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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置、成膜头和成膜方法-CN201080044833.8有效
发明人：小野裕司;林辉幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，该成膜装置能够进行期望条件下的有机成膜材料和无机成膜材料的共蒸镀。该成膜装置具备：收纳被处理基板(G)的处理室；设置于处理室的外部的产生有机成膜材料的蒸气的蒸气产生部；有机成膜材料供给部(22)，其设置于处理室的内部，将在蒸气产生部产生的有机成膜材料的蒸气喷出；无机成膜材料供给部(24)，其设置于处理室的内部，喷出无机成膜材料的蒸气；和混合室(23)，其将从有机成膜材料供给部(22)喷出的有机成膜材料的蒸气与从无机成膜材料供给部(24)喷出的无机成膜材料的蒸气混合，混合室(23)具备使有机成膜材料和无机成膜材料的混合蒸气通过、向被处理基板(G)供给的开口部(23c)。
装置成膜头方法

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202080015127.4在审
发明人：白坂哲郎;中村直人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明基片处理装置，包括：成膜处理部，进行基片的表面的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，取得表示基片的表面的状态的表面信息；和控制成膜处理部与表面检查部的控制部。控制部实施：调节处理，包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部使覆膜的周边部分除去的工序；使表面检查部取得表面信息，该表面信息表示包含周边部分已被除去了的覆膜的基片的表面的状态并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用成膜处理部使周边部分已被除去了的覆膜剥离的工序，和工艺处理，包括：利用成膜处理部在基片表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部按照在调节处理中所调节的除去宽度除去周边部分的工序。
处理装置方法存储介质

[发明专利]成膜装置-CN201210035752.2无效
发明人：金子裕是;林辉幸;小野裕司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710192799.2有效
发明人：吉田武史 -专利权人：株式会社昭和真空
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
装置方法

[发明专利]合金熔射膜以及成膜装置-CN202011627743.3有效
发明人：门胁豊;吉田敏伸;赤濑仁荣 -专利权人：日本爱发科泰克能株式会社
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种合金熔射膜以及成膜装置，该合金熔射膜可进一步抑制从成膜处理用部件的剥离，该成膜装置具有该合金熔射膜。例如，提供一种熔射膜，用于成膜装置，该成膜装置具有：成膜源；基板支撑部，与上述成膜源相向；成膜处理用部件，包围上述成膜源与上述基板支撑部之间的成膜处理环境气体或者上述成膜源；以及真空容器，容纳上述成膜源、上述基板支撑部以及上述成膜处理用部件；朝向上述成膜处理环境气体设置有合金熔射膜，该合金熔射膜具有铝和第一元素，该第一元素为钪及铪中的至少一种元素。
合金熔射膜以及装置

[发明专利]成膜装置及埋入处理装置-CN202110002332.3有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置、埋入处理装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置埋入处理

[发明专利]基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序-CN200810167416.7有效
发明人：竹永裕一;山口达也;王文凌;高桥敏彦;米泽雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-09-26 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供能够有效地控制被处理的基板的成膜量的基板处理系统、基板处理装置的控制方法和程序。基板处理系统包括：在多个基板上进行成膜的基板处理部；取得表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置的配置模式的信息的取得部；和存储表示上述多个基板中的未处理基板和已处理基板的配置对基板的成膜量施加的影响的配置-成膜量模型的存储部。根据上述配置-成膜量模型，通过计算部计算上述配置模式下的基板的预测成膜量。通过判断部判断上述计算出的预测成膜量是否在规定范围内，当判断上述计算出的预测成膜量在规定范围内时，通过控制部控制上述基板处理部对基板进行处理。
处理系统装置控制方法程序

[发明专利]成膜装置及零件剥离装置-CN201811329890.5有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置零件剥离

[发明专利]成膜装置-CN202110002315.X有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置

[发明专利]成膜装置-CN202110002323.4有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置

[发明专利]成膜装置及零件剥离装置-CN202111090638.5有效
发明人：西垣寿;铃木端生;吉村浩司;神戸优 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及零件剥离装置，可防止在电子零件上残留残渣，并从片材上剥离电子零件。将电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件投入成膜装置中。在此成膜装置中包括成膜处理部与剥离处理部。成膜处理部使成膜材料在所述电子零件上成膜。剥离处理部在利用成膜处理部的成膜后，将电子零件从保护片上剥下。此剥离处理部具有：载置台，支撑已被粘贴在所述保护片上的电子零件；夹头，握持保护片的端部，相对于所述载置台进行相对移动，并朝所述端部的相反端连续进行剥离；以及固定部，固定电子零件的位置。
装置零件剥离

[发明专利]成膜装置及埋入处理装置-CN201811344888.5在审
发明人：西垣寿 -专利权人：芝浦机械电子装置株式会社
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置及埋入处理装置，气泡不会进入，可使电子零件与保护片良好地密接来进行成膜处理。在成膜装置中，使电极立在保护片的粘着面上来载置电子零件。在此成膜装置中，包括埋入处理部与成膜处理部。埋入处理部将电子零件的电极埋入保护片的粘着面中。成膜处理部针对电极已被埋入保护片中的电子零件，通过溅射来使成膜材料堆积而进行成膜。此埋入处理部至少具有：封入电子零件与保护片中的零件排列区域的密闭空间、及对密闭空间进行减压的减压部。而且，在利用减压部的减压后，埋入处理部使电子零件与保护片相互按压。
电子零件埋入成膜装置埋入处理部电极成膜处理部处理装置密闭空间减压减压部按压成膜材料成膜处理零件排列粘着面成膜溅射密接载置堆积

[发明专利]碳化硅的成膜装置及成膜方法-CN201310093006.3有效
发明人：铃木邦彦;佐藤裕辅;伊藤英树;土田秀一;镰田功穂;伊藤雅彦;内藤正美 -专利权人：纽富来科技股份有限公司;株式会社电装
申请日： 2013-03-22 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
碳化硅装置方法

[发明专利]利用PVD法的成膜方法以及利用于PVD法的成膜用靶-CN200610006980.1无效
发明人：山下英毅;大熊崇文;早田博;山西齐;木村忠司;中上裕一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种成膜装置，具有：在其内部形成实施成膜处理的减压空间的处理容器；保持被实施所述成膜处理的基材的基材保持部；支持靶的靶支持部；向所述靶支持部施加电力，使得在所述减压空间中产生等离子体的电源装置，其中，所述靶在其表面上具有由粉体材料构成的粉体靶配置在其内周面上的凹部通过使用所述靶进行成膜处理，可以提高成膜速度的面内均匀性，实现稳定的成膜。
利用 pvd 方法以及成膜用靶

[发明专利]控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质-CN201710183981.1有效
发明人：笠井隆人;竹永裕一;久保万身 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种控制装置、基板处理系统、基板处理方法以及存储介质。本实施方式的控制装置对基板处理装置的动作进行控制，该基板处理装置用于在基板形成基于原子层沉积的膜，该控制装置具有：制程存储部，其用于存储与所述膜的种类相应的成膜条件；模型存储部，其用于存储表示所述成膜条件对所述膜的特性产生的影响的工艺模型；记录存储部，其用于存储成膜时的所述成膜条件的实际测量值；以及控制部，其基于根据所述制程存储部所存储的所述成膜条件形成的所述膜的特性的测定结果、所述模型存储部所存储的所述工艺模型、以及所述记录存储部所存储的所述成膜条件的实际测量值来计算满足设为目标的所述膜的特性的成膜条件
控制装置处理系统方法以及存储介质

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