或锁定到参考时钟信号。控制块包括用于确定参考时钟信号或反馈时钟信号是否已停止切换的时钟丢失检测电路。响应于检测到对于参考或反馈时钟信号的时钟丢失事件，控制块可禁用相位频率检测器以将电荷泵置于三态模式中，并且可对源极跟随器电路应用预定偏置电压以帮助最小化电超负载。
具有负载保护电路回路

[发明专利]电池充电器、计算机系统以及用于对电池进行充电的方法-CN202310549185.0在审
发明人： A·贝比;S·R·莱拉 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：公开了一种电池充电器、计算机系统以及用于对电池进行充电的方法；在一个实施例中，电池充电器包括：电源路径，用于在脉冲充电序列期间以第一模式驱动电池以及用于在脉冲充电序列期间以升压模式操作时，反转来自电池的功率流；以及能量存储组件，该能量存储组件耦合到电源路径以用于当电路级以升压模式操作时，捕获脉冲充电序列期间的脉冲放电能量。
电池充电器计算机系统以及用于电池进行充电方法

[发明专利]经由验证图像机制来验证系统的用户-CN201910145718.2有效
发明人： N.M.史密斯 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F21/36 文献下载
摘要：在实施例中，本发明包括用于接收对于系统的用户验证的请求、使用随机坐标集在系统的显示器上显示验证图像、从用户接收多个手势输入值以及至少部分基于多个手势输入值来确定是否验证用户的方法。描述其他实施例并且对它们要求保护。
经由验证图像机制系统用户

[发明专利]使用标记区域对视频流的手势预处理-CN201810777013.8有效
发明人： J·伯尔 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：公开了用于通过采用阶梯状的及分布式管线步骤而对视频流进行处理以降低平台功率的技术，其中，选择性地执行CPU密集型处理。所述技术特别适用于基于手部的导航手势处理。在一个示例性事例中，例如，所述技术在计算机系统中实现，其中初始阈值检测(图像扰动)以及选择性地用户存在(手部图像)处理组件接近所述系统的相机或在所述相机内，并且所述相机位于系统的主显示器内或者接近所述显示器。在一些事例中，处于标记区域外的多在个处理阶段之间的图像处理及像素信息传输被抑制。在一些实施例中，所述标记区域与鼠标垫或指定的桌面区或用户输入设备(例如，键盘)对齐。由系统所评估的像素可被限制在所述标记区域的子集中。
使用标记区域视频手势预处理

[发明专利]用于传送信号以操作静态随机存取存储器的架构-CN201580082557.7有效
发明人： D·W·纳尔逊;E·A·卡尔 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：用于在半导体衬底的前侧与一个或多个晶体管交换信号的技术和机制。在实施例中，集成电路包括诸如静态随机存取存储器(SRAM)单元的单元，该单元包括以各种方式设置在衬底的第一侧中或衬底的第一侧上的晶体管结构。在制造这种晶体管结构之后，衬底材料可以被减薄以暴露与第一侧相对的衬底的第二侧。第一互连和第二互连各自被耦合以交换信号或电压。在另一实施例中，第一互连和第二互连的相应部分在衬底的相对侧上延伸，其中，第一侧和第二侧各自在这些互连部分之间延伸。由于低互连电阻，将互连结构定位在衬底的相对侧上允许性能改进。
用于传送信号操作静态随机存取存储器架构

[发明专利]可转换双屏膝上型计算机-CN201680086321.5有效
发明人： R·V·米尔;D·G·达姆;D·H·格尔布什;A·拉森;S·莫汉 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F1/16 文献下载
摘要：一种双屏显示设备可包括一组显示器，该组显示器包括第一显示器和第二显示器。基座可支撑显示器。铰链可耦合在第一显示器与第二显示器之间。可在显示器和基座中提供通道和柱，以提供基座与显示器之间的滑动平移。在双屏设备的一些实施例中，铰链、通道和柱协作以提供第一显示器和第二显示器相对于基座的耦合的平移。
转换双屏膝上计算机

[发明专利]带有释放的源极和漏极的半导体装置-CN201680086334.2有效
发明人： W.拉克马迪;S.K.加德纳;C.S.莫哈帕特拉;M.V.梅茨;G.德韦;S.T.马;J.T.卡瓦利罗斯;A.S.墨菲;T.加尼 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-07-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施例大体上针对带有释放的源极和漏极的半导体装置。方法的实施例包括：蚀刻半导体装置的缓冲层，以在装置的沟道层的栅极沟道部分的底下形成栅极沟槽；用氧化物材料填充栅极沟槽，以形成氧化物隔离层；在装置的源极和漏极区的层间介电（ILD）层中蚀刻一个或多个源极/漏极接触件沟槽；在一个或多个源极/漏极接触件沟槽内蚀刻氧化物隔离层，以在源极和漏极区中的源极/漏极沟道的底下形成一个或多个腔，其中，每个接触件沟槽的蚀刻将使源极/漏极沟道的所有侧面都暴露；以及使接触件金属沉积于一个或多个接触件沟槽中，包括使接触件金属沉积于源极/漏极沟道底下的腔中。
带有释放半导体装置

[发明专利]极化栅极堆叠SRAM-CN201680083053.1有效
发明人： D.H.莫里斯;U.E.阿夫齐;I.A.扬 -专利权人： 太浩研究有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：一个实施例提供了一种设备。所述设备包含：包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管的第一反相器；被交叉耦合到所述第一反相器的第二反相器，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；被耦合到所述第一反相器的第一访问晶体管；以及耦合到所述第二反相器的第二访问晶体管。每个反相器的一个晶体管的栅电极包括极化层。
极化栅极堆叠 sram

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