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[发明专利]深紫外发光二极管及其制作方法-CN202110707101.2有效
发明人：姚禹;郑远志;康建;陈向东 -专利权人：马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：其中，深紫外发光二极管包括：层叠设置的第一半导体层、有源层、第二半导体层、第二电流扩展层、键合金属层以及衬底，与有源层同层设置在第一半导体层上的第一电流扩展层，形成在第一电流扩展层上的第一绝缘保护层，贯穿第一半导体层并与第一电流扩展层电连接的第一电极，与第二电流扩展层电连接的第二电极。深紫外发光二极管的制作方法则包括：依次层积第一半导体层、有源层和第二半导体层；在未被有源层覆盖的第一半导体层上层积第一电流扩展层；在第二半导体层上层积第二电流扩展层；对第一电流扩展层或第二电流扩展层进行高温退火
深紫发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片及其制造方法-CN201710764034.1在审
发明人：马后永 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片及其制造方法，在衬底上生长外延层；在外延层上通过刻蚀划分出P区和N区；在P区制成电流扩展层，并通过刻蚀在所述电流扩展层上开孔制成图形化的孔状结构，其中，开孔深度小于所述电流扩展层的膜层厚度；在带孔状结构的电流扩展层上制成反射层；对应P区和N区依次制成钝化层、保护层、金属电极；对衬底减薄，切割形成各个独立的芯片。本发明可提高反射层与电流扩展层的欧姆接触面积，又不减小电流扩展层与P‑GaN层的接触面积，避免反射层与P‑GaN层欧姆接触不良问题，提高了电流注入效率，有效减少电流扩展层对光的吸收并提高界面反射比例，并且由于接触粗化提高了倒装芯片各膜层结构的粘附性
电流扩展层倒装芯片反射层图形化欧姆接触外延层刻蚀电流注入效率带孔状结构不良问题衬底减薄界面反射金属电极孔状结构膜层结构有效减少保护层钝化层上开孔粘附性衬底粗化减小开孔膜层切割制造芯片生长吸收

[发明专利]一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法-CN202210227881.5有效
发明人：王苏杰;董耀尽;林晓珊;杨祺;宁如光;熊欢 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法，所述LED外延片从下往上依次生长N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N型限制层、N侧空间层、发光有源层、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型过渡层、P型欧姆接触层；在所述N型电流扩展层之前，预先生长一层N型过渡层；所述N型电流扩展层从下往上依次生长有超低速N型电流扩展层、低速N型电流扩展层、中速N型电流扩展层、高速N型电流扩展层。
一种 940 nm 极性红外 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210063980.4有效
发明人：王绘凝;夏宏伟;马全扬;刘士伟;卓佳利;杨硕;林素慧;张中英 -专利权人：泉州三安半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明电流扩展层、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明电流扩展层位于第二半导体层上，第一电极和第二电极分别电连接第一半导体层和透明电流扩展层，其中，透明电流扩展层包括依次层叠的第二透明电流扩展层和第一透明电流扩展层，第一透明电流扩展层中掺杂Al金属。
发光二极管发光装置

[发明专利]复合电流扩展层及其制作方法-CN201710676698.2有效
发明人：孟锡俊;张翼;陈勘 -专利权人：西安中为光电科技有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合电流扩展层及其制作方法，属一种电流扩展层的制作方法，所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层；通过多层复合而成的电流扩展层，异质结高迁移率二维电子或空穴气电流扩展层，利用该高迁移率的二维电子或空穴气层，可将电流更加有效的扩展开，消除电流拥堵严重的问题，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效应；同时本发明所提供的一种复合电流扩展层结构简单，适于在各类芯片上生长使用，
复合电流扩展及其制作方法

[发明专利]切割屏蔽电缆编织层的装置-CN200510007920.7有效
发明人：松冈正记 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2005-02-05 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： B26F1/38 文献下载
摘要：在屏蔽电缆编织层切割装置(10)中，一对编织层扩展爪(32)和(33)拍击编织层(44)的外围使编织层(44)扩展到更大的直径，然后切割编织层(44)。在屏蔽电缆编织层切割装置(10)中，该对编织层扩展爪(32)和(33)的每一个都具有大体为斜V形的凹陷部分(74)，编织层扩展爪(32)和(33)可沿编织层(44)的径向滑动以便使编织层扩展爪(32)和(33)的凹陷部分(74)拍击编织层(44)外围的四个部分(44A)，从而将编织层(44)扩展到更大的直径。
切割屏蔽电缆编织装置

[实用新型]一种智能可拓展控制单元-CN202121694569.4有效
发明人：候云强;高明;王建华;孔强;孙元元 -专利权人：山东新一代信息产业技术研究院有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能可拓展控制单元，包括功能层、扩展层；所述扩展层设置在所述功能层的下方，与所述功能层之间可拆卸连接；所述功能层与所述扩展层均设置有相同尺寸的外侧边框，所述外侧边框的前侧面和后侧面上设置有相应的面板，所述面板上设置有接口；所述功能层、所述扩展层内部设置有芯片，所述芯片与其所在所述功能层或所述扩展层的接口连接。
一种智能拓展控制单元

[发明专利]一种倒装结构的发光二极管芯片及其制备方法-CN201610044333.3有效
发明人：邢振远;李彤;王世俊;董耀尽 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：所述发光二极管芯片包括基板、以及依次层叠在基板上的P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、P型欧姆接触层和透明导电层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层为GaAs层，透明导电层为ITO层，P型欧姆接触层和N型欧姆接触层内设有若干延伸到N型电流扩展层的通孔。本发明利用ITO透明导电层实现电流扩展并将扩展后的电流通过欧姆接触层注入N型电流扩展层，使电流得以较好的扩展，电流密度分布均匀，发光效率和发光强度提高。
一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]LED芯片的制备方法及LED芯片-CN202310035020.1在审
发明人：黄斌斌;陈从龙;梅震;王亚杰;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED芯片的制备方法及LED芯片，与现有高压LED芯片的工艺制程中，先深刻蚀形成隔离沟槽再沉积电流扩展层不同，在本申请所提供的LED芯片的制备方法中，先沉积电流扩展层，再深刻蚀形成隔离沟槽，从而无需对深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层进行刻蚀，避免深刻蚀隔离沟槽内的电流扩展层难以蚀刻干净以及电流扩展层因过刻蚀导致发光面积减小的问题，有利于减少LED芯片的漏电异常，增大电流扩展层的发光面积，并且，对电流扩展层的刻蚀以及形成台面区的台面刻蚀采用一次刻蚀工艺完成，大大简化工艺流程，降低芯片制作成本，而且不需要考虑台面区和电流扩展层的套刻问题，有利于进一步增大电流扩展层的发光面积。
led 芯片制备方法

[发明专利]一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法-CN201410421676.8有效
发明人：贾传宇;殷淑仪;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案在InGaN/GaN多量子阱有源层和p‑GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层如组分及掺杂渐变的单层p‑AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p‑AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。
一种采用 mocvd 技术 gan 衬底 al sub 复合制备亮度同质 led 方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201720966046.8有效
发明人：曹玉飞;柯大发;梁友灿;邱智中;张家宏 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，其至少包括一衬底，以及依次位于所述衬底上的发光外延层,其特征在于所述发光外延层上依次设置有电流阻挡层、第一电极和电流扩展层。本实用新型将第一电极设置于电流扩展层之下，部分第一电极由电流扩展层覆盖，因此可以减小电极掉落的几率；在第一电极下方设置与其形状一致的电流阻挡层，迫使注入第一电极的电流沿其第二延伸部分进入电流扩展层进行扩展，因此可以实现电流扩展层的电流扩展功能。因此，本实用新型可以在不影响电流扩展的前提下，减小电极掉落的几率。
一种发光二极管

[实用新型]一种钢轨阻尼装置-CN202122180686.5有效
发明人：胡金昌;傅荣;查国涛;王心龙;贺才春;杨涛;王彩;刘韦 -专利权人：株洲时代新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： E01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型属于轨道交通技术领域，具体是涉及到一种钢轨阻尼装置，包括扩展层、约束层以及设置在扩展层和约束层之间的阻尼层，所述扩展层包括分别与钢轨的轨头下侧、轨腰和轨底贴合且一体成型的扩展上部、扩展中部和扩展下部，所述扩展上部外侧朝向轨底设置有锁扣部一，所述约束层一端设置有嵌入在锁扣部一的楔形部一，本实用新型通过在扩展上部设置有锁扣部一，在约束层一端设置楔形部一，使得约束层与扩展层的配合紧密可靠，楔形部一和锁扣部一相互挤压扣合，在阻尼层注塑过程中可避免注塑材料从扣合处溢出，在注塑完成后不会相互脱离，保证结构紧凑，提高整体密度和结构可靠性。
一种钢轨阻尼装置

[发明专利]一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法-CN201610651931.7在审
发明人：李晓明;汤福国;王建华;闫宝华;陈康;刘琦;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法，由下往上依次为GaAs衬底、GaAs基发光二极管芯片外延层、电流扩展层，在所述电流扩展层上为p电极，在所述p电极正下方对应位置生长有一层具有反射作用的电流阻挡层，位于GaAs基发光二极管芯片外延层和电流扩展层之间，本发明所述具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片生长有一层电流阻挡层，在p电极下方通过电流扩展层将电流更好的扩展，通过电流阻挡层避免电流在p电极下方聚集造成p电极下方结温太高的问题，大大增加了电流扩展，增加了出光效率，提升了GaAs基发光二极管的品质。
一种具有电流阻挡扩展 gaas 发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]一种双T交错式约束阻尼钢轨-CN201811115754.6有效
发明人：崔日新;周劲松;宫岛;孙文静;孙煜 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： E01B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种双T交错式约束阻尼钢轨，包括钢轨本体、T型扩展层、T型约束层和阻尼填充层，其中：T型扩展层由与钢轨本体的轨腰及轨顶处的非工作面贴合的扩展层基层以及从扩展层基层向外延伸出的多个T型扩展槽组成；T型约束层包括设置于T型扩展层外围的约束层外层以及从约束层外层向轨腰延伸出的多个T型结构件，所述的T型扩展槽和T型结构件相互咬合交错布置；阻尼填充层填充于T型扩展层和T型约束层的空隙间。与现有技术相比，本发明通过构建T型互错式阻尼剪切结构，充分增加了与钢轨纵向切面平行的阻尼层的剪切面积，利用钢轨整体垂向变形加强了阻尼层的剪切效应，因此其减振降噪效果有了进一步的提升。
一种交错约束阻尼钢轨

[发明专利]一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法-CN201711143898.8在审
发明人：贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善电流扩展的发光二极管芯片及其制作方法，包括背面电极层；位于背面电极层一侧的衬底层；位于衬底层背离背面电极层一侧的发光外延层；位于发光外延层背离背面电极层一侧的电流扩展层；位于电流扩展层背离背面电极层一侧的金属薄膜粗化层，金属薄膜粗化层与电流扩展层之间欧姆接触，且金属薄膜粗化层具有一镂空区域；位于电流扩展层背离背面电极层一侧、且设置于镂空区域的主电极。本发明提供的技术方案，在电流扩展层背离背面电极层一侧形成金属膜薄粗化层，进而提高发光二极管的电流扩展性能；并且，由于无需主电极与电流扩展层之间欧姆接触，避免了主电极对发光外延层的出光进行吸收，进而提高了发光二极管的出光亮度
一种改善电流扩展发光二极管芯片及其制作方法