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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种具有闸流体抑制层的半导体元件-CN202310702523.X在审
发明人：张江勇;王星河;李水清;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;胡志勇;张会康;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有闸流体抑制层的半导体元件，涉及半导体光电器件技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、第一n型半导体层、第二n型半导体层、闸流体抑制层、量子阱层和p型半导体层；所述闸流体抑制层由第一闸流体抑制层、第二闸流体抑制层和第三闸流体抑制层自下而上组成；通过插入闸流体抑制层，在闸流体抑制层中设计三层不同C含量浓度、C含量呈双台阶下降趋势以及Si掺杂浓度、H含量浓度和O含量浓度的半导体结构结合，抑制深能级缺陷中心，抑制PN相互交错产生结间电容，使闸流体的产生概率从1～5％比例下降至0，解决半导体发光元件使用过程中产生点亮不一致问题。
一种具有流体抑制半导体元件

[发明专利]半导体衬底-CN201780073938.8在审
发明人：山本大贵;长田刚规 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供半导体衬底，其具有硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层，硅衬底、反应抑制层、应力产生层及活性层的位置以硅衬底、反应抑制层、应力产生层、活性层的顺序配置，其中，反应抑制层为抑制硅原子与III族原子的反应的氮化物晶体层，应力产生层为产生压缩应力的氮化物晶体层，活性层为电子元件得以形成的氮化物晶体层，在硅衬底与反应抑制层之间，还具有以硅原子、铝原子及氮原子作为主构成原子的SiAlN层。
反应抑制层应力产生层硅衬底活性层氮化物晶体层硅原子半导体衬底提供顺序配置压缩应力氮原子铝原子衬底

[发明专利]一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法-CN202011348432.3有效
发明人：董红;罗锋;王一同 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种可用于选区原子层沉积的微纳加工方法，以材料LiPON作为抑制剂为例，但并不限于LiPON，LiPON只是可通过原子层沉积得到的抑制剂其中之一。通过原子层沉积的方法生长抑制剂薄膜，抑制剂薄膜能够抑制后续的氧化物的原子层沉积的生长，有抑制剂薄膜覆盖的位置实现后续氧化物原子层沉积的抑制，无抑制剂覆盖的部分原子层沉积可正常进行，实现选区原子层沉积。本发明能够在原位情况下很好的抑制后续氧化物的原子层沉积，具有很强的抑制后续氧化物的原子层沉积的生长的效果，从而达到提高选择率的目的。本发明解决了仅在非沉积区吸附一层抑制剂分子，抑制效果难以调节的问题。
一种用于选区原子沉积加工方法

[发明专利]一种特征层敏感的二阶段邻居非极大值抑制方法-CN202111593074.7在审
发明人：黄奎 -专利权人：江西中科智鹏物联科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G06V10/25 文献下载
摘要：本发明公开一种特征层敏感的二阶段邻居非极大值抑制方法，包括：将非极大值抑制操作分为层内非极大值抑制阶段和邻居层间非极大值抑制阶段：在层内非极大值抑制阶段，在每个特征层对该层内所有置信度大于阈值的预测边框进行邻居计算，并完成层内预测边框的过滤和合并；在邻居层间极大值抑制阶段，根据预测边框所在层，仅在邻居层的预测边框之间进行非极大值抑制过滤。采用本发明技术方案能够降低误检率，并提高预测边框的位置准确度，避免目标密集场景下大目标抑制附近的真实小目标，导致小目标漏检，提升整体检测率，同时二阶段非极大值抑制相对标准非极大值抑制方法降低了计算复杂度
一种特征敏感阶段邻居极大值抑制方法

[发明专利]一种电动汽车多源电磁干扰分级抑制方法-CN202010928901.2有效
发明人：陈勇;周世濂;尹浩然;陈章勇;李龙芳;贲树俊;顾乡;张颖;李楠;宗强 -专利权人：电子科技大学;南通电力设计院有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电动汽车多源电磁干扰分级抑制方法，包括电动汽车主要电磁干扰源的分级、电磁干扰分级抑制。本发明针对电动汽车主要电磁干扰源，进行了分级，分为器件层，模块层，系统层。针对整车的电磁干扰，设计了分级抑制方法，包括器件层一级抑制：器件‑线抑制方法；模块层二级抑制：多级滤波器抑制方法；系统层三级抑制：混合接地优化抑制方法。本发明能够有效解决电动汽车的多源电磁干扰问题，并针对性设计分级抑制方法，保证电动汽车正常、稳定工作。
一种电动汽车电磁干扰分级抑制方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856150.2在审
发明人：王志庆;谢文兴;何炯煦;陈文园;苏佳莹;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体装置结构包括：第一通道层，其具有第一表面与第二表面，以及第二通道层，其具有相对的第一表面与第二表面，且第一通道层与第二通道层的组成为第一材料。结构亦包括第一掺质抑制层，接触第一通道层的第二表面，以及第二掺质抑制层平行于第一掺质抑制层。第二掺质抑制层接触第二通道层的第一表面，且第一掺质抑制层与第二掺质抑制层各自包含碳或氟。结构还包括栅极介电层，接触第一掺质抑制层、第二掺质抑制层与第一通道层的第一表面，以及栅极层，位于栅极介电层上。
半导体装置结构

[发明专利]用于凹版印刷设备的刮刀及其制造方法和凹版印刷设备-CN201110314040.X无效
发明人：张东翼;金基珑;金斗永;许康宪 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B41F9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于凹版印刷设备的刮刀及其制造方法和凹版印刷设备，该刮刀包括：主体，由金属制成；磨损抑制层，形成在所述主体上，并包含陶瓷微粒；碎屑防止层，形成在磨损抑制层上，以抑制磨损抑制层中的碎屑，碎屑防止层由具有比磨损抑制层的硬度小的硬度的材料制成
用于凹版印刷设备刮刀及其制造方法

[发明专利]抑制低温陶瓷烧结收缩的方法及抑制层-CN02107820.3无效
发明人：李文熙;苏哲仪;李俊德;饶瑞珠 -专利权人：飞天科技股份有限公司
申请日： 2002-03-21 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： C04B35/64 文献下载
摘要：本发明主要涉及一种抑制低温陶瓷烧结收缩的方法，其包含堆叠一抑制层于一具有异质材料的陶瓷生胚上方以抑制该陶瓷生胚的收缩，其特征在于该抑制层具有与该陶瓷生胚上的异质材料位置相对应的凿孔，使该等异质材料于陶瓷生胚与抑制层堆叠时不会被抑制层覆盖，其中，抑制层的最小边长为L，各凿孔的外接圆半径为c，相邻外接圆的间距为a，最外围凿孔与抑制层的边缘距离为b，c＜0.5L，a＞0.1c，b＞0.1c。
抑制低温陶瓷烧结收缩方法

[发明专利]原子层沉积抑制材料-CN201680015281.5有效
发明人：岩地直树 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-03-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。
原子沉积抑制材料

[发明专利]有机电致发光元件以及使用它的显示装置-CN200480015579.3有效
发明人：福冈贤一;山本弘志 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2004-06-02 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光元件(1)，其在作为一对电极的阳极(12)和阴极(17)之间具有发光层(14)，其特征在于，在电极和发光层(14)之间设置抑制层，该抑制层用于调整提供给发光层(14)的电子或者空穴的量例如，形成电子注入抑制层(15)或者空穴注入抑制层作为抑制层的有机电致发光元件。该有机电致发光元件改善了发光效率。
有机电致发光元件以及使用显示装置

[发明专利]覆金属层叠板及电路基板-CN202011550852.X在审
发明人：铃木智之 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：覆金属层叠板包括：第一金属层、与所述第一金属层的单侧相接的第一传输损耗抑制层、第二金属层、与所述第二金属层的单侧相接的第二传输损耗抑制层、以及介隔存在于第一传输损耗抑制层与第二传输损耗抑制层之间的多层树脂层树脂层叠体具有第一传输损耗抑制层及第二传输损耗抑制层、以及至少两层以上的尺寸精度维持层及层叠于尺寸精度维持层之间的中间传输损耗抑制层。覆金属层叠板中，在将10GHz下的第一传输损耗抑制层及第二传输损耗抑制层的介电损耗正切设为Df1、将尺寸精度维持层的介电损耗正切设为Df2<
金属层叠路基

[发明专利]具有倾斜芯的声音结构面板-CN201410516358.X有效
发明人： C.M.比塞特;丘嵩;C.休伯特;M.莱兰;C.索里亚 -专利权人：罗尔公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： F02C7/24 文献下载
摘要：机舱可包括噪声抑制结构。噪声抑制结构可包括位于穿孔材料层和非穿孔材料层之间的多个噪声抑制单元。多个噪声抑制单元可以以锐角（例如，在20和75度之间）与穿孔材料层和非穿孔材料层接触，从而使得多个噪声抑制单元与穿孔材料层和非穿孔材料层不正交。此外，多个噪声抑制单元中的每个包括可六边形剖面轮廓。此外，噪声抑制结构可包括支撑结构，支撑结构包括多个支撑构件，其中，多个噪声抑制单元位于支撑结构内。
具有倾斜声音结构面板

[发明专利]噪声抑制薄片-CN202010310658.8在审
发明人：山田乔;佐藤淳;早川敏雄;折笠诚;茂吕英治 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：在噪声抑制薄片中，呈箔状的金属磁性体层和非磁性金属体层经由粘着材料层而贴合。通过将这样的噪声抑制薄片安装于电子部件等，可以吸收、抑制从电子部件中的电路等产生的噪声。在噪声抑制薄片中，噪声被金属磁性体层吸收。由于未被金属磁性体层吸收而透过的噪声可以被非磁性金属体层反射并再次被金属磁性体层吸收，因此噪声抑制薄片可以更有效地抑制噪声。
噪声抑制薄片

[实用新型]一种新型艺术墙砖-CN201822146364.7有效
发明人：崔明明;郭永欣;张悦扬;马一涵 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： E04F13/075 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型艺术墙砖，包括安装块，坚固层，稳定立柱，陶瓷表面，保温层，抑制层和通孔，所述安装块镶嵌在坚固层的上部内，该坚固层的下部内镶嵌有稳定立柱；所述坚固层设在保温层的上部，且保温层设在坚固层与抑制层之间；所述抑制层设在保温层的下部，且抑制层的外部设有陶瓷表面，该陶瓷表面上镶嵌有通孔。本实用新型安装块，坚固层和抑制层的设置，便于往墙面上安装，且安装更为牢固不容易脱落，整体设置更为坚固，不易损坏，可以有效的抑制由于室内装修而产生的有害气体，外观具有丰富的艺术气息。
坚固层抑制层保温层陶瓷表面安装块本实用新型稳定立柱新型艺术镶嵌墙砖通孔室内装修艺术气息整体设置坚固外部

[发明专利]一种用于减少三维增材制造生产时间的系统和方法-CN201780038525.6有效
发明人：迈克尔·乔伊斯 -专利权人： B9创造有限责任公司
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B29C64/124 文献下载
摘要：公开了一种用于将增材制造零件从构建位置释放出来的系统，该系统具有固化抑制剂传输系统，以在固化抑制光敏聚合物树脂层中再次供应固化抑制剂，其中所述增材制造零件在所述光敏聚合物树脂层中构建，所述传输系统包括一固化抑制贮存器，以在最初保持所述固化抑制剂；一固化抑制分配器层，其与所述固化抑制贮存器相邻，通过所述固化抑制分配器层，固化抑制剂从所述固化抑制贮存器传输到所述固化抑制光敏聚合物树脂层并进入相邻的光敏聚合物，以创建固化抑制光敏聚合物树脂层
一种用于减少三维制造生产时间系统方法

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