专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种串型装饰工艺-CN03268434.7无效
  • 郑荣发 - 郑荣发
  • 2003-06-20 - 2004-08-11 - B44C1/28
  • 本实用新型涉及一种工艺品,具体涉及一种串型装饰工艺品。一种串型装饰工艺品由挂绳和设于挂绳上的数个工艺品组成,工艺品中部设有通孔,挂绳上设有数个绳扣,该工艺品由挂绳及设有通孔的工艺品组成,具有多种组合,具有很强的多样性和趣味性。
  • 一种装饰工艺品
  • [发明专利]一种避免镍带冷轧晶粒级差过大的生产工艺-CN202011191146.0在审
  • 龚宏源;龚政 - 无锡腾达海川新材料有限公司
  • 2020-10-30 - 2021-01-29 - C22F1/10
  • 本发明公开了一种避免镍带冷轧晶粒级差过大的生产工艺,属于有色金属材料加工技术领域,包括以下工艺流程:步骤S1:对镍带原材料的表面进行除磷,以保证镍带原材料表面的洁净;步骤S2:将经过除磷工艺后所得到的镍带原材料进行第一次冷轧工艺处理,经过脱脂工艺后,进行第一次退火工艺处理并完成冷处理;步骤S3:将完成第一次退火工艺处理以及冷处理后所得到的镍带原材料进行第二次冷轧工艺处理。本发明中,本发明中,通过设计的第一次冷轧工艺、第一次退火工艺、第二次退火工艺、第三次冷轧工艺以及第三次退火工艺,有效改善了晶粒的均匀性,使得晶粒分布更加均匀、级差小,其晶粒不会异常长大,大大改善镍带组织与性能的均匀性
  • 一种避免冷轧晶粒级差过大生产工艺
  • [发明专利]一种可双向校准的同轴度装置-CN202111509506.1在审
  • 吴事兵;姚绍恒;侯庆华;周江亚;王栋 - 昌河飞机工业(集团)有限责任公司
  • 2021-12-10 - 2022-04-05 - G01B11/27
  • 本发明提出了一种可双向校准的同轴度装置,包括工艺轴底座、工艺轴、挡块、检查销轴心、检查销和工艺法兰盘,工艺轴一端有凸台,一端有锥形轴尖,工艺轴安装在挡块孔里面并且在挡块孔里面滑行,挡块通过固定在工艺轴底座上,工艺轴底座与第一被测对象的连接部分为法兰盘结构,便于周向均布连接;工艺法兰盘有个中心孔,检查销放置在中心孔里面,精度配合且可在工艺法兰盘中的中心孔里面滑行,检查销位置确定后固定在工艺法兰盘上,检查销顶端有个轴心;工艺法兰盘与第二被测对象的连接部分也为法兰盘结构;推动工艺轴靠近检查销轴心,旋转两端被测对象,工艺轴轴尖跟着旋转,轴尖在检查销轴心圆圈内,则同轴度满足要求,反之,不满足同轴度要求。
  • 一种双向校准同轴装置
  • [发明专利]一种金属镀覆设备-CN202111605263.1在审
  • 史蒂文·贺·汪;林鹏鹏 - 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
  • 2021-12-24 - 2022-03-25 - C25D19/00
  • 本发明提供了一种金属镀覆设备,包括一处理室,处理室内集成有多个工作槽,工作槽包括镀槽和工艺槽,工艺槽包括非密封式处理工艺槽和密封式处理工艺槽;处理室内设置有移动机构和晶圆夹具,晶圆夹具用于夹持晶圆,移动机构用于驱动晶圆夹具移动,镀槽和全部或部分非密封式处理工艺槽共享一个晶圆夹具。本发明提供的金属镀覆设备,将工艺槽和镀槽集成在一个设备的处理室内,由此使得,晶圆在进行各项前处理工艺和/或后处理工艺、及镀覆工艺(电镀工艺和/或化镀工艺)的过程中,无须切换设备,能够在较短时间内由上一道工序进入下一道工序,极大的节约了时间成本,提升了工艺效率;并且,此举对提升晶圆的工艺质量亦有积极意义。
  • 一种金属镀覆设备
  • [发明专利]统计半导体工艺参数的方法、半导体工艺设备-CN202210907160.9在审
  • 刘亚欣 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2022-07-29 - 2022-11-22 - G06F16/2458
  • 本发明实施例提供了一种统计半导体工艺参数的方法和一种半导体工艺设备,该方法包括:在执行每个工艺步骤后,确定每个工艺步骤中预设工艺参数的单位特征值并结构化存储在数据库中,选择目标工艺参数、统计算法和时间范围;从数据列表中,获取与目标工艺参数和统计算法匹配的单位特征值;对该单位特征值,根据统计算法计算得到工艺任务对应的统计特征值;采用工艺任务对应的统计特征值,绘制SPC图。本发明通过在数据表中查询工艺参数的单位特征值,从而可以根据选择的目标工艺参数查询到对应的单位特征值,提高了工艺参数的查询速度;通过与目标工艺参数和统计算法匹配的单位特征值,绘制SPC图,减少了统计算法中计算所需要的数据
  • 统计半导体工艺参数方法工艺设备
  • [发明专利]光刻工艺图形缺陷检测方法-CN201310631490.0有效
  • 王伟斌;季亮;魏芳;张旭昇 - 上海华力微电子有限公司
  • 2013-11-29 - 2014-03-19 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻工艺中版图设计友善性检测方法,包括如下步骤:将设计目标图形数据转化为光刻目标图形;对光刻目标图形依次进行第一次光学邻近效应修正和第一次工艺偏差图形模拟;对光刻目标图形进行第一次工艺热点检测;若第一次工艺热点检测发现至少一个潜在工艺热点,则对各潜在工艺热点附近的光刻目标图形分别进行第二次光学邻近效应修正和第二次工艺偏差图形模拟;根据第二次工艺偏差图形模拟的结果对各检测区域进行第二次工艺热点检测;其中,检测区域与潜在工艺热点一一对应,并根据潜在工艺热点的位置而生成。该方法可缩短光刻工艺中版图设计友善性检测的耗时,实现对工艺热点的快速准确的查找,并减少软件和硬件的使用成本。
  • 光刻工艺图形缺陷检测方法
  • [发明专利]一种增加纬编针织物抗辐射能力的整理工艺-CN201611209568.X有效
  • 严飞 - 句容市申兔工艺针织厂
  • 2016-12-23 - 2020-03-06 - D06M13/402
  • 本发明公开了增加纬编针织物抗辐射能力的整理工艺,在进行纬编针织物的染整工艺之前增加了抗静电抗紫外整理工艺,在进行纬编针织物的染整工艺之后增加了低温改性整理工艺,在纬编针织物的后整理工艺中增加了抗辐射整理工艺,染整工艺之前的抗静电抗紫外整理工艺,不会影响织物的原有色泽、手感、吸湿性以及色牢度,且增加抗静电抗紫外性能的持久性,染整工艺之后增加了低温改性整理工艺,对织物纤维进行一定的改性,为后续抗辐射整理增加整理液的吸收能力,最后在后整理工艺中增加了抗辐射整理工艺;为纬编织物的抗辐射能力形成最后一道巩固的整理,从而在保证舒适度的前提下最大化的增强其抗辐射性能和持久能力。
  • 一种增加针织物辐射能力整理工艺
  • [发明专利]用于沉积III-V主族半导体层的方法和装置-CN201610190479.9有效
  • F·拉达伊威特;M·德费尔;M·科尔伯格 - 艾克斯特朗欧洲公司
  • 2016-02-02 - 2021-05-11 - C23C16/455
  • 本发明涉及沉积III‑V主族半导体层的装置,所述装置具有工艺腔(1)、构成工艺腔底部的、用于容纳一个或多个待镀基片的基座(2)、用于将基座加热到工艺温度的加热装置(3)以及进气机构(4),所述进气机构具有用来将氢化物和金属有机化合物引入工艺腔中的至少一个第一和第二工艺气入口区建议腐蚀气入口(9)沿氢化物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺气入口区下游通入工艺腔中,其中设置控制装置并布置工艺气入口区和腐蚀气入口,使得从工艺气入口区流出的工艺气在沉积半导体层时不进入腐蚀气入口,并且净化工艺腔时从腐蚀气入口流出的腐蚀气不进入工艺气入口区。腐蚀气入口由进气机构周围的工艺气腔盖环形区和用来固定盖板的环形固定元件构成。
  • 用于沉积iii半导体方法装置
  • [发明专利]堆叠式涂胶显影系统-CN201611053164.6有效
  • 洪旭东 - 沈阳芯源微电子设备股份有限公司
  • 2016-11-25 - 2020-10-30 - G03F7/16
  • 本发明涉及半导体加工领域,具体地说是一种堆叠式涂胶显影系统,晶圆通过片盒卸装料机器人在片盒、增粘工艺塔和第一热处理工艺塔间传送,并通过第一上下层传输机器人在增粘工艺塔中的增粘单元和中转单元间传送,在不同工艺站组中,晶圆均通过上下叠置的显影工艺机器人与涂胶工艺机器人在热处理工艺塔和涂胶显影工艺塔间传送,不同工艺站组的热处理工艺塔通过传片单元传递晶圆,晶圆通过第二上下层运输机器人在第二显影工艺机器人、第二涂胶工艺机器人本发明具有机器人服务工艺单元数少、晶片传递方向唯一、设备占地面积小等特点。
  • 堆叠涂胶显影系统

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