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[发明专利]一种基于地面瞬变电磁法的分离式多芯发射装置-CN202310932432.5在审
发明人：杨海燕;李文宇;顾艳艳;车荣祺;许云磊;李震洋;孙梦朗;冉华赓 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01V3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于地面瞬变电磁法的分离式多芯发射装置，包括矩形发射线圈，矩形发射线圈由四条电缆组成，每条电缆内均设有N根导线，导线两端设有子头接口与母头接口，四条电缆的导线依序可分离式连接。本装置将四条电缆设置成可分离式，可以适应复杂地表环境，解决地面建筑、植被及其它因素影响大的施工难题，并可通过改变矩形线圈面积或导线根数，调整地面以下的探测深度。本发明可根据探测深度需要产生若干种组合，结合实际工作条件和输出参数要求，可以确定最优装置形式，可选择方案多。
一种基于地面电磁分离式多芯发射装置

[实用新型]胚蛋注射辅助照蛋装置-CN201821552634.8有效
发明人：冯昊南;唐雪;李震洋 -专利权人：冯昊南
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： A01K43/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于禽蛋孵化的照蛋器，具体为胚蛋注射辅助照蛋装置。包括照蛋器，还包括一根可曲绕的柔性支撑杆，所述柔性支撑杆顶端连接有顶夹，底部连接有底夹，所述顶夹用于夹持照蛋器。所述柔性支撑杆与顶夹通过万向转动轴连接，顶夹可调节方向和角度，通过调整万向转动轴来调节顶夹上照蛋器的照射方向和角度。还包括头套，佩戴于人体头部，头套设置有支撑骨架，底夹夹持固定在支撑骨架上。所述底夹上安装有一个万向转动轴，柔性支撑杆与万向转动轴连接，佩戴时可方便地调节柔性支撑杆角度。所述头套下端设置有系带，使佩戴牢固。在胚蛋注射过程中，可以由一人独自同时完成照蛋和注射，减少了人力投入，提高了工作效率。
柔性支撑杆顶夹万向转动头套照蛋器注射胚蛋佩戴照蛋装置支撑骨架轴连接底夹本实用新型底部连接顶端连接工作效率夹持固定禽蛋孵化人体头部照射方向可调节蛋器夹持可曲系带下端

[发明专利]一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法-CN201610155996.2有效
发明人：陈万军;李震洋;蒋华平;刘超;古云飞;程武;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/745 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应，而随着电压增加，P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射，以进行电导调制，抑制snapback效应；同时，在反向导通时，由于额外引入的P浮空区，导通时将经过寄生PNPN结构，电流到一定量级将出现晶闸管导通，从而使其反向也具有大的电流导通能力。
一种逆导型 mos 晶闸管及其制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201510294056.7有效
发明人：陈万军;程武;古云飞;李震洋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明采用的技术方案通过设置在P‑body区中的N型重掺杂层9，使器件成为深埋发射极沟槽型IGBT，相当于引入了达林顿管，如图5所示，在开启过程中，J1所在的支路首先导通，电子注入到N‑漂移区4，促使阳极P区向漂移区注入空穴，空穴经外延P‑body区到达阴极。随着J2电流的增大，Rp两端的压降增大，使得达林顿管开启。在导通状态下，N型CS层5与P型外延区PN结的高空穴密度降低了导通电阻，关断时更容易抽取N‑漂移区4的空穴，从而降低了关断时间和关断损耗。本发明尤其适用于绝缘栅双极型晶体管及其制造。
一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种MOS栅控晶闸管的制造方法-CN201410685885.3有效
发明人：陈万军;刘超;古云飞;程武;李震洋;肖琨;杨骋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，特别涉及一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明将器件阴极改进为P型半导体基区和N型半导体源区组成的P‑N结两层结构，相对于常规MGT阴极P‑N‑P三层结构，本发明的阴极P‑N结两层结构使用两重扩散工艺，制作简单，兼容于IGBT制造工艺；器件栅下沟道为具有常关特性的N型沟道，关断时不需要额外加负电压，降低了系统复杂性，增加了系统的可靠性。本发明尤其适用于MOS栅控晶闸管及其制造。
一种 mos 晶闸管及其制造方法

[发明专利]一种功率器件结终端结构-CN201410787496.1在审
发明人：陈万军;古云飞;刘超;程武;李震洋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种能够提高抗总剂量辐照能力的结终端结构。本发明主要在场限环上方两侧设置不同厚度的场氧化层，并且环上方两侧均存在多晶硅场板，由于多晶硅场板下方的场氧化层厚度存在差异，因而两侧多晶硅场板在纵向上存在高度差，该交错形成的多晶硅场板结构与其下方场氧化层结构形成了具有电容作用的结构，重新分布削弱了由于总剂量辐照在右侧场板下方的电场形成的叠加作用，故而使得结终端在总剂量辐照后的耐压能力有一定提高。本发明在不增加结终端面积的前提下，提高了器件抗总剂量辐照能力，使得由于辐照引起的耐压下降减少，满足在大功率以及复杂环境应用下的需求。本发明尤其适用于功率半导体器件。
一种功率器件终端结构