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[发明专利]内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法-CN202311098893.3在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;郑万乐 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种内嵌对位量子点填充mini‑LED芯片及其制作方法，所述mini‑LED芯片自下而上依次是蓝宝石衬底、量子点、密封胶、P型窗口层、P电极、P型过渡层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层、N电极、复合膜钝化层、焊接电极；量子点对位内嵌在所述蓝宝石衬底上。本发明通过直接在蓝宝石衬底上形成内嵌对位量子点结构，并采用密封胶进行密封，不仅制作简单，不影响芯片制作整体过程，而且保证了量子点材料的稳定性。
对位量子填充 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种反极性LED芯片及其制作方法-CN202311054379.X在审
发明人：陈宝;熊露;戴文;林擎宇;王克来;李俊承;郑万乐;熊珊 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。本申请的反极性LED芯片从上至下包括：N面电极、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、P型窗口层、介质膜缓冲层、镜面金属层、第一键合金属层、第二键合金属层、Si衬底和背面电极；其中，P型窗口层包括GaP基层和图案化表层，GaP基层紧邻P型半导体层设置，介质膜缓冲层包括从上至下依次交替设置的二氧化硅层和二氧化钛层；利用此发明制作的LED芯片，可保证性能稳定，提升LED发光效率。
一种极性 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法-CN202311013167.7在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；相邻芯片的镜面金属层不直接连接，并在隔离道对应区域被第一键合金属层填充，形成键合金属层包覆镜面的结构。本发明通过优化金属反射镜的加工过程，形成键合金属层包覆镜面结构，避开隔离道制作和激光切割区域，使镜面金属层在后续加工过程中不受影响，保证LED芯片的性能及可靠性。
一种面包结构极性红光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种红光micro LED芯片及其制作方法-CN202311027524.5在审
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;陈宝 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种红光micro LED芯片及其制作方法，包括在第一GaAs基板上生长外延结构；将其与第二GaAs基板键合在一起；在第二GaAs基板表面沉积保护层，去除第一GaAs基板；进行LED芯片前段工艺；使用临时键合胶覆盖wafer表面，将wafer与临时基板粘结在一起；去除保护层，去除第二GaAs基板和键合层；剥离芯粒，完成制作。本发明通过在红光micro LED芯片制作过程中引入GaAs基板作为制程中间基板，方便去除，同时将临时键合胶键合在透明临时基板上，适合LLO工艺或者热滑移等解键合工艺，解决了红光micro LED芯片外延层转移的难点，良率高，成本低，对巨量转移工艺友好。
一种红光 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法-CN202310626186.0有效
发明人：李俊承;熊露;熊珊 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种热电分离的AlGaInP LED芯片及制作方法，该制作方法包括以下步骤：在GaAs基板上生长外延片；在外延片上沉积介质层并制作出接触孔；沉积第一键合层金属；制作高导热绝缘层金属基板；在高导热绝缘层金属基板上沉积第二键合层金属；圆晶键合并去除GaAs基板；进行芯片前段工艺和后段工艺，完成AlGaInP LED芯片制作。本发明通过在金属基板上，添加绝缘层，并且在绝缘层中添加导热材料，形成高导热绝缘层金属基板，实现芯片端热电分离，不仅可以减少封装成本、提升出光效率，还能提高大功率AlGaInP LED的可靠性能，成本低廉，易于加工。
一种热电分离 algainp led 芯片制作方法

[发明专利]一种590nm反极性LED外延片及其制备方法-CN202310691542.7有效
发明人：王苏杰;董耀尽;杨祺 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种590nm反极性LED外延片及其制备方法，该LED外延片从下往上依次生长，从GaAs衬底开始依次为第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层、非掺杂阻隔层、N型GaAs缓冲层、截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光层、P侧空间层、P型限制层、P型窗口层；第一晶格修复层、第二晶格修复层、第三晶格修复层的材料都是GaAs，且均为非掺杂。本发明通过对衬底表面进行氧化腐蚀处理，去除衬底表面的氧化层，避免了现有技术中氧化层去除不干净带来的晶格缺陷，得到低缺陷密度的590nm反极性LED外延片，稳定性好、良率高。
一种 590 nm 极性 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310825777.0在审
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种纵列全彩显示Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层；红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本发明通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示Micro‑LED；该制作方法简单，在降低了LED器件的制作和转移过程中的工艺难度的同时提高了LED器件的光电性能和稳定性。
一种纵列全彩显示 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种高反射率VCSEL芯片的制备方法-CN202010796158.X有效
发明人：李俊承;白继锋;张银桥;王向武;潘彬 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01S5/187 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反射率VCSEL芯片的制备方法，在GaSb衬底上生长GaSb缓冲层，在GaSb缓冲层上生长N型DBR层，在N型DBR层上生长第一波导层，在第一波导层上生长MQW层，在MQW层上生长第二波导层，在第二波导层上生长N++InAs/P++GaSb隧穿结层，在遂穿结层上生长P‑P‑GaSb接触层，隧穿结层和接触层湿法腐蚀后再电镀金属电极，最后在外延片表面沉积TiO2与SiO2周期DBR层，代替传统的InGaAsP/InP、InGaAlAs/InP、InGaAlAs/InAlAs等材料的DBR层，利用TiO2与SiO2较大的折射率差值，大大减少了DBR层的对数数量，从而减少了DBR层的厚度，减少了光的吸收和热效应，也减少了较厚的DBR材料带来大的串联电阻。
一种反射率 vcsel 芯片制备方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310408825.6有效
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括P电极、N电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、GaAs衬底；第一半导体层由GaP窗口层和P‑AlGaInP限制层组成；第二半导体层由N‑AlGaInP限制层、GaAs接触层、N‑AlGaInP电流扩展层和GaAs牺牲层组成；GaAs牺牲层被去除后，第二半导体层与GaAs衬底之间呈镂空状态，并在靠近P电极一侧通过钝化层连接。本发明设计多个AlGaInP和GaAs层叠循环结构，通过对外延层进行湿法刻蚀，无需进行衬底转移，能有效避免衬底转移过程中的良率损失，提高工作效率和成品率，工艺简单，可满足规模化应用。
一种 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种带有ZnO牺牲层的红光LED芯片及其制作方法-CN202310339644.2在审
发明人：李俊承 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种带有ZnO牺牲层的红光LED芯片及其制作方法，包括以下步骤：在GaAs衬底上生长LED的外延结构；在蓝宝石衬底上，制作ZnO牺牲层；在外延片和带有ZnO牺牲层的蓝宝石衬底上，沉积SiO2键合层；MP抛光SiO2键合层，并活化键合，去除原有的GaAs衬底；进行LED芯片工艺，制作出红光LED芯片；红光LED芯片采用四元系AlGaInP材料制作。本发明通过在蓝宝石转移衬底上先制备一层ZnO薄膜层作为激光剥离的牺牲层，然后将AlGaInP材料通过SiO2直接键合技术键合至带有ZnO的蓝宝石衬底上可以匹配客户端激光剥离工艺，红光与蓝绿光工艺兼容，可以快速实现大规模生产。
一种带有 zno 牺牲红光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]具有滤光结构的反极性红外LED外延片及其制备方法-CN202211616048.6有效
发明人：王苏杰;杨祺;董耀尽;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有滤光结构的反极性红外LED外延片及其制备方法，该LED外延片从N型GaAs衬底开始由下往上依次生长N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N面滤光层、N型DBR反射层、N型限制层、N面波导层、多量子阱有源层、P面波导层、P型限制层、P型DBR反射层、P面滤光层、P型电流扩展层、P型窗口层。本发明通过在常规940nm反极性红外LED双侧的电流扩展层和限制层之间引入DBR反射层和滤光层结构，有效避免可见光的溢出，同时提高LED器件的发光效率，可应用于无红曝的安防监控摄像头等领域。
具有滤光结构极性红外 led 外延及其制备方法

[发明专利]一种红光Micro-LED芯片及其制作方法-CN202211330515.9有效
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种红光Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹；第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
一种红光 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]具有P面薄膜导电层的红光mini LED及其制备方法-CN202211118351.3有效
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;林擎宇;梁文科;陈宝;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种具有P面薄膜导电层的红光mini LED及其制备方法，该LED包括蓝宝石基板、SiO2键合层、ZnO/Ag/ZnO薄膜导电层、P型欧姆接触点、P型预留电极接触点、外延层、N电极、钝化层和焊盘电极；ZnO/Ag/ZnO薄膜导电层位于SiO2键合层和外延层之间，并连接P型欧姆接触点；P型欧姆接触点均匀分布在外延层的P型GaP层表面；P型预留电极接触点位于P型GaP层表面的一侧。本发明在P型GaP表面制作均匀分布的P型欧姆接触点，用薄膜导电层连接所有的P型欧姆接触点，形成整面的P电极，使得电流分布非常平均，降低GaP材料厚度的同时，提升电流扩展能力，提高发光效率。
具有薄膜导电红光 mini led 及其制备方法

[发明专利]一种无台阶mini LED芯片及其制作方法-CN202211140048.3在审
发明人：王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种无台阶mini LED芯片及其制作方法，该芯片包括蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、钝化层、聚酰亚胺层、P电极和N电极；聚酰亚胺层位于P电极与P型半导体层之间，与钝化层表面平齐并填充整个台阶。本发明通过利用聚酰亚胺将台阶处填平，使得芯片表面变得平坦，得到一种无台阶mini LED芯片，可以有效解决芯片在焊接时出现的仰翘问题和推力差异问题，可靠性好。
一种台阶 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法-CN202210877299.3在审
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;林擎宇;梁文科;陈宝;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人： 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法，包括以下具体步骤：在GaAs基板上生长AlGaInP mini LED的外延结构；通过键合翻转，将外延层转移至蓝宝石衬底上；制作台面，制作P电极；制作周期阵列分布的GaAs欧姆接触点，制作N接触点电极；表面蒸镀ITO并进行蚀刻；制作N电极；沉积钝化层，并蚀刻接触孔；制作焊盘电极；进行激光隐形切割、劈裂，完成芯粒制作。本发明在整个芯片的表面，制作出周期性阵列分布的GaAs欧姆接触点，在整体GaAs材料面积与手指型电极相同或更小的情况下，使电流分布更加均匀，提高芯片整体的发光效率。
一种具有周期分布接触电极 algainp mini led 及其制备方法

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