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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置结构-CN202210115826.7在审
发明人：王志庆;陈文园;苏俊鐘;何炯煦;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置结构包括介电层；与介电层接触的第一源极/漏极特征，其中第一源极/漏极特征包含第一侧壁；及与介电层接触且相邻于第一源极/漏极特征的第二源极/漏极特征，其中第二源极/漏极特征包含第二侧壁。结构亦包括布置在介电层上方且在第一侧壁与第二侧壁之间的绝缘层，其中绝缘层包含面向第一侧壁的第一表面、面向第二侧壁的第二表面、连接第一表面及第二表面的第三表面、及与第三表面相对的第四表面。结构包括布置在第一侧壁与第一表面之间的密封材料，其中密封材料、第一侧壁、第一表面、及介电层裸露于气隙。
半导体装置结构

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210480569.7在审
发明人：王志庆;陈文园;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法包括接收半导体基板。半导体基板具有顶表面并包括半导体元素。半导体基板具有形成在其上的鳍片结构。凹蚀鳍片结构以形成源极/漏极沟槽；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第一介电层；在源极/漏极沟槽的底表面下方的鳍片结构的部分之中布植掺质元素，以形成非结晶半导体层；在源极/漏极沟槽中在凹蚀的鳍片结构上方形成第二介电层；退火半导体基板；去除第一介电层与第二介电层。在退火以及去除的步骤之后，进一步凹蚀凹蚀的鳍片结构以提供顶表面。从顶表面以及在顶表面上形成外延层。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210429959.1在审
发明人：李韦儒;郑存甫;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括具有鳍状物的基板；第一源极/漏极结构，其包括第一外延层接触第一鳍状物、第二外延层位于第一外延层上、第三外延层位于第二外延层上且包括中心部分与高于中心部分的边缘部分、以及第四外延层位于第三外延层上；第二源极/漏极结构，与第一源极/漏极结构相邻并包括第一外延层接触第二鳍状物、第二外延层位于第二源极/漏极结构的第一外延层上、第三外延层位于该第二源极/漏极结构的第二外延层上且包括中心部分与高于第三外延层的中心部分的边缘部分。
半导体装置结构

[发明专利]集成电路装置-CN202210285949.5在审
发明人：王志庆;杨崇巽;何炯煦;谢文兴;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开一种集成电路装置。装置包含设置在基底上方的第一通道层、设置在第一通道层上方的第二通道层、以及围绕第一通道层和第二通道层的栅极堆叠。源极/漏极部件设置成邻近第一通道层、第二通道层和栅极堆叠。源极/漏极部件设置在第一通道层的多个第一刻面和第二通道层的多个第二刻面上方。第一刻面和第二刻面具有(111)结晶取向。内间隔物设置在栅极堆叠和源极/漏极部件之间以及第一通道层和第二通道层之间。硅化物部件设置在源极/漏极部件上方。硅化物部件朝向基底延伸到源极/漏极部件中至第一通道层的深度。
集成电路装置

[发明专利]半导体装置-CN202210285956.5在审
发明人：李韦儒;林志昌;郑存甫;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一半导体通道与第二半导体通道，位于基板上且横向分开。栅极结构覆盖并包覆第一与第二半导体通道。第一源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第一半导体通道，且第二源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第二半导体通道。隔离结构位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间与之下，且隔离结构包括第一隔离区接触第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的下表面；以及第二隔离区接触该第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的侧壁，且自第一隔离区的下表面延伸至第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的上表面。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210172793.X在审
发明人：光心君;林孟佑;郑存甫;吴忠纬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置如纳米片多通道装置，半导体装置具有额外间隔层与硬掩模层。额外间隔层可提供最顶部的通道上的内侧间隔物所用的空间。硬掩模层可在金属栅极回蚀刻时作为蚀刻停止层，以改善栅极高度的控制。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210172776.6在审
发明人：李韦儒;郑存甫;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区位于半导体基板。有源区沿着第一方向延伸。半导体装置亦包括栅极结构位于有源区上。栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。此外，栅极结构接合有源区上的通道。装置还包括源极/漏极结构位于有源区上并与通道相连。源极/漏极结构在半导体基板上的投影符合六边形。
半导体装置

[发明专利]半导体装置、记忆体装置及操作记忆体装置的方法-CN202210238491.8在审
发明人：刘朋骏;吴志强;吴忠纬;刘逸青;王奕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：一种半导体装置、记忆体装置以及操作记忆体装置的方法。半导体装置包括沿垂直方向延伸的第一导电结构及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构与第一导电结构沿横向方向间隔开。半导体装置进一步包括数个第三导电结构，各个第三导电结构沿横向方向延伸。第三导电结构跨越第一导电结构及第二导电结构。第一导电结构及第二导电结构各自具有沿横向方向的变动宽度。根据第一导电结构及第二导电结构的变动宽度施加各自不同的电压至第三导电结构。
半导体装置记忆体操作方法

[发明专利]半导体元件、记忆体元件及制造记忆体元件的方法-CN202210186134.1在审
发明人：刘朋骏;吴志强;吴忠纬;刘逸青;黄家恩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L27/1159 文献下载
摘要：一种半导体元件、记忆体元件以及制造记忆体元件的方法，半导体元件包括沿垂直方向延伸的第一导电结构以及沿垂直方向延伸的第二导电结构。第二导电结构沿横向方向与第一导电结构分隔。半导体元件还包括多个第三导电结构，第三导电结构的每一者沿横向方向延伸。第三导电结构横跨第一导电结构与第二导电结构设置。半导体元件还包括沿垂直方向延伸的第一半导体通道。第一半导体通道设置于第三导电结构与第一导电结构之间及第三导电结构与第二导电结构之间。第一导电结构与第二导电结构各自具有沿横向方向的变化宽度，并且第一半导体通道具有沿垂直方向变化的掺杂浓度。
半导体元件记忆体制造方法

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210005216.1在审
发明人：董彦佃;黄思维;萧智仁;庄媖涓;黄咏骞;刘冠廷;沈泽民;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括提供一种结构，此结构具有一基底和在前述基底上方的一通道层；在前述通道层上方形成一高介电常数栅极介质层；在前述高介电常数栅极介质层上形成一功函数金属层；在前述功函数金属层上形成一硅化物层；对此结构进行退火，使得与前述高介电常数栅极介电层相接的前述功函数金属层的第一部分可掺杂有来自前述硅化物层的硅元素；去除前述硅化物层；以及在前述功函数金属层的上方形成一块体金属层。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202110856150.2在审
发明人：王志庆;谢文兴;何炯煦;陈文园;苏佳莹;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括：第一通道层，其具有第一表面与第二表面，以及第二通道层，其具有相对的第一表面与第二表面，且第一通道层与第二通道层的组成为第一材料。结构亦包括第一掺质抑制层，接触第一通道层的第二表面，以及第二掺质抑制层平行于第一掺质抑制层。第二掺质抑制层接触第二通道层的第一表面，且第一掺质抑制层与第二掺质抑制层各自包含碳或氟。结构还包括栅极介电层，接触第一掺质抑制层、第二掺质抑制层与第一通道层的第一表面，以及栅极层，位于栅极介电层上。
半导体装置结构

[发明专利]半导体结构和形成半导体器件的方法-CN202110449422.7在审
发明人：王志庆;苏佳莹;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的实施例包括形成半导体器件的方法。方法包括提供衬底，衬底具有设置在衬底上方的多个第一半导体层和多个第二半导体层。方法也包括：图案化第一半导体层和第二半导体层以形成第一鳍和第二鳍；从第一鳍和第二鳍去除第一半导体层，从而使得图案化的第二半导体层的第一部分成为第一鳍中的第一悬浮纳米结构，并且使得图案化的第二半导体层的第二部分成为第二鳍中的第二悬浮纳米结构；以及将阈值修改杂质掺杂至第一鳍的第一悬浮纳米结构中。杂质使得形成有第一鳍和第二鳍的晶体管具有不同的阈值电压。本申请的实施例还涉及半导体结构。
半导体结构形成半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110660108.3在审
发明人：王志庆;杨崇巽;何炯煦;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明实施例提供半导体装置的制造方法。上述方法包含形成具有交互堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层的鳍片结构；形成牺牲栅极结构于鳍片结构上方；以及蚀刻源极/漏极(S/D)区，从而形成暴露出至少一个第二半导体层的开口。上述方法也包含通过开口布植蚀刻速率修饰物种于至少一个第二半导体层中，从而形成至少一个第二半导体层的布植部分。上述方法还包含选择性蚀刻至少一个第二半导体层的布植部分；凹蚀暴露于开口中的所述第一半导体层的端部；以及于开口中形成源极/漏极(S/D)外延层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110586516.9在审
发明人：王志庆;何炯煦;谢文兴;程冠伦;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：制造半导体器件的方法包括：形成其中交替堆叠第一半导体层和第二半导体层的鳍结构；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构的未由牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极(S/D)区域，从而形成S/D间隔；通过S/D间隔横向蚀刻第一半导体层，从而形成凹槽；在凹槽中、在蚀刻的第一半导体层上形成第一绝缘层；在形成第一绝缘层之后，在凹槽中、在第一绝缘层上形成第二绝缘层，其中，第二绝缘层的介电常数小于第一绝缘层的介电常数；以及在S/D间隔中形成S/D外延层，其中，第二绝缘层与S/D外延层接触。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法-CN202110495908.4在审
发明人：陈泰佑;克夏格;刘国安;谢劼;简上杰;张广兴;林启德;陈立锐;刘恒信;吴忠纬;吴志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻系统利用锡滴生成用于光刻的极紫外辐射。光刻系统用激光照射液滴。液滴变成等离子体，并发出极紫外辐射。光刻系统检测锡滴对聚光镜的污染，并调节缓冲流体的流量以减少污染。本申请的实施例提供了用于执行极紫外光刻工艺的系统和方法。
用于执行紫外光刻工艺系统方法

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